垂直石墨烯

这项研究报告了一种分层YS-Si/C阳极材料，它是通过热化学气相沉积生长垂直石墨烯片（VGS）、聚合物自组装和一步碳化合成的，通过VGS在硅芯和碳壳之间建立连接，从而增强了YS-Si/C材料的电化学和机械特性。

本研究开发了一种基于垂直石墨烯的自支撑电极，通过将低结晶度的NiCo层状双氢氧化物(LDH)纳米片与垂直石墨烯(VG)结合形成Mott-Schottky异质结构，显著提升了超级电容器的电化学性能。通过溶胶-凝胶法从金属有机框架(MOF)转化得到的LDH，不仅增强了电荷转移和电子传输，还通过密度泛函理论(DFT)计算证实了异质结构在电荷密度调节和加速电荷/离子传输方面的优势。优化后的LDH@VG电极展现出卓越的面积电容和速率能力，而基于该电极构建的混合型超级电容器(HSC)设备则具有高能量密度和出色的循环稳定性，为高性能储能应用提供了新的电极设计策略。

综上所述，本研究设计了一个冷壁PECVD系统，该系统不仅可以通过耦合电场使VG垂直于底物生长，而且可以在低温下生长。此外，VG涂层Ti纤维作为FSEC电极表现出超快的速率性能和良好的电容性能。FSECs在120 Hz下具有良好的CV值和相角，具有任意的交流滤波性能，优于大多数已报道的光纤基电化学电容器。这项工作证明了VG在可穿戴电子设备中用于光纤电极的巨大潜力。

刘忠范院士对溢鑫科技在石墨烯领域取得的成就给予了高度评价。他表示，直立石墨烯作为一种新型纳米材料，具有独特的物理和化学性质，在电子信息、生命科学、生物检测等多个领域展现出广阔的应用前景。溢鑫科技在直立石墨烯的制备技术、应用研发等方面取得了重要突破，为我国石墨烯产业的发展做出了积极贡献。

武汉理工大学何大平教授课题组通过银浆热收缩策略开发了一种表面可变形的垂直石墨烯热界面材料，具有超高纵向热导率（738.6 W m−1 K−1）的同时实现了低的接触热阻（29.2 K mm2 W−1），在电子器件高效散热方面极具应用潜力。

研究通过一种简便的超快焦耳加热（UJH）方法，在垂直石墨烯（VG）上种植金属硫化物（如 Ni3S2），从而在碳布（CC）支撑的 VG 基底上均匀分布亲锂位点并牢固结合，报告了一种新的亲锂骨架。

OVG沉积在芯片与散热器的接触界面上，作为热传导增强层，促进热量从芯片快速传递到散热片。BVG则沉积在散热器的翅片表面，作为热辐射增强层，促进热量从散热器快速辐射到周围空气中。

研究将添加了少量氧化石墨烯（GO）的 GP 分散液真空过滤、干燥并压制成氧化石墨烯/石墨烯（GO/GP）薄膜。然后，利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积（ICP-PECVD）技术在 GO/GP 薄膜表面原位生长垂直石墨烯（VG），并在其后进行石墨化处理，从而制备出 RGO/GP/VG 复合薄膜。

柔性垂直石墨烯片不仅能形成三维导电网络，增强整个电极的电连接性，还能更好地与固体聚合物电解质接触，降低界面阻抗。作为 ASSB 的阳极，Si@VG 的可逆容量在 0.5Ag-1 的条件下循环 200 次后仍能保持在 444.9 mAh g-1 的水平，与 Si 相比有显著提高。此外，从电化学阻抗光谱中可以观察到，阳极与固体聚合物电解质之间的界面阻抗显著降低。这项研究可为其他旨在解决 ASSB 中界面难题的研究工作提供有价值的见解。

研究利用电感耦合等离子体化学气相沉积（IC-PECVD）方法，在 600 ℃ 下的氟锂云母基底上成功制备了基于无转移 VGNs 的柔性应变传感器。通过增加 H2 与 CH4 的比例，生长的 VGNs 的质量得到明显改善。在电极间直接制备的 VGNs 能改善 VGNs 与电极间的界面接触。弯曲试验结果表明，在数字间电极上直接生长 VGNs 的柔性传感器具有良好的性能。套管与传感器的结合表明，无转移柔性应变传感器可在可穿戴设备中发挥良好的性能。