垂直石墨烯

这项研究报告了一种分层YS-Si/C阳极材料，它是通过热化学气相沉积生长垂直石墨烯片（VGS）、聚合物自组装和一步碳化合成的，通过VGS在硅芯和碳壳之间建立连接，从而增强了YS-Si/C材料的电化学和机械特性。

综上所述，本研究设计了一个冷壁PECVD系统，该系统不仅可以通过耦合电场使VG垂直于底物生长，而且可以在低温下生长。此外，VG涂层Ti纤维作为FSEC电极表现出超快的速率性能和良好的电容性能。FSECs在120 Hz下具有良好的CV值和相角，具有任意的交流滤波性能，优于大多数已报道的光纤基电化学电容器。这项工作证明了VG在可穿戴电子设备中用于光纤电极的巨大潜力。

刘忠范院士对溢鑫科技在石墨烯领域取得的成就给予了高度评价。他表示，直立石墨烯作为一种新型纳米材料，具有独特的物理和化学性质，在电子信息、生命科学、生物检测等多个领域展现出广阔的应用前景。溢鑫科技在直立石墨烯的制备技术、应用研发等方面取得了重要突破，为我国石墨烯产业的发展做出了积极贡献。

武汉理工大学何大平教授课题组通过银浆热收缩策略开发了一种表面可变形的垂直石墨烯热界面材料，具有超高纵向热导率（738.6 W m−1 K−1）的同时实现了低的接触热阻（29.2 K mm2 W−1），在电子器件高效散热方面极具应用潜力。

OVG沉积在芯片与散热器的接触界面上，作为热传导增强层，促进热量从芯片快速传递到散热片。BVG则沉积在散热器的翅片表面，作为热辐射增强层，促进热量从散热器快速辐射到周围空气中。

研究将添加了少量氧化石墨烯（GO）的 GP 分散液真空过滤、干燥并压制成氧化石墨烯/石墨烯（GO/GP）薄膜。然后，利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积（ICP-PECVD）技术在 GO/GP 薄膜表面原位生长垂直石墨烯（VG），并在其后进行石墨化处理，从而制备出 RGO/GP/VG 复合薄膜。

研究利用电感耦合等离子体化学气相沉积（IC-PECVD）方法，在 600 ℃ 下的氟锂云母基底上成功制备了基于无转移 VGNs 的柔性应变传感器。通过增加 H2 与 CH4 的比例，生长的 VGNs 的质量得到明显改善。在电极间直接制备的 VGNs 能改善 VGNs 与电极间的界面接触。弯曲试验结果表明，在数字间电极上直接生长 VGNs 的柔性传感器具有良好的性能。套管与传感器的结合表明，无转移柔性应变传感器可在可穿戴设备中发挥良好的性能。

我们提出了一种新的方法，利用自支撑，超轻，亲锌的3D分层石墨烯矩阵，包括n掺杂GF簇，VGs和多通道碳矩阵，来构建具有卓越速率和容量的高性能和稳定的Zn复合阳极。

本工作证明了VG@SiC/C复合物是一种极具潜力的光催化剂，以减少二氧化碳，并可能提供一个新的方向，以设计出更有效、更具选择性的二氧化碳转化光催化剂。