晶体管

器件结构革新。开发量子器件、单电子器件、石墨烯器件、仿生类脑器件等。晶体管是集成电路的核心器件，最初的晶体管是双极型结构，后来金属氧化物半导体器件诞生，成为主流集成电路器件结构。现在，平面的金属氧化物半导体器件结构变为三维的鳍形栅结构，并正向环形栅方向发展。每一次器件结构革新，都会带来集成电路技术重大进步。量子器件和单电子器件是晶体管工作原理上的革新，石墨烯器件是晶体管材料的革新，仿生类脑器件则是模拟神经元人脑突触的器件。这种革新为集成电路的创新应用提供更多可能，如仿生类脑器件将为人工智能网络的应用插上翅膀。

Graphenea宣布，在其GFET S30发布后，它开发了一种High-K金属栅极（HKMG）制造工艺，用于在石墨烯或GFET上创建场效应晶体管（FET）结构。从 2022 年 2 月开始，此过程现已在专用 GFAB 服务下提供。

近日，天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心 马雷 教授团队对近年来不同响应机制的石墨烯基光电器件的研究进展进行了总结，介绍了基于石墨烯光伏效应、光辐射热效应、光热电效应、等离子体辅助、光栅控效应和光电导效应的发展和应用前景，讨论了石墨烯基光电器件未来发展所面临的挑战。

GBIRCAM团队创建了为基于GFET的超像素量身定制的读出集成电路(ROIC)，并使用Emberion提供的相机电子设备对其进行了测试。可见光和SWIR光敏像素均已在GFET像素上制造。因此，包括热释电薄膜传感器在内的不同构建模块已准备好集成到演示器和最终原型中。

该论文首次报道了一种合成结构、宽度及长度均可控的石墨烯纳米带聚合方法，该法有望为研究石墨烯纳米带长度对其理化性质的影响奠定材料基础。作为通讯作者的伊丹健一郎也表示，“这项研究解决了一个多年以来的难题。为实现量产化（我们）已与企业展开合作，希望早日将该技术应用落地。”

当然，产学研合作也是金刚石功能化应用推广的一个必经之路与重要手段！胡晓君教授认为“一项基础性成果转化成产品，这中间有很长的路要走，需要很多的研究，还有磨合！企业来转化基础研究的成果，首先需要有足够强的资金实力以及研发实力，还需要有相当大的格局。创建初始，所产生的经济效益不会立竿见影，这对企业来说并不是件易事，需要做好长期‘战斗’的思想准备。”

仅在两个月前发布的GFET S30是一款背门器件，可实现电导的局部调制以及通道功能化/敏化。这是探索VOC传感，对光电探测器和其他光电器件进行原型设计的绝佳平台。然而，还有其他应用，如RF器件、倍频器和某些类型的检波器，需要对狄拉克点和迟滞进行严格控制。新型 GFET S31 和 PF3B 通过在高 K 电介质顶部使用额外的顶部栅极来提供这一点。