晶体管

闽南师范大学蔡志雄教授课题组通过在氧化石墨烯（GO）表面通过原位水解和缩合正硅酸乙酯（TEOS）制备了2D介孔SiO2-G纳米片，然后用作负载NGQD和PNC的理想载体。

氟化石墨烯掺杂的 Spiro-OMeTAD HTL 是提高 n-i-p 钙钛矿太阳能电池的功率转换效率和稳定性的有效方法。

非局域光电流动力学测量发现，在几微米长的石墨烯上，从电极提取的光电流是准瞬时的，没有可测量载流子的渡越时间，遵循Shockley-Ramo定理。光电流产生的时间异常可调，从立即到>4ps，其起源为费米能级相关的带内载流子-载流子散射。

重点根据2D材料的特性、结构和器件集成方式对石墨烯基、类石墨烯基、过渡族硫化物基、主族金属硫化物基、合金和异质结基、以及压电/摩擦电驱动的晶体管基自供电传感器进行了详细介绍。同时对其在人体运动感知、能量收集、生物医学、环境监测和人工智能等方面的应用进行了总结和概括。

在这里，我们展示了在室温下在 SWIR 区域工作的高光增益探测器，该探测器使用石墨烯进行电荷传输，使用 Te 超掺杂硅 (Te-Si) 进行红外吸收。载流子寿命的延长，加上石墨烯和 Te-Si 之间界面产生的内建电势，在室温（300 K）下对于 1.55 μm 光具有 109 的超高光增益。增益可以提高到 1012，伴随着 0.71 pW Hz-1/2在 80 K 的噪声等效功率 (NEP)。

我们使用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在石墨烯上直接生长 MoS2，然后通过化学气相沉积 (CVD) 将 MoS2 沉积在蓝宝石晶片上，以实现石墨烯-MoS2 光电探测器。

本文，浙江大学高分子系高超教授团队与微纳电子学院徐杨教授团队合作在《Carbon》期刊发表论文，研究提出了一种缺陷态可控的宏观组装石墨烯纳米膜/硅宽波段红外探测器，探索了材料缺陷态含量与探测性能之间的关系。

今日，美国 加利福尼亚大学（University of California）Costas P. Grigoropoulos团队Yoonsoo Rho，Kyunghoon Lee等，在Nature Electronics上发文，报道展示了可逆的激光辅助氯化过程，可用于在石墨烯单层中，产生高掺杂浓度（高于3×1013cm-2），且迁移率下降最小。

综上所述，我们实现了单晶钙钛矿在石墨烯上的生长，构建了直接集成的混合维2D/3D垂直结构vdW异质结探测器。这种提出的单像素钙钛矿异质结构检测器能够检索物体的空间信息以进行计算成像。其实际应用的可能性包括危险气体泄漏的可视化、生物医学的癌症检测以及自动驾驶汽车的3D态势感知。

小尺寸的GQDs通常具有大的带隙，并且其带隙会随着尺寸的增大而减小。为了调整纯GQDs的光学特性，引入了杂原子掺杂、表面功能化和/或各种缺陷。根据缺陷的性质，可以对石墨烯的电子结构进行修饰。例如，锯齿形边缘上自由边的存在导致了稳定的三重基态。

推动共性技术研发，支撑上海产业链创新，是功能型平台的重要功能。5年来，平台机构取得了一大批共性技术成果，如石墨烯平台与中国科学院上海微系统研究所等联合研发的8英寸石墨烯晶圆已进入中试制备技术开发阶段，4英寸和6英寸晶圆产品已与下游企业签订销售订单，为集成电路产业提供了新一代材料。