晶体管

近日，湖南大学曾泽兵教授课题组基于原子级精确的湿法合成技术，将两个苝分子和一个1,6-二氮杂蒽片段稠合，使交界处形成新的p-n异质结（图1）。

从名单来看，8英寸半导体石墨烯产品生产项目、华清年增产1000万片大功率集成电路用覆铜陶瓷基板技改项目、胜科纳米集成电路专业分析测试平台项目、晋江存储器生产线建设项目、集成电路测试探针暨中国大陆营运总部等项目在列。

证明了通过界面调控可在氮掺杂石墨烯上生长高质量的氮化镓薄膜，是一种有效的原子调控方法。本方法为新型半导体器件的工业发展提供了新思路。

这篇综述介绍了各种基于二维半导体的场效应晶体管的逐步发展及其相对优势和设计挑战。与最先进的三维纳米级场效应晶体管相比，这些纳米级二维场效应晶体管在不影响操作速度的情况下，可以显著改善功耗。此外，通过适当的设计优化，这些纳米级二维场效应晶体管可以取代CMOS性能，实现低功耗、高性能设计。

众所周知，石墨烯作为一种生物传感材料因其特异性、可重复性、稳定性、灵敏度和线性而备受关注。mGFET以实惠的价格充分利用了这些特性，再加上上述高集成度和易用性，使该产品成为微生物实验室的终极开发工具。

北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室路建明研究员课题组在氮化硼与双层石墨烯晶格对齐形成的摩尔超晶格体系中发现了极大的铁电极化，其电荷面密度高达1013cm-2，远超过摩尔窄带所容纳的电子密度；高达5pCm-1的界面极化位于人工堆垛范德华异质结中最高界面铁电之一。

mGFET是Graphenea的最高价值链产品，在芯片载体中制造和封装，可以与Graphenea卡一起使用，用于无缝传感器开发（2022年初发布，在业界也获得了非常好的反响）。

该全光纤器件采用光学反射式的三电极晶体管构型，包括以光纤纤芯为中心对称分布的两电极、覆盖纤芯的石墨烯、氧化铝绝缘介质层，以及同时作为栅极和反射镜的顶部电极。光从纤芯入射后与石墨烯作用，调制后的光被反射镜反射回光纤，由于避免了光的空间耦合，因此插入损耗极低。

据悉，双方共同成立“未名湖项目”，项目目标是将各个不同研究方向的碳基芯片测试标准化，推出一套通用的碳基芯片测试平台，未名湖碳基芯片测试平台是一套通用的芯片测试系统，其采用模块化的设计理念，将测试执行与控制部分设计成标准模块，针对不同的被测试对象搭配相应的扩展模块即可执行测试。