晶体管
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石墨烯新应用!实时监控水中毒素
威斯康星大学密尔沃基分校(University of Wisconsin-Milwaukee)的研究人员报告了湿转移、阻抗和噪声测量以及机器学习的结合,以促进基于石墨烯的场效应晶体管(GFET)传感器阵列的可扩展纳米制造以及故障设备的有效识别。
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利用石墨烯传感器阵列快速诊断胰腺癌
这项工作最近发表在《ACS Nano》杂志上,基于Graphenea Foundry生产的在 4” 和 6” 晶圆上的 GFET 阵列。Graphenea Foundry工艺可确保批次间的再现性和高质量的可靠性,器件良率 >95%。石墨烯装置通过针对目标外泌体的特异性抗体进行功能化,利用连接分子四(4-羧基苯基)卟啉(TCPP),其一侧与石墨烯结合,另一侧与抗体结合。
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生物芯片 gFET 技术的代工制造
生物芯片开发的最新进展实质上推进了核心传感技术从概念到设计的发展。与此同时,Archer 团队已开始与潜在的全球代工合作伙伴讨论石墨烯芯片设计的初始小批量生产,以评估产品可靠性。
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Archer Materials 完成生物芯片石墨烯传感器技术的概念验证 将其转移到商业晶圆厂以验证可扩展性
Archer 通过将核心传感技术从概念转移到设计,在其生物芯片方面取得了令人印象深刻的进展。我们已经在内部完成了这项工作,现在希望在外部制造它,因此它可以与代工厂兼容并扩大生产规模。该团队目前还在改进其功能,以更好地检测疾病。开发生物芯片不仅对阿切尔来说是一个重要项目,对我们生活的更广阔的世界来说也是一个重要项目。全球范围内都高度关注检测和预防疾病。Archer 的生物芯片旨在通过高度敏感的石墨烯材料和强大的数据分析来实现,从而改善芯片上的疾病诊断和健康结果。
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Analytical Chemistry:基于适配体功能化的超洁净石墨烯场效应晶体管生化传感器对抗生素的超灵敏检测
山东大学韩琳教授课题组报道了一种用于抗生素高灵敏检测的超净石墨烯场效应晶体管传感平台,并对标品、类实际样本、渤海湾实际样本进行检测分析,探索了CRCT新型转移工艺及适配体传感模型
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洛斯阿拉莫斯国家实验室Wanyi Nie最新AEL:使用可回收钙钛矿-石墨烯异质结构晶体管进行高效 X 射线传感
钙钛矿沉积后,石墨烯像素的高迁移率保持在1200 cm2/V·s以上,并实现高转换效率和超高灵敏度。增加石墨烯通道的操作偏压将X射线检测信噪比从30提高到200以上。钙钛矿可以在室温下用有机溶剂洗掉,而不会损坏石墨烯。重新沉积钙钛矿层保留了探测器的高增益,使异质结构X射线探测器成为可回收设备。钙钛矿-石墨烯器件在10,000次栅极扫描和多周期X射线照射下表现出稳健的运行。
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Applied Nanolayers将要参加赴日本半导体深科技创新代表团
我们很高兴展示和讨论我们的高性能石墨烯的功能。我们相信,这一代表团将成为激发伙伴关系的基础,加强荷兰深科技行业与日本半导体行业创新者之间的关系。我们非常期待有机会与日本半导体公司建立更好的联系,并讨论我们为半导体行业建立全球石墨烯和2D材料供应平台的路线图。
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科技强国建设开启新阶段
2022年3月15日,《自然》杂志上发布了一项成果:清华大学集成电路学院团队巧妙利用石墨烯薄膜作为栅极,首次制备出亚1纳米栅极长度的晶体管,具有良好的电学性能。这是人类首次制成栅极长度最小的晶体管。
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【有机】曾泽兵课题组Chem:探索纳米石墨烯分子中奇异的拓扑界面态与自由基性质
近日,湖南大学曾泽兵教授课题组基于原子级精确的湿法合成技术,将两个苝分子和一个1,6-二氮杂蒽片段稠合,使交界处形成新的p-n异质结(图1)。
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晋江市2023年度重点项目公布,华清、胜科纳米等项目在列
从名单来看,8英寸半导体石墨烯产品生产项目、华清年增产1000万片大功率集成电路用覆铜陶瓷基板技改项目、胜科纳米集成电路专业分析测试平台项目、晋江存储器生产线建设项目、集成电路测试探针暨中国大陆营运总部等项目在列。
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SCMs|氮掺杂单层石墨烯上无中间层沉积高质量氮化镓
证明了通过界面调控可在氮掺杂石墨烯上生长高质量的氮化镓薄膜,是一种有效的原子调控方法。本方法为新型半导体器件的工业发展提供了新思路。
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说说石墨烯那些高端应用(二)——石墨烯晶体管
但是,对于普通的石墨烯晶体管,由于具有较小的开关比,很难用于逻辑器件的制备。而场效应管(FET, field-effect transistor)具有高开关比,是一种利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件,它是数字和模拟集成电路中占主导作用的元件,也是常见的功率器件。
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基于二维材料的隧穿场效应晶体管
这篇综述介绍了各种基于二维半导体的场效应晶体管的逐步发展及其相对优势和设计挑战。与最先进的三维纳米级场效应晶体管相比,这些纳米级二维场效应晶体管在不影响操作速度的情况下,可以显著改善功耗。此外,通过适当的设计优化,这些纳米级二维场效应晶体管可以取代CMOS性能,实现低功耗、高性能设计。
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延世大学Seongil Im团队Small Science:利用多层石墨烯接触测量双极性二维半导体的带隙
作者表示:通过对多种过渡金属二硫族化物进行测量,并比对光致发光、I-V曲线的结果以及文献报道的数值,可以证明这种场效应晶体管测量二维半导体材料带隙的准确度较高;除了探针和常规的电学测量仪器,该方法不需要任何大型设备和复杂操作,因此可以用于多层、大厚度的二维半导体材料的带隙估计。
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陕西科大《Carbon》:石英衬底工艺上制备石墨烯叉指电极膜,用于高性能钙钛矿基光电探测器
综上所述,本文设计了由液态油相和固相碳源组成的ONCS,用于在石英衬底上直接生长石墨烯膜。图案化的ONCS薄膜的煅烧可以直接在石英衬底上图案化石墨烯薄膜。此外,石墨烯叉指电极在获得高性能钙钛矿基光电探测器方面具有巨大的潜力,取代了商用金叉指电极。