晶体管

  • 韩国科学技术院和北京理工大学Shoujun Zheng等–具有磁化石墨烯的自旋选择性薄膜晶体管

    我们报告了一种在反应性反铁磁材料 CrI 3上具有磁化单层石墨烯的自旋选择性薄膜晶体管。石墨烯和CrI 3原子层之间的自旋相关杂化使得单层石墨烯中的自旋选择性带隙打开以及特定CrI 3层中磁化的电场控制成为可能。我们的第一性原理计算和运输数据的理论分析阐明了微观工作原理。我们通过电气手段对磁邻近效应进行微妙的操纵,实现了可靠的记忆晶体管操作(即存储器和逻辑器件组合操作)以及磁化石墨烯中朗道能级的自旋选择性探针。

    2024年1月25日 科研进展
    22300
  • InBrain Neuroelectronics公司提出基于新型石墨烯晶体管的脑机接口

    Gpht-BCI不仅解决了当前BCI的局限性,还为进入BCI市场提供了一个战略性商业模式。它分为两个阶段推出产品,首先是神经手术前和术中急性脑图谱。第二阶段的目标是向具有超高分辨率解码能力的慢性 BCI 发展。其目标是帕金森病、癫痫和中风等神经学领域。

    2024年1月12日
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  • 研究人员将煤炭转化为下一代电子设备使用的高纯度材料

    研究小组在基于半金属石墨烯或半导体二硫化钼的二维晶体管中使用煤炭衍生的碳层作为栅极电介质,使设备的运行速度提高了两倍多,同时能耗更低。与其他原子级薄材料一样,煤炭衍生的碳层不存在”悬空键”或与化学键无关的电子。传统的三维绝缘体表面存在大量的这些位点,它们通过有效地发挥”陷阱”的作用而改变了绝缘体的电气特性,减缓了移动电荷的传输速度,从而降低了晶体管的开关速度。

    2024年1月7日
    26000
  • 水镁石-石墨烯复合材料:为纳米电子革命铺平道路

    这项研究标志着具有定制电子和物理特性的 2D 材料设计取得了重大进步。它开辟了石墨烯在光电和微电子领域应用的新领域,克服了石墨烯零带隙带来的限制。它还为进一步研究和实验可用于类似异质结构的其他潜在二维材料奠定了基础。由于水镁石-石墨烯复合材料的潜力,纳米电子学的未来现在似乎正处于一场革命的风口浪尖。

    2023年12月29日
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  • 新型类脑晶体管模仿人类智能 晶体管在室温下执行节能联想学习

    对于新设备,研究人员结合了两种不同类型的原子薄材料:双层石墨烯和六方氮化硼。当堆叠并有目的地扭曲时,这些材料形成了莫尔图案。通过相对于另一层旋转一层,研究人员可以在每个石墨烯层中实现不同的电子特性,即使它们仅由原子级尺寸分开。通过正确选择扭曲,研究人员利用摩尔纹物理学在室温下实现神经形态功能。

    科研进展 2023年12月25日
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  • 生物芯片业务扩大到包括西班牙的代工厂

    Archer 将新的 Biochip gFET 设计发送给西班牙的一家代工合作伙伴,通过四英寸整片晶圆进行制造。 gFET 采用适合液体多路复用的结构设计,比以前的芯片功能(包括选通和通道定义)有所进步。

    2023年12月19日
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  • 韩国仁荷大学Young Tack Lee等人:负微分跨导电路中的石墨烯桥异质结器件

    本文展示了由横向串联双极半导体/石墨烯(Gr)桥/n型二硫化钼(MoS₂)组成的Gr桥异质结构器件,作为场效应晶体管(FET)的通道材料。与传统的FET不同,该Gr桥器件表现出非经典的传输特性(驼峰传输曲线),因此具有负微分跨导。多值逻辑逆变器和频率三倍器电路的应用,表明了窄带隙、宽带隙材料的双极半导体在基于非经典传输特性电路中的应用潜力。

    2023年12月17日 科研进展
    25400
  • 石墨烯场效应晶体管

    狄拉克点是 gFET 传感中的关键概念,因为它代表石墨烯价带和导带的交汇点。环境的变化,例如掺杂、分子吸附或与其他材料的相互作用,可以改变狄拉克点的位置。这种敏感性使得 gFET 对外部刺激具有高度响应性。

    2023年12月14日
    31200
  • 服务地方发展,提升职教服务产业“硬”实力

    “中心主要围绕新一代半导体产业以及前沿新材料产业发展存在的问题,建设碳基低维半导体材料及器件创新平台,开展以石墨烯薄膜为主的碳基低维半导体材料及其相关器件的产品开发、产品封装及其技术支持、技术转化等方面的研究,着力提升自主研发能力,促进地方半导体企业掌握自主知识产权的核心技术。”江苏省碳基低维半导体材料及器件工程研究中心殷明说。

    2023年12月5日
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  • 基于二维材料的印刷式晶体管

    制备基于二维材料的印刷式晶体管的方法多种多样,包括溶液处理法、机械剥离法、化学气相沉积(CVD)和机械外延法。这些方法各具特点,可以根据应用需求选择合适的制备方法。例如,溶液处理法适用于大规模生产,而机械剥离法则适用于研究和实验室规模的应用。基于二维材料的印刷式晶体管不仅具有高度可控的薄膜制备优势,还具有卓越的电子性能,包括高电导率、低功耗和柔性性质。

    2023年12月2日
    28700
  • 半导体工艺的极限:1nm之战

    台积电表示,当制作不同宽度的互连原型并将其电阻与铜互连进行比较时,发现宽度为15nm或更小的石墨烯互连的电阻率低于铜互连的电阻率。石墨烯的接触电阻率也比铜低四个数量级。将金属离子嵌入石墨烯中可以改善互连的电性能,使其成为下一代互连的有前途的材料。IMEC则认为石墨烯和金属的混合结构,非常有希望成为1nm的候选者。此外,IMEC也在考虑钌 (Ru)作为铜互连的替代品。

    2023年12月2日 研报资料
    28900
  • ​意大利技术研究所Camilla Coletti等–基于化学气相沉积石墨烯的高灵敏度霍尔传感器

    在这项工作中,本研究展示了通过采用单层单晶化学气相沉积(CVD)石墨烯阵列制造的高灵敏度和可扩展的霍尔传感器。

    2023年11月28日
    29000
  • 这种无线手持式非侵入性设备可检测阿尔茨海默氏症和帕金森氏症生物标志物 下一步包括使用生物传感器测试唾液和尿液样本 发布日期

    2023年PNAS研究中描述的设备由带有高灵敏度晶体管(通常称为场效应晶体管 (FET))的芯片组成。在这种情况下,每个晶体管由单原子厚的石墨烯层(GFET,G代表石墨烯)和三个电极(源极和漏极)组成,连接到电池的正极和负极,以流动电流,以及控制电流量的栅电极。

    2023年11月16日
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  • Nano Res.[催化]│苏州大学迟力峰课题组:3D打印氧化石墨烯栅电极构建高性能有机电化学晶体管

    利用基于挤压的3D打印技术可制造具有独立棒状结构氧化石墨烯电极。为了测试打印电极性能,将打印栅电极用于顶栅OECTs结构中,和基于Ag/AgCl的器件比较跨导、快速开关和稳定性等电学性能。随后改变器件结构为平面,测试石墨烯电极有机电化学晶体管在心电记录上的应用,以验证打印电极在器件信噪比、灵敏度上的贡献。

    2023年11月6日
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  • 慧海拾贝 | 采用石墨烯-金属纳米槽网络混合结构具有高性能的可拉伸透明电极

    文中使用石墨烯-金属槽混合纳米材料作为场效应晶体管传感器件的源漏电极,石墨烯作为导电沟道,制备了薄膜柔性晶体管,并且经过试验测试,传感器具备极强的可拉伸性(>20%),可重复性,以及透明性,适合装配于人体或者贴于人体表面,用来检测生理参数,甚至隐形眼镜中用于生理检测,对隐形眼镜传感器件的制备具有指导意义。

    2023年10月27日 科研进展
    34000
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