晶体管

  • 2DSPIN-TECH:创造回忆的新地平线欧洲项目

    2D异质结构非易失性自旋存储器技术项目,也称为2DSPIN-TECH,将使用2D量子材料及其异质结构来开发基于自旋电子学的存储器件。为了实现这一目标,该项目汇集了欧洲自旋电子学和二维材料领域的先驱和世界领先的实验和理论研究人员以及一家公司。

    2024年3月4日
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  • 石墨烯,半导体的“野心家”

    传统硅基集成电路产业赖以生存的摩尔定律日益逼近物理极限,带来产学界对于集成电路产业未来发展的担忧。这一背景下,石墨烯因具备优异的电学特性、导热性等优势,而被视为有望取代硅基材料的后备材料之一。

    访谈评论 2024年3月1日
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  • Archer参加 2024 年澳大利亚量子大会,为行业研究添砖加瓦

    Archer公司在石墨烯场效应晶体管(gFET)设计(生物芯片的传感器)的开发方面也取得了扎实的进展。我们分别在德国和荷兰的代工厂通过多项目晶圆运行和整体晶圆运行验证了两种不同的石墨烯场效应晶体管设计。这些验证有助于生物芯片未来的生产准备。我们还向西班牙的一家代工厂提交了 gFET 的另一种设计,以提高技术开发流程的效率。与此同时,我们还展示了一个芯片上四个 gFET 传感器的多路复用功能,这将使生物芯片能够同时测试多个液体样本。

    产业新闻 2024年2月28日
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  • 安徽大学材料科学与工程学院Xiaofen Xu等–石墨烯量子点优化全溶液驱动α-InGaZnO薄膜晶体管的电学性能和稳定性

    为了证明α-IGZO TFTs在逻辑电路中的潜在应用,集成了基于GQDs-IGZO/ZrOx的电阻负载单极逆变器,具有良好的动态性能和9.3的高增益. GQDs-IGZO/ZrOx TFTs的低频噪声(LFN)特性表明,迁移率的波动是噪声源。基于所有实验结果,可以得出结论,溶液处理的GQDs-IGZO/ZrOx TFT在光电子学方面具有广阔的应用前景。

    2024年2月18日 科研进展
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  • 韩国科学技术院和北京理工大学Shoujun Zheng等–具有磁化石墨烯的自旋选择性薄膜晶体管

    我们报告了一种在反应性反铁磁材料 CrI 3上具有磁化单层石墨烯的自旋选择性薄膜晶体管。石墨烯和CrI 3原子层之间的自旋相关杂化使得单层石墨烯中的自旋选择性带隙打开以及特定CrI 3层中磁化的电场控制成为可能。我们的第一性原理计算和运输数据的理论分析阐明了微观工作原理。我们通过电气手段对磁邻近效应进行微妙的操纵,实现了可靠的记忆晶体管操作(即存储器和逻辑器件组合操作)以及磁化石墨烯中朗道能级的自旋选择性探针。

    2024年1月25日 科研进展
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  • InBrain Neuroelectronics公司提出基于新型石墨烯晶体管的脑机接口

    Gpht-BCI不仅解决了当前BCI的局限性,还为进入BCI市场提供了一个战略性商业模式。它分为两个阶段推出产品,首先是神经手术前和术中急性脑图谱。第二阶段的目标是向具有超高分辨率解码能力的慢性 BCI 发展。其目标是帕金森病、癫痫和中风等神经学领域。

    2024年1月12日
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  • 研究人员将煤炭转化为下一代电子设备使用的高纯度材料

    研究小组在基于半金属石墨烯或半导体二硫化钼的二维晶体管中使用煤炭衍生的碳层作为栅极电介质,使设备的运行速度提高了两倍多,同时能耗更低。与其他原子级薄材料一样,煤炭衍生的碳层不存在”悬空键”或与化学键无关的电子。传统的三维绝缘体表面存在大量的这些位点,它们通过有效地发挥”陷阱”的作用而改变了绝缘体的电气特性,减缓了移动电荷的传输速度,从而降低了晶体管的开关速度。

    2024年1月7日
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  • 水镁石-石墨烯复合材料:为纳米电子革命铺平道路

    这项研究标志着具有定制电子和物理特性的 2D 材料设计取得了重大进步。它开辟了石墨烯在光电和微电子领域应用的新领域,克服了石墨烯零带隙带来的限制。它还为进一步研究和实验可用于类似异质结构的其他潜在二维材料奠定了基础。由于水镁石-石墨烯复合材料的潜力,纳米电子学的未来现在似乎正处于一场革命的风口浪尖。

    2023年12月29日
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  • 新型类脑晶体管模仿人类智能 晶体管在室温下执行节能联想学习

    对于新设备,研究人员结合了两种不同类型的原子薄材料:双层石墨烯和六方氮化硼。当堆叠并有目的地扭曲时,这些材料形成了莫尔图案。通过相对于另一层旋转一层,研究人员可以在每个石墨烯层中实现不同的电子特性,即使它们仅由原子级尺寸分开。通过正确选择扭曲,研究人员利用摩尔纹物理学在室温下实现神经形态功能。

    科研进展 2023年12月25日
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  • 生物芯片业务扩大到包括西班牙的代工厂

    Archer 将新的 Biochip gFET 设计发送给西班牙的一家代工合作伙伴,通过四英寸整片晶圆进行制造。 gFET 采用适合液体多路复用的结构设计,比以前的芯片功能(包括选通和通道定义)有所进步。

    2023年12月19日
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  • 韩国仁荷大学Young Tack Lee等人:负微分跨导电路中的石墨烯桥异质结器件

    本文展示了由横向串联双极半导体/石墨烯(Gr)桥/n型二硫化钼(MoS₂)组成的Gr桥异质结构器件,作为场效应晶体管(FET)的通道材料。与传统的FET不同,该Gr桥器件表现出非经典的传输特性(驼峰传输曲线),因此具有负微分跨导。多值逻辑逆变器和频率三倍器电路的应用,表明了窄带隙、宽带隙材料的双极半导体在基于非经典传输特性电路中的应用潜力。

    2023年12月17日 科研进展
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  • 石墨烯场效应晶体管

    狄拉克点是 gFET 传感中的关键概念,因为它代表石墨烯价带和导带的交汇点。环境的变化,例如掺杂、分子吸附或与其他材料的相互作用,可以改变狄拉克点的位置。这种敏感性使得 gFET 对外部刺激具有高度响应性。

    研报资料 2023年12月14日
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  • 服务地方发展,提升职教服务产业“硬”实力

    “中心主要围绕新一代半导体产业以及前沿新材料产业发展存在的问题,建设碳基低维半导体材料及器件创新平台,开展以石墨烯薄膜为主的碳基低维半导体材料及其相关器件的产品开发、产品封装及其技术支持、技术转化等方面的研究,着力提升自主研发能力,促进地方半导体企业掌握自主知识产权的核心技术。”江苏省碳基低维半导体材料及器件工程研究中心殷明说。

    2023年12月5日
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  • 基于二维材料的印刷式晶体管

    制备基于二维材料的印刷式晶体管的方法多种多样,包括溶液处理法、机械剥离法、化学气相沉积(CVD)和机械外延法。这些方法各具特点,可以根据应用需求选择合适的制备方法。例如,溶液处理法适用于大规模生产,而机械剥离法则适用于研究和实验室规模的应用。基于二维材料的印刷式晶体管不仅具有高度可控的薄膜制备优势,还具有卓越的电子性能,包括高电导率、低功耗和柔性性质。

    2023年12月2日
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  • 半导体工艺的极限:1nm之战

    台积电表示,当制作不同宽度的互连原型并将其电阻与铜互连进行比较时,发现宽度为15nm或更小的石墨烯互连的电阻率低于铜互连的电阻率。石墨烯的接触电阻率也比铜低四个数量级。将金属离子嵌入石墨烯中可以改善互连的电性能,使其成为下一代互连的有前途的材料。IMEC则认为石墨烯和金属的混合结构,非常有希望成为1nm的候选者。此外,IMEC也在考虑钌 (Ru)作为铜互连的替代品。

    2023年12月2日 研报资料
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