晶体管

  • 前沿院新型石墨烯电双层晶体管工作发表于Adv. Funct. Mater.

    南京航空航天大学郭万林院士团队刘衍朋教授课题组开发出一种高品质石墨烯/磷烯双栅极晶体管(electric double-layer transistor),详细研究了石墨烯电双层晶体管的输运特性,对比微观能谱,构造了电双层晶体管的场效应模型,并观察到了电荷转移量子霍尔效应,不仅为晶体管设计提供了新路径,也为介电材料选择打开了新视野。

    2024年4月10日
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  • 清华大学任天令/田禾等综述:基于二维材料的器件及芯片技术发展路线

    首先详细介绍了材料合成技术和包括器件结构、介电和接触工程以及材料转移在内的晶体管制造工艺。然后讨论了典型芯片领域的二维晶体管应用现状,包括数字和模拟电路、异构集成芯片和传感电路。此外,还介绍了基于特定机制器件的几种有前景的新兴应用方向(人工智能芯片和量子芯片)。最后,分析了二维材料在实现电路级或系统级应用时遇到的挑战,并进一步推测和展望了潜在的发展路线。

    2024年4月9日 科研进展
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  • 《Angew》:电极连接控制单分子晶体管的传输机制

    在本文工作中,研究者提出了一项系统的实验研究,研究了分子电极化学对一组更大的基于石墨烯的单分子器件(~1200个器件)的影响,这些器件在三端晶体管几何结构中具有相同的卟啉核心(图1a-c)。研究展示了Γ与界面性质之间的相关性,并展示了对电荷传输机制的影响,为制造的挑战和设计策略提供了见解。

    2024年4月1日 科研进展
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  • 极端制造 | 二维多功能器件:从材料制备到器件制造和神经形态应用

    该综述系统介绍了二维材料的特性和制备,讨论了多种二维神经形态器件以及总结其应用的最新进展,包括神经形态视觉系统、听觉系统、触觉系统和痛觉系统等,并展望了开发二维神经形态器件所面临的机遇与挑战。

    2024年3月27日 科研进展
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  • Archer 开发出新型 p-ESR 芯片,并将其 Biochip gFET 小型化

    在本月,Archer 设计了一种微型化的 Biochip 石墨烯场效应晶体管 (gFET) 芯片,供商业代工厂制造。研究小组通过重新设计产生 gFET 晶体管的电路布局,缩小了芯片的总尺寸,而 gFET 晶体管则起到传感器的作用。每个芯片包含多个 gFET。

    产业新闻 2024年3月27日
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  • 晶体管!牛津大学Nature Nanotechnology!

    本论文作者科研团队早先发明了使用石墨烯作为源漏极构筑单分子晶体管的技术,使得引入与现有CMOS晶体管集成电路高度兼容的静电门控成为可能,并且可以在单分子器件中对QI进行测量。另外, 石墨烯态密度与分子轨道耦合后产生的新量子效应可用于进一步增强器件性能。

    2024年3月26日 科研进展
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  • 《自然-通讯》(Nature Communications)杂志就如何测量二维材料的附着力发表新文章

    发表在《自然-通讯》(Nature Communications)上的论文不仅报道了聚合物button的制作细节,以及为测量二维材料(尤其是石墨烯、六方氮化硼、二硫化钼和二硒化钨)在二氧化硅和氮化硅基底上的附着力而开发的方法,而且还表明该方法可以评估不同样品处理对附着力的影响,为进一步优化提供了重要见解。

    2024年3月21日
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  • Archer Materials 使生物芯片 gFET 芯片设计小​​型化

    该芯片将由总部位于荷兰的 Applied Nanolayers (“ANL”) 制造,该公司已经制造了 Archer 的 gFET 的早期设计。独立于 ANL 的晶圆运行,Archer 还将 gFET 设计发送到西班牙的一家代工厂进行制造,预计在 2024 年上半年交付。

    产业新闻 2024年3月15日
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  • Anal. Chem.:一种药物分子修饰的石墨烯场效应晶体管纳米传感器用于快速,免标记,超灵敏检测雌激素受体α蛋白

    近期,湖北中医药大学张国军教授课题组、武汉大学周海兵教授课题组和北京大学张志勇教授课题组合作报道了一种药物分子修饰的石墨烯场效应晶体管纳米传感器用于快速,免标记,超灵敏检测ERα蛋白。

    2024年3月9日
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  • 用于先进疗法的基于石墨烯晶体管的生物传感器

    一方面,第一阶段是连接分子的功能化,已使用不同的程序定义了三个模型分子。这些分子已用于研究它们与石墨烯的非共价反应及其功能。在第二阶段,基于特定细胞因子适体(生物受体)的选择,开发并表征了它们通过连接体在石墨烯上的固定化。

    2024年3月7日
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  • 物理系张金松课题组在可重构神经形态器件方面取得进展

    近期,物理系张金松课题组提出了一种基于氢离子调控的石墨烯晶体管器件,利用在栅极电压和源漏电压的联合调控下石墨烯与氢离子的可逆氢化反应,使器件具有忆阻开关的I-V特性,并且可以通过应用不同的栅极电压有效地控制器件在非易失和易失性开关模式间进行可逆切换(如图1所示)。

    2024年3月5日
    20200
  • 2DSPIN-TECH:创造回忆的新地平线欧洲项目

    2D异质结构非易失性自旋存储器技术项目,也称为2DSPIN-TECH,将使用2D量子材料及其异质结构来开发基于自旋电子学的存储器件。为了实现这一目标,该项目汇集了欧洲自旋电子学和二维材料领域的先驱和世界领先的实验和理论研究人员以及一家公司。

    2024年3月4日
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  • 石墨烯,半导体的“野心家”

    传统硅基集成电路产业赖以生存的摩尔定律日益逼近物理极限,带来产学界对于集成电路产业未来发展的担忧。这一背景下,石墨烯因具备优异的电学特性、导热性等优势,而被视为有望取代硅基材料的后备材料之一。

    访谈评论 2024年3月1日
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  • Archer参加 2024 年澳大利亚量子大会,为行业研究添砖加瓦

    Archer公司在石墨烯场效应晶体管(gFET)设计(生物芯片的传感器)的开发方面也取得了扎实的进展。我们分别在德国和荷兰的代工厂通过多项目晶圆运行和整体晶圆运行验证了两种不同的石墨烯场效应晶体管设计。这些验证有助于生物芯片未来的生产准备。我们还向西班牙的一家代工厂提交了 gFET 的另一种设计,以提高技术开发流程的效率。与此同时,我们还展示了一个芯片上四个 gFET 传感器的多路复用功能,这将使生物芯片能够同时测试多个液体样本。

    产业新闻 2024年2月28日
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  • 安徽大学材料科学与工程学院Xiaofen Xu等–石墨烯量子点优化全溶液驱动α-InGaZnO薄膜晶体管的电学性能和稳定性

    为了证明α-IGZO TFTs在逻辑电路中的潜在应用,集成了基于GQDs-IGZO/ZrOx的电阻负载单极逆变器,具有良好的动态性能和9.3的高增益. GQDs-IGZO/ZrOx TFTs的低频噪声(LFN)特性表明,迁移率的波动是噪声源。基于所有实验结果,可以得出结论,溶液处理的GQDs-IGZO/ZrOx TFT在光电子学方面具有广阔的应用前景。

    2024年2月18日 科研进展
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