晶体管
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用于先进疗法的基于石墨烯晶体管的生物传感器
一方面,第一阶段是连接分子的功能化,已使用不同的程序定义了三个模型分子。这些分子已用于研究它们与石墨烯的非共价反应及其功能。在第二阶段,基于特定细胞因子适体(生物受体)的选择,开发并表征了它们通过连接体在石墨烯上的固定化。
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物理系张金松课题组在可重构神经形态器件方面取得进展
近期,物理系张金松课题组提出了一种基于氢离子调控的石墨烯晶体管器件,利用在栅极电压和源漏电压的联合调控下石墨烯与氢离子的可逆氢化反应,使器件具有忆阻开关的I-V特性,并且可以通过应用不同的栅极电压有效地控制器件在非易失和易失性开关模式间进行可逆切换(如图1所示)。
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2DSPIN-TECH:创造回忆的新地平线欧洲项目
2D异质结构非易失性自旋存储器技术项目,也称为2DSPIN-TECH,将使用2D量子材料及其异质结构来开发基于自旋电子学的存储器件。为了实现这一目标,该项目汇集了欧洲自旋电子学和二维材料领域的先驱和世界领先的实验和理论研究人员以及一家公司。
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石墨烯,半导体的“野心家”
传统硅基集成电路产业赖以生存的摩尔定律日益逼近物理极限,带来产学界对于集成电路产业未来发展的担忧。这一背景下,石墨烯因具备优异的电学特性、导热性等优势,而被视为有望取代硅基材料的后备材料之一。
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Archer参加 2024 年澳大利亚量子大会,为行业研究添砖加瓦
Archer公司在石墨烯场效应晶体管(gFET)设计(生物芯片的传感器)的开发方面也取得了扎实的进展。我们分别在德国和荷兰的代工厂通过多项目晶圆运行和整体晶圆运行验证了两种不同的石墨烯场效应晶体管设计。这些验证有助于生物芯片未来的生产准备。我们还向西班牙的一家代工厂提交了 gFET 的另一种设计,以提高技术开发流程的效率。与此同时,我们还展示了一个芯片上四个 gFET 传感器的多路复用功能,这将使生物芯片能够同时测试多个液体样本。
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安徽大学材料科学与工程学院Xiaofen Xu等–石墨烯量子点优化全溶液驱动α-InGaZnO薄膜晶体管的电学性能和稳定性
为了证明α-IGZO TFTs在逻辑电路中的潜在应用,集成了基于GQDs-IGZO/ZrOx的电阻负载单极逆变器,具有良好的动态性能和9.3的高增益. GQDs-IGZO/ZrOx TFTs的低频噪声(LFN)特性表明,迁移率的波动是噪声源。基于所有实验结果,可以得出结论,溶液处理的GQDs-IGZO/ZrOx TFT在光电子学方面具有广阔的应用前景。
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韩国科学技术院和北京理工大学Shoujun Zheng等–具有磁化石墨烯的自旋选择性薄膜晶体管
我们报告了一种在反应性反铁磁材料 CrI 3上具有磁化单层石墨烯的自旋选择性薄膜晶体管。石墨烯和CrI 3原子层之间的自旋相关杂化使得单层石墨烯中的自旋选择性带隙打开以及特定CrI 3层中磁化的电场控制成为可能。我们的第一性原理计算和运输数据的理论分析阐明了微观工作原理。我们通过电气手段对磁邻近效应进行微妙的操纵,实现了可靠的记忆晶体管操作(即存储器和逻辑器件组合操作)以及磁化石墨烯中朗道能级的自旋选择性探针。
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InBrain Neuroelectronics公司提出基于新型石墨烯晶体管的脑机接口
Gpht-BCI不仅解决了当前BCI的局限性,还为进入BCI市场提供了一个战略性商业模式。它分为两个阶段推出产品,首先是神经手术前和术中急性脑图谱。第二阶段的目标是向具有超高分辨率解码能力的慢性 BCI 发展。其目标是帕金森病、癫痫和中风等神经学领域。
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研究人员将煤炭转化为下一代电子设备使用的高纯度材料
研究小组在基于半金属石墨烯或半导体二硫化钼的二维晶体管中使用煤炭衍生的碳层作为栅极电介质,使设备的运行速度提高了两倍多,同时能耗更低。与其他原子级薄材料一样,煤炭衍生的碳层不存在”悬空键”或与化学键无关的电子。传统的三维绝缘体表面存在大量的这些位点,它们通过有效地发挥”陷阱”的作用而改变了绝缘体的电气特性,减缓了移动电荷的传输速度,从而降低了晶体管的开关速度。
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水镁石-石墨烯复合材料:为纳米电子革命铺平道路
这项研究标志着具有定制电子和物理特性的 2D 材料设计取得了重大进步。它开辟了石墨烯在光电和微电子领域应用的新领域,克服了石墨烯零带隙带来的限制。它还为进一步研究和实验可用于类似异质结构的其他潜在二维材料奠定了基础。由于水镁石-石墨烯复合材料的潜力,纳米电子学的未来现在似乎正处于一场革命的风口浪尖。
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新型类脑晶体管模仿人类智能 晶体管在室温下执行节能联想学习
对于新设备,研究人员结合了两种不同类型的原子薄材料:双层石墨烯和六方氮化硼。当堆叠并有目的地扭曲时,这些材料形成了莫尔图案。通过相对于另一层旋转一层,研究人员可以在每个石墨烯层中实现不同的电子特性,即使它们仅由原子级尺寸分开。通过正确选择扭曲,研究人员利用摩尔纹物理学在室温下实现神经形态功能。
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生物芯片业务扩大到包括西班牙的代工厂
Archer 将新的 Biochip gFET 设计发送给西班牙的一家代工合作伙伴,通过四英寸整片晶圆进行制造。 gFET 采用适合液体多路复用的结构设计,比以前的芯片功能(包括选通和通道定义)有所进步。
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韩国仁荷大学Young Tack Lee等人:负微分跨导电路中的石墨烯桥异质结器件
本文展示了由横向串联双极半导体/石墨烯(Gr)桥/n型二硫化钼(MoS₂)组成的Gr桥异质结构器件,作为场效应晶体管(FET)的通道材料。与传统的FET不同,该Gr桥器件表现出非经典的传输特性(驼峰传输曲线),因此具有负微分跨导。多值逻辑逆变器和频率三倍器电路的应用,表明了窄带隙、宽带隙材料的双极半导体在基于非经典传输特性电路中的应用潜力。
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石墨烯场效应晶体管
狄拉克点是 gFET 传感中的关键概念,因为它代表石墨烯价带和导带的交汇点。环境的变化,例如掺杂、分子吸附或与其他材料的相互作用,可以改变狄拉克点的位置。这种敏感性使得 gFET 对外部刺激具有高度响应性。
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服务地方发展,提升职教服务产业“硬”实力
“中心主要围绕新一代半导体产业以及前沿新材料产业发展存在的问题,建设碳基低维半导体材料及器件创新平台,开展以石墨烯薄膜为主的碳基低维半导体材料及其相关器件的产品开发、产品封装及其技术支持、技术转化等方面的研究,着力提升自主研发能力,促进地方半导体企业掌握自主知识产权的核心技术。”江苏省碳基低维半导体材料及器件工程研究中心殷明说。