晶体管

课题组成员吴雅苹博士开发出大尺度石墨烯单晶，它能克服传统透明电极材料对深紫外光吸收强的弱点，为深紫外光电集成提供了一种可选的电极材料。

8月28日，记者从中科院上海微系统所获悉，该所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法，在锗衬底上直接制备出大面积、均匀的、高质量单层石墨烯。相关成果日前发表于《自然》杂志子刊《科学报告》。

日前，一支由美国德克萨斯州大学的科学家组成的研究小组发现了改变未来的关键——软质塑料上的超高速石墨烯电晶体(graphene transistors)。

与当前所采用的材料相比，石墨烯晶体管有着不可思议的速度；但是也有一个要命的问题，因为——它不能被”关上”。如果试图拿石墨烯材料做开关的话，这就是问题所在。

科学家利用双层石墨烯研发了这款辐射热测量计。石墨烯具有完全零能耗的带隙，因此其能吸收任何能量形式的光子，特别是能量极低的光子，如太赫兹或红外及亚毫米波等。所谓光子带隙是指某一频率范围的波不能在此周期性结构中传播，即这种结构本身存在“禁带”。光子带隙结构能使某些波段的电磁波完全不能在其中传播，于是在频谱上形成带隙。

唐爽，此次找到了另外一种合金材料“铋锑合金薄膜”，它不仅具有多数石墨烯的特殊性质，还有一些更为复杂和有趣的特殊功能和性质。比如，一旦这种材料制成电脑芯片，其速度将会比现有硅材料的芯片快很多倍，电子在这种新材料中的传播速度将比在硅中快几百倍。科学界预计，这种铋锑合金薄膜材料极为可能成为下一代计算机芯片和热电发电机的革命性材料。

2011年6月，IBM托马斯·沃森研究中心的科学家在《科学》上发文宣布，他们研制出了首款由石墨烯圆片制成的集成电路，向开发石墨烯计算机芯片前进了一大步。这块集成电路建立在一块碳化硅上，并且由一些石墨烯场效应晶体管组成。最新的石墨烯集成电路混频最多可达10千兆赫兹，而且可以承受125℃的高温。这块集成电路还可以运行得更快，未来可用石墨烯圆片来替代硅晶片。届时，由这类集成电路制成的芯片可以改进手机和无线电收发机的信号，使得手机或许能在通常认为无法接收信号的地方工作。