晶体管

范德华异质外延技术可以确定性地控制原子层之间的晶格失配或方位角取向，以产生长波长超晶格。产生的电子相主要取决于超晶格的周期性和引入无序和应变的局部结构变形。近日，加州大学伯克利分校D. Kwabena Bediako等报道了通过布拉格干涉法来捕获扭曲角<2°的扭曲双层石墨烯中的原子位移场。

石墨烯很强，并且具有导热的天赋，因此它已经找到了使智能手机及其电池保持凉爽以及延长运动装备寿命的应用。由于其特性更类似于金或铜等其他导体，因此不太可能替代硅。但是它确实具有许多独特的特性，使其与传统的硅微芯片结合使用时非常有用。

据外媒报道，二维材料引发了材料研究的热潮。现在，当两个这样的层状材料被堆叠并轻微扭曲时就会产生激发效应。石墨烯仅由一层碳原子组成，它的发现是一场全球竞赛的开始信号：今天，所谓的“2D材料”被制造出来，其由不同类型的原子组成。

双方就未来石墨烯在芯片上的使用方向进行广泛深入地探讨，并就深化产业合作等问题交换了意见。台积电考察组表示将以此考察为契机，加强沟通交流，明确合作方向，共同提高，促进双方互利共赢。

过渡金属硫族化合物(TMD)是二维材料家族的重要分支，与石墨烯的零带隙的导体属性不同，部分TMD二维材料是具有带隙的半导体，理论上是将来有望打破硅基芯片垄断的候选材料之一，“相比硅基芯片，TMD二维材料具有更高的载流子迁移率，也有更高的开关比，同时其天然的小尺寸与优越的散热性能，有望让芯片变得更小更快更节能。”

本项研究提出的新型转移方式，解决了二维材料在各类基底的集成电路上构建器件的一个挑战。但是，石墨烯等材料在集成电路产业中的应用仍有缺乏适合的能隙宽度、成本较高、未得到大规模验证等许多其他难题留待解决。

越来越多的研究主要集中在扭曲双层石墨烯的物理性能上，而高质量扭曲双层石墨烯的制备是获得所需性能的先决条件，因为扭曲双层石墨烯的扭转角和界面接触对薄膜的性能有很大的影响。近日，中科院化学所Gui Yu团队针对扭曲双层石墨烯的先进制备策略和制备面临的挑战发表了综述。

据物理学家组织网17日消息，瑞士洛桑联邦理工学院的研究人员通过使用3D气溶胶喷射打印，开发了一种生产高效X射线探测器的新方法。这种新型探测器可以很容易地集成到标准微电子设备中，从而大大提高了医疗成像设备的性能。

斯威本科技大学团队总结归纳了近年来氧化石墨烯薄膜在集成光学器件中的应用，首先总结对比了氧化石墨烯和石墨烯的光学特性，包括线性光学性质和非线性光学性质。然后，详细介绍了氧化石墨烯的化学合成和片上集成制备，并介绍了多种调控含氧官能团的方法。在此基础上，分类总结了含有氧化石墨烯薄膜的集成光学器件，包括太阳能吸收器、光学透镜、全息显示、起偏器、传感器、克尔光学非线性器件、饱和吸收光学器件、发光二极管、光电探测器等。最后，对氧化石墨烯薄膜在集成光学器件中未来的发展方向进行了展望。

弯道超车是将别人走过的路重新更快地走一遍，用几十年走完别人几百年的路。但弯道超车也会面临技术积累不足、发展瓶颈等现实问题，海尔集团董事局主席张瑞敏就曾感叹，弯道的规则是人家定的，在弯道上，人家走在前面，“跟随追赶”模式容易被长期锁定在发达国家跨国公司所主导的全球价值链低端，要挑战诸多困难。

本报告将介绍最近几年我们课题组和合作者在高迁移率二维晶体材料（石墨烯、金属硫氧族半导体）的控制生长方法、制备装备研发与功能器件应用方面的进展。