晶体管

众所周知，单层石墨烯具有优良的电学性能，但是由于其零带隙的特点，目前它在光学方面的应用并不广泛。但极薄碳层具有的独特的光学和电子性质，这使得单层石墨烯在未来有望成为高性能光电器件的重要基础材料。

有鉴于此，魏茨曼科学研究所E. Zeldov等人利用尖端的超导量子干涉装置（SQUID-on-tip）进行纳米尺度的热成像和扫描栅成像，证明了石墨烯边缘常见的电荷积累会导致巨大的非定域性，产生支持长程电流的狭窄导电通道。

范德华异质外延技术可以确定性地控制原子层之间的晶格失配或方位角取向，以产生长波长超晶格。产生的电子相主要取决于超晶格的周期性和引入无序和应变的局部结构变形。近日，加州大学伯克利分校D. Kwabena Bediako等报道了通过布拉格干涉法来捕获扭曲角<2°的扭曲双层石墨烯中的原子位移场。

石墨烯很强，并且具有导热的天赋，因此它已经找到了使智能手机及其电池保持凉爽以及延长运动装备寿命的应用。由于其特性更类似于金或铜等其他导体，因此不太可能替代硅。但是它确实具有许多独特的特性，使其与传统的硅微芯片结合使用时非常有用。

据外媒报道，二维材料引发了材料研究的热潮。现在，当两个这样的层状材料被堆叠并轻微扭曲时就会产生激发效应。石墨烯仅由一层碳原子组成，它的发现是一场全球竞赛的开始信号：今天，所谓的“2D材料”被制造出来，其由不同类型的原子组成。

双方就未来石墨烯在芯片上的使用方向进行广泛深入地探讨，并就深化产业合作等问题交换了意见。台积电考察组表示将以此考察为契机，加强沟通交流，明确合作方向，共同提高，促进双方互利共赢。

过渡金属硫族化合物(TMD)是二维材料家族的重要分支，与石墨烯的零带隙的导体属性不同，部分TMD二维材料是具有带隙的半导体，理论上是将来有望打破硅基芯片垄断的候选材料之一，“相比硅基芯片，TMD二维材料具有更高的载流子迁移率，也有更高的开关比，同时其天然的小尺寸与优越的散热性能，有望让芯片变得更小更快更节能。”

本项研究提出的新型转移方式，解决了二维材料在各类基底的集成电路上构建器件的一个挑战。但是，石墨烯等材料在集成电路产业中的应用仍有缺乏适合的能隙宽度、成本较高、未得到大规模验证等许多其他难题留待解决。

越来越多的研究主要集中在扭曲双层石墨烯的物理性能上，而高质量扭曲双层石墨烯的制备是获得所需性能的先决条件，因为扭曲双层石墨烯的扭转角和界面接触对薄膜的性能有很大的影响。近日，中科院化学所Gui Yu团队针对扭曲双层石墨烯的先进制备策略和制备面临的挑战发表了综述。