晶体管

相关的电子空穴态由于其丰富的本征物理和与超导电性的密切关系而继续受到关注。扭曲范德华材料，包括扭曲双层石墨烯和扭曲双双层石墨烯(TDBG),已被证明可以设计出有利于强相关电子态的莫尔(moiré)波段。当扭曲角度接近1°时，石墨烯多层膜提供了一个了解电子相关物理的窗口。在本研究中，作者试图寻求实现既嵌套又相对狭窄的电子-空穴带。

研究团队通过使用一种高压和热处理的方法将碳纳米管压扁制备亚 10 纳米宽的长的石墨烯纳米带，其具有原子级光滑的闭合边缘。通过该方法，在使用的特定碳纳米管样品中大约 54% 的单壁和双壁碳纳米管可被转化为边缘闭合的石墨烯纳米带。

有鉴于此，印度塔塔基础科学研究所Tharangattu N. Narayanan等通过在单层二硫化钼(MS)上直接无催化剂沉积氟化石墨烯(FG)保护层来解决这个问题，并发现这种原子界面为器件提供了巨大的光响应和化学稳定性。

韩国浦项科技大学Byoung Hun Lee教授等通过用聚乙烯亚胺(PEI)掺杂石墨烯，将石墨烯/p型硅光电探测器的肖特基势垒高度从0.42 eV调制到0.68 eV，成功实现了探测率和暗电流的同时优化。在0.26 eV的势垒高度调制下，暗电流降低了三个数量级，从980 nA到219 pA，与未掺杂的石墨烯/p型硅光电探测器相比，850 nm处的探测率提高了529%。如此显著的性能提升证实，在器件制造之前对石墨烯进行化学掺杂是一种简单而高效的方法，可以提高异质结光电探测器的探测能力。

作者在黑磷（BP）和InSe之间插入石墨烯层的纳米界面，该层抑制层间复合并大大提高了光检测性能。此外，器件的传输特性由石墨烯引起，从少数载流子的扩散运动到多数载流子的漂移运动。这两个原因加上内部的光发射效应，使得基于BP/G/InSe的光电探测器在室温下具有超高的特异性。结果表明，高性能的vdW异质结构光电探测器可通过对异质结界面进行纳米级的简单结构操作来实现。

本文涵盖了通过化学气相沉积 (CVD) 合成晶圆级石墨烯薄膜的最新进展，重点关注主要挑战和现状。特别是，在对 CVD 过程中反应动力学和气相动力学的讨论的基础上，突出了流行的合成策略。

济南大学刘宏教授和张丛丛博士利用还原氧化石墨烯（RGO）易于化学改性以及在不同的组装方式下其电学性能不同的突出优点，引入了（3-氨基丙基）三甲氧基硅烷（APTMS）和5,10,15,20-四（4-氨苯基）-21H，23H-卟啉（TAPP）两种结构及电学性能不同的偶联剂，通过简单的溶液处理技术和一步还原法，制造了两种智能碳材料从而构筑了一种超稳定的全石墨烯FET（AG-FET）。

二维材料和铁电材料的结合是下一代高性能光电器件的一个有吸引力的研究领域。对基于石墨烯的 LiNbO 3光电探测器的研究为下一代多功能、节能和光电应用的发展铺平了道路。