晶体管

  • ​Small:可变带隙纳米多孔石墨烯的表面合成

    调节纳米多孔石墨烯的带隙对于诸如有机杂化器件中的电荷传输层等应用是可取的。该领域的关键是能够合成具有可变孔径和可调带隙的2D纳米多孔石墨烯。有鉴于此,近日,新加坡国立大学Andrew T. S. Wee教授,吴继善教授以及香港理工大学杨明助理教授(共同通讯作者)等合作展示了具有可变带隙的纳米多孔石墨烯的表面合成。

    2021年10月1日 科研进展
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  • AM:2D层状材料中的可控掺杂

    对于每一代半导体来说,掺杂技术问题总是被放在优先事项的首位,其决定了一种材料是否可以用于电子和光电行业。当谈到二维(2D)材料时,在p型或n型中可控地掺杂2D半导体已经面临了巨大的挑战,更不用说实现对这一过程的连续控制了。

    2021年9月27日
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  • ACS Appl. Mater. Interfaces:具有高光响应率和高光电探测率的石墨烯/SnS2范德华光电探测器

    基于Fowler-Nordheim隧穿模型以及泊松和漂移扩散模拟,定量地表明,异质结光电探测器的势垒高度和势垒宽度可以通过激光和外部电场利用界面处俘获的载流子产生的光浮栅效应控制,可用于调节光生载流子的分离和输运。本文的研究结果有望有助于设计高性能范德华异质结光电探测器。

    2021年9月25日 科研进展
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  • 量子材料,更近了

    这次他们成功了。诀窍是把纳米材料六边形氮化硼放在你想要图案的材料上面。然后用特定的蚀刻配方钻孔。六方氮化硼的晶体可以蚀刻,这样在顶部绘制的图案就会在底部变成一个更小、更锋利的版本。相关论文日前刊登于《美国化学会—应用材料和界面》。

    2021年9月14日
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  • 七年磨一剑一朝显锋芒 中国科大少年班校友周昊欣一天连发两篇Nature

    2015年,周昊欣从中国科大少年班毕业后,直博加州大学圣巴巴拉分校。此后几年并未发表过第一作者身份的论文,但他通过长时间坚持不懈地探索与努力,让世界都看到了他的研究成果。

    科研进展 2021年9月12日
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  • 原子般薄的扭曲石墨烯具有独特的特性 可以推动量子计算的发展

    研究人员能够检测到电子和光学层间共振,并发现在这些共振状态下,电子在2D界面上以相同的频率来回移动。他们的结果还表明,在扭曲的配置中,两层之间的距离明显增加,这影响了电子如何因为层间相互作用而移动。他们还发现,将其中一个石墨烯层扭曲30°也会将共振转移到一个较低的能量上去。用旋转的石墨烯制成的设备可能具有非常有趣和意想不到的特性,因为电子可以在其中移动的层间间距增加。

    2021年9月12日
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  • 石墨烯最新Science

    相关的电子空穴态由于其丰富的本征物理和与超导电性的密切关系而继续受到关注。扭曲范德华材料,包括扭曲双层石墨烯和扭曲双双层石墨烯(TDBG),已被证明可以设计出有利于强相关电子态的莫尔(moiré)波段。当扭曲角度接近1°时,石墨烯多层膜提供了一个了解电子相关物理的窗口。在本研究中,作者试图寻求实现既嵌套又相对狭窄的电子-空穴带。

    2021年9月10日 产业新闻
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  • 迈向石墨烯半导体!上海交大教授制备原子级光滑的闭合边缘石墨烯纳米带,宽度可小至亚5纳米 | 专访

    研究团队通过使用一种高压和热处理的方法将碳纳米管压扁制备亚 10 纳米宽的长的石墨烯纳米带,其具有原子级光滑的闭合边缘。通过该方法,在使用的特定碳纳米管样品中大约 54% 的单壁和双壁碳纳米管可被转化为边缘闭合的石墨烯纳米带。

    2021年9月8日 科研进展
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  • Mater. Today:在无转移生长的氟化石墨烯-MoS2异质结超稳定晶体管中实现巨大光响应率

    有鉴于此,印度塔塔基础科学研究所Tharangattu N. Narayanan等通过在单层二硫化钼(MS)上直接无催化剂沉积氟化石墨烯(FG)保护层来解决这个问题,并发现这种原子界面为器件提供了巨大的光响应和化学稳定性。

    2021年9月5日 科研进展
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  • 中国工程院院士周济:半导体近期发展还要最大程度基于硅基材料

    在集成电路产业的发展历程中,材料起到了至关重要的支撑作用。随着后摩尔时代的到来,半导体材料也将迎来天翻地覆的变化。甚至有人表示,硅基材料的潜力将被挖掘殆尽,取而代之的将是碳基亦或其他材料。后摩尔时代,半导体材料究竟怎样发展?会有哪些新的技术出现?近日,中国工程院院士周济在接受《中国电子报》记者专访时,给出了他的答案。

    访谈评论 2021年9月1日
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  • 《自然·通讯》刊发张新亮教授团队高速石墨烯相干光接收机的研究成果

    本文报道的超高速石墨烯相干光接收机,有机结合了石墨烯光电子学、表面等离子体光子学以及硅基光子学的优势,具有大带宽、低功耗、微米量级尺寸等特点,为实现高速、高效率及小型化相干光接收机探索了新的思路,有望在数据中心等下一代高速光互连应用中发挥其独特的竞争力。

    科研进展 2021年8月20日
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  • (经观东西)后摩尔时代,中国机遇几何?

    对硅基材料的替代被业界寄予厚望,如果能够产业化,将是一项颠覆性技术。因为随着芯片制造工艺逼近2纳米,硅基材料芯片的潜力已被挖掘殆尽,启用新的材料被认为是一条根本性解决问题的出路。各国都投入力量进行碳基的碳纳米管、石墨烯的实验,希望掌握后摩尔时代的技术制高点。

    访谈评论 2021年8月3日
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  • 刘忠范院士:我国石墨烯玻璃晶圆氮化物材料外延取得“0到1”的原创性突破

    记者从北京石墨烯研究院获悉,近期中国科学院院士、北京大学/北京石墨烯研究院院长刘忠范、中科院半导体所研究员刘志强、北京大学物理学院研究员高鹏等合作,提出了一种纳米柱辅助的范德华外延方法,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD),国际上首次在玻璃衬底上成功“异构外延”出连续平整的准单晶氮化镓(GaN)薄膜,并制备蓝光发光二极管(LED)。相关成果7月30日发表于《科学》子刊《科学·进展》。

    科研进展 2021年8月1日
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  • Nano Res.│周期性“咬型”缺陷交替石墨烯纳米带的构筑与物性探测

    成功在石墨烯纳米带边缘引入周期性限制,在热退火过程中,可以清楚地观察到中间结构键由C-Au-C金属配位键转变为C-C键,并对脱卤反应和脱氢环化表面反应进行了表征。STS光谱结果表明,所制备新型石墨烯纳米带带隙为1.65 eV。基于密度泛函理论能带结构模拟,我们发现“咬型”缺陷的引入使带隙相较于无缺陷纳米带增大了约0.61 eV。我们的分析揭示了自下向上合成石墨烯纳米带新策略,该策略允许我们获得周期性边缘限制的纳米带,调控边缘的电子和磁性特性,在纳米电子学和自旋电子学具有潜在应用。

    2021年7月19日
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