晶体管

韩国浦项科技大学Byoung Hun Lee教授等通过用聚乙烯亚胺(PEI)掺杂石墨烯，将石墨烯/p型硅光电探测器的肖特基势垒高度从0.42 eV调制到0.68 eV，成功实现了探测率和暗电流的同时优化。在0.26 eV的势垒高度调制下，暗电流降低了三个数量级，从980 nA到219 pA，与未掺杂的石墨烯/p型硅光电探测器相比，850 nm处的探测率提高了529%。如此显著的性能提升证实，在器件制造之前对石墨烯进行化学掺杂是一种简单而高效的方法，可以提高异质结光电探测器的探测能力。

作者在黑磷（BP）和InSe之间插入石墨烯层的纳米界面，该层抑制层间复合并大大提高了光检测性能。此外，器件的传输特性由石墨烯引起，从少数载流子的扩散运动到多数载流子的漂移运动。这两个原因加上内部的光发射效应，使得基于BP/G/InSe的光电探测器在室温下具有超高的特异性。结果表明，高性能的vdW异质结构光电探测器可通过对异质结界面进行纳米级的简单结构操作来实现。

本文涵盖了通过化学气相沉积 (CVD) 合成晶圆级石墨烯薄膜的最新进展，重点关注主要挑战和现状。特别是，在对 CVD 过程中反应动力学和气相动力学的讨论的基础上，突出了流行的合成策略。

济南大学刘宏教授和张丛丛博士利用还原氧化石墨烯（RGO）易于化学改性以及在不同的组装方式下其电学性能不同的突出优点，引入了（3-氨基丙基）三甲氧基硅烷（APTMS）和5,10,15,20-四（4-氨苯基）-21H，23H-卟啉（TAPP）两种结构及电学性能不同的偶联剂，通过简单的溶液处理技术和一步还原法，制造了两种智能碳材料从而构筑了一种超稳定的全石墨烯FET（AG-FET）。

二维材料和铁电材料的结合是下一代高性能光电器件的一个有吸引力的研究领域。对基于石墨烯的 LiNbO 3光电探测器的研究为下一代多功能、节能和光电应用的发展铺平了道路。

近日，厦门大学尹君副教授和李静教授（共同通讯作者）等提出了一种通过碰撞电离效应增强光电流倍增的工程化隧穿层，并在石墨烯/硅异质结光电探测器上进行了实验演示。

光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、 X射线等照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。光刻胶目前被广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工制作， 约占IC制造材料总成本的4%，是重要的半导体材料。本期的智能内参，我们推荐方证证券的报告《光刻胶研究框架》， 从光刻胶的基本构成、下游应用、发展历程和行业格局等多方面还原这种重要的半导体材料的现状。

单层、双层、少层石墨烯，过渡金属二硫化物和莫尔超晶格中也观察到了显著的非局域效应。然而，这些二维非局域效应的起源备受争议。石墨烯在电中性条件下表现出强烈的非局域效应，其起源仍存在较强的争议。