晶体管

利用Graphenea专有的高K金属栅极（HKMG）工艺流程，该芯片包含30个石墨烯场效应晶体管（GFET）器件，具有背栅，有效氧化物厚度（EOT）仅为5纳米。如此小的EOT允许仅几伏的可靠后退门控，这使得该设备对大量研究人员有用。

近日，南京理工大学曾海波教授团队综述了近几年 用于红外探测和成像的二维材料方面的进展，以探索最先进的红外成像器件设计方案（论文信息附后）。

从结构图可以看出原本C原子构成的六边形全部被N原子分隔开。C3N的成功合成弥补了石墨烯无带隙的缺憾，为碳基纳米材料在微电子器件的应用提供了新的选择，并引起广泛关注。

2015年，公司通过收购获得石墨烯技术并致力于其在相关产业的研发和应用，经过多年研究于2020年9月成功利用铸锭单晶硅片制造高效单铸异质结电池，转换效率超过24%，成本大幅降低，性价比凸显。公司自此成功转型为材料科技公司，未来将成为国内光伏领域的强力竞争者。

作为一种新型的二维（2D）材料，单元素二维材料具有与石墨烯相似的原子结构，其优异的光学和电子特性在许多领域具有潜在的应用前景。迄今为止，已经报道了许多基于单元素二维材料的研究，并在各个领域展示了优异的性能。报道的单元素二维材料主要分布在IIIA、IVA、VA和VIA族中。由于它们与石墨烯的结构相似，它们通常被称为“Xenes”。

利用无机半导体纳米结构对石墨烯的敏化已被证明是提高其光电性能的一种强有力的策略。然而，无机增感剂中金属阳离子的光学性质和毒性限制了它们的广泛应用，更重要的是对这种杂化体系中界面电荷转移过程的本质的理解仍然是未知的。

对于每一代半导体来说，掺杂技术问题总是被放在优先事项的首位，其决定了一种材料是否可以用于电子和光电行业。当谈到二维（2D）材料时，在p型或n型中可控地掺杂2D半导体已经面临了巨大的挑战，更不用说实现对这一过程的连续控制了。

这次他们成功了。诀窍是把纳米材料六边形氮化硼放在你想要图案的材料上面。然后用特定的蚀刻配方钻孔。六方氮化硼的晶体可以蚀刻，这样在顶部绘制的图案就会在底部变成一个更小、更锋利的版本。相关论文日前刊登于《美国化学会—应用材料和界面》。

2015年，周昊欣从中国科大少年班毕业后，直博加州大学圣巴巴拉分校。此后几年并未发表过第一作者身份的论文，但他通过长时间坚持不懈地探索与努力，让世界都看到了他的研究成果。