晶体管

该论文首次报道了一种合成结构、宽度及长度均可控的石墨烯纳米带聚合方法，该法有望为研究石墨烯纳米带长度对其理化性质的影响奠定材料基础。作为通讯作者的伊丹健一郎也表示，“这项研究解决了一个多年以来的难题。为实现量产化（我们）已与企业展开合作，希望早日将该技术应用落地。”

当然，产学研合作也是金刚石功能化应用推广的一个必经之路与重要手段！胡晓君教授认为“一项基础性成果转化成产品，这中间有很长的路要走，需要很多的研究，还有磨合！企业来转化基础研究的成果，首先需要有足够强的资金实力以及研发实力，还需要有相当大的格局。创建初始，所产生的经济效益不会立竿见影，这对企业来说并不是件易事，需要做好长期‘战斗’的思想准备。”

仅在两个月前发布的GFET S30是一款背门器件，可实现电导的局部调制以及通道功能化/敏化。这是探索VOC传感，对光电探测器和其他光电器件进行原型设计的绝佳平台。然而，还有其他应用，如RF器件、倍频器和某些类型的检波器，需要对狄拉克点和迟滞进行严格控制。新型 GFET S31 和 PF3B 通过在高 K 电介质顶部使用额外的顶部栅极来提供这一点。

中国清华大学集成电路学院任天令教授团队的赵云飞博士和合作者通过使用金纳米颗粒（AuNP）和多层石墨烯对在掺杂氟的氧化锡玻璃（FTO）基底上生长的氧化锌纳米花进行修饰，发现石墨烯和金纳米颗粒的等离子激元共振效应可以极大增强氧化锌纳米花的紫外光电特性，并提高其光响应速度。

最近，国家纳米科学中心研究员戴庆团队采用新颖方法成功“悬空”石墨烯，通过获得高质量的纯净“等离激元” 为实现纳米级的光电互联提供了新的结构基础。3月18日，这项研究在《自然-通讯》在线发表。

迄今为止，单层石墨烯的吸收率一直为2.3%，对于两侧有空气的独立石墨烯层，已经计算和测量了这一值。现在研究人员发现，如果石墨烯位于半导体材料之上，该值可能与其标称值有很大不同。这一发现将影响石墨烯光学的所有研究和应用。

利用Graphenea专有的高K金属栅极（HKMG）工艺流程，该芯片包含30个石墨烯场效应晶体管（GFET）器件，具有背栅，有效氧化物厚度（EOT）仅为5纳米。如此小的EOT允许仅几伏的可靠后退门控，这使得该设备对大量研究人员有用。

研究结果表明，紫外光导可以成为控制这些纳米结构材料的电子和光学性质的可靠而有效的措施，从而产生具有定制非线性光学反应的石墨烯基物质的广泛组合。因此，可以制造最能代表各种光电子和光子应用需求的物质。