支撑支持

三星也将与外部机构合作，开发从奈米碳管和石墨烯制的EUV护膜，并计划挑选研究人员，负责为该公司自行开发的奈米石墨薄膜 (NGF) 设计量产设备。

报道了新型超平整石墨烯电镜载网，破解了高分辨冷冻电镜表征中均匀薄冰的制备难题。该工作表明，超平整石墨烯/均匀薄冰支撑膜能显著提升冷冻电镜成像质量和效率，实现多种小蛋白（分子量小于70 kDa）的高分辨三维重构。

光罩薄膜(Pellicle)是用于保护EUV工艺中使用的掩模的一种关键制品，它对于5纳米或以下的超微制造工艺至关重要，这也是一种需要定期更换的消耗品。据介绍，该EUV薄膜可保护光掩模表面免受空气中分子或污染物的影响，由于EUV设备的光源波长较短，因此EUV薄膜需要变薄以增加透光率。

该研究合成了多种带有不同电荷性质基团（如氨基和磺酸根）的重氮盐分子，并利用这些重氮盐分子对CVD生长的石墨烯膜进行功能化修饰，进而获得带有不同电荷性质的石墨烯支撑膜。他们利用石蜡作为转移介质，将石墨烯支撑膜洁净转移到电镜载网上，用以冷冻电镜样品制备。

石墨烯载网表现出三大优势：一是由于石墨烯薄到几乎透明，所以不管对于何种样品，石墨烯载网都会提供很好的支撑，并让样品保持非常高的自然状态；二是对于生物样品来说，石墨烯载网可以有效地避免生物大分子接触气液界面，从而使样品保持自然状态。三是石墨烯载网可以提高样品制备的成功率，虽然电子显微镜还是同样的电子显微镜，但由于石墨烯载网具有更低的背景噪音以及电子束诱导的样品漂移，让样品呈现更均匀分布等优势，有效提高了样品制备过程的可重复性，通过缩短样品制备过程中每个步骤的时间，石墨烯载网的应用大大提高了结构解析的效率。

彭海琳教授从晶体管的发展过程及前景引入，阐明包括石墨烯在内的高迁移率二维材料是未来电子材料的必然选择，之后详细讲述了CVD方法制备单层石墨烯的制备过程，通过选择Cu衬底取向解决了单层石墨烯制造过程中存在的晶界和褶皱问题，通过一氧化碳刻蚀去除了附着在石墨烯上的杂质，实现了原子级平整的四英寸和六英寸的单晶石墨烯晶片规模化制备，并开发了高性能石墨烯光电器件和超洁净透射电镜载网。此外，彭海琳教授团队率先开发了一类全新超高迁移率二维半导体材料Bi2O2Se，实现了二维单晶晶圆制备，构筑了基于Bi2O2Se的高κ自然氧化物栅介质基高性场效应晶体管和逻辑门，为未来高速电子器件和集成电路的发展提供了一种可能的材料选择。

本报告将介绍最近几年我们课题组和合作者在高迁移率二维晶体材料（石墨烯、金属硫氧族半导体）的控制生长方法、制备装备研发与功能器件应用方面的进展。