量子点

基于此，清华大学曹化强教授和加州大学圣芭芭拉分校Anthony K Cheetham院士及其团队由自上而下的方法合成了非闪烁荧光的单负电荷GQDs。此外，通过进一步的探索、分析和理论计算，解释了GQDs的非闪烁荧光机制。由于GQDs的HD小于5.5 nm，这使得它们能在生物成像中作为荧光标记试剂。

未来，课题组打算将该研究扩展到其他荧光非闪烁量子点。除了石墨烯量子点外，其他荧光非闪烁量子点能否实现在单颗粒层面上的光催化反应，并用于鉴别荧光源于单个孤立的颗粒？这还需要进一步的验证。前不久，他们已经完成了前期的基础实验。此外，该团队也将探索石墨烯量子点荧光闪烁的机理。

韩国科学技术院的Seokwoo Jeon教授团队受用于设计AIE材料的合成技术的启发，提出了简单的合成策略，使用各种转子分子将GQDs从ACQ转化为AIE活性物质。选择了两种策略来实现：（i）减小尺寸以抑制π-π堆积和（ii）使用转子分子的选择性边缘功能化。当GQDs的尺寸从5nm减小到1nm（原始GQDs），ACQ被抑制以获得稳定的无基质荧光和RTP余辉。

这项研究揭示了一种基于等离子体金属/QD混合物的成功的单激光触发的协同组合TP-PDT/PTT，具有在临床环境中进行未来研究的潜力。

南京农业大学资源与环境科学学院高彦征教授课题组以ARGs传播主要方式之一—基因水平转移为着眼点，揭示了GQDs对胞外ARGs水平转移进入细菌的影响

综上所述，本文开发了一种灵敏度高达0.5μM的传感器。这种简单而成功的方法证明了高质量、低廉、可持续性以及扩大规模以商业规模生产高级 GQD 的能力的优势。目前的工作强调了利用废弃生物质资源为实际应用创造有价值的纳米材料的必要性。

1.提出一种基于全溶液法制备GQDs-InGaO薄膜晶体管。2.GQDs有助于提高InGaO薄膜晶体管的电学性能。3.GQDs-InGaO薄膜晶体管具有良好的偏压稳定性和偏压光照稳定性。

今日，德国 亚琛工业大学(RWTH Aachen University)L. Banszerus and S. Möller，C. Stampfer等，在Nature上发文，报道了在双层石墨烯中，实现了电子-空穴双量子点，其表现出近乎完美的粒子-空穴对称性，其中传输的发生，主要是通过具有相反量子数的单电子-空穴对的产生和湮灭。

这种机器学习模型NeCLAS，优于目前的纳米级预测模型，适用于高达10–20nm通用纳米粒子，再现了生物和非生物系统的相互作用。这两个方面促成了这些研究成果：纳米粒子和分子的低维表示（以减少数据不确定性的影响），以及环境特征（在多个长度尺度上，对物理化学邻域进行编码）。

我们展示了石墨烯/III-V量子点混合维度异质结构的强烈光致发光增强。与只有量子点的结构相比，二维/零维混合结构中石墨烯和量子点之间的距离决定了载流子辐射重组的增强程度，从80%到800%。时间分辨的光致发光衰减也显示，当距离从50纳米减少到10纳米时，载流子寿命增加。

这种2D石墨烯/0D量子点异质结显示出高性能纳米级光电器件的应用前景。

量子点结构牢固的锚定在石墨烯片层上，不仅增强了结构稳定性，而且改善了导电性，从而加速了离子传输和电荷迁移。良好的结构特性赋予了电极材料更好的电化学表现，所合成的NiFe2O4QD/G复合电极材料表现出优异的电容性能（1 A g-1时比电容达到697.5 F g-1，10 A g-1时比电容为501.0 F g-1，1万次循环后比电容没有明显衰减 ）。