光电器件

本工作提出了一种具有宽带响应和长期稳定性的高性能非制冷近红外PD，该PD由PbS量子点（QDs）/三维石墨烯（3D石墨烯）/Si异质结集成。这项研究释放了硅在近红外检测中的全部潜力，并强调了其在下一代近红外成像和集成电路开发中的巨大潜力。

研究者采用了层分辨石墨烯转移技术和有限磁场溅射（CMFS）方法，成功地在W/β-Ga2O3肖特基势垒光电探测器中嵌入了石墨烯。研究者通过多个图示来详细展示了实验结果。首先，在图1中研究者呈现了β-Ga2O3 SBPD的制备过程和石墨烯引入的效果。通过拉曼光谱和透射电子显微镜图像，研究者证明了成功转移的石墨烯形成了单层，且在经过后退火处理后依然保持完整。

本文的策略为易于制造，高性能和多功能红外光电探测器开辟了替代可能性。

本工作采用金纳米金属低聚体超构表面作为石墨烯/硅（SOI）近红外探测器的天线，实现了光响应度2倍的增强。通过时域有限差分法（FDTD）仿真和实验相结合研究了低聚体超构表面光电耦合效率的动态过程，为提高光电探测效率提供了一种重要的途径。

在石墨烯涂层蓝宝石衬底上生长的高质量GaN膜可以通过使用热释放带轻易地剥离并转移到外来衬底上。此外，揭示了在GaN生长过程中氨流的脉冲操作是制备高质量独立GaN膜的关键因素。

二维材料具有构建高集成度、高效光电器件的特性，在未来集成光电子器件中有重要前景。按照电学导电性，可分为导体、绝缘体和半导体等。其种类丰富，半导体具有高迁移率，电子光电器件具有高开关比，可通过异质结任意搭配来进行器件性能改善。其中，基于石墨烯、二硒化钨、贵金属硫族化合物的电子光电器件性能优异，成为逄金波教授课题组研究的首选课题。

超结构使光探测能够跨越从近紫外到中红外的宽范围，并在追求宽带探测时提供了用于高响应率和快速时间响应的独特光浮栅路线。

本文报道了一种天线/栅极一体化的石墨烯太赫兹探测器，该探测器的核心设计是：利用蝶形天线将入射太赫兹光场缩减至< 1 μm的天线间隙区域，以增强太赫兹波的吸收；同时将天线的两极作为器件的两个栅极，在石墨烯中调控出pn结，使天线间隙区同时成为光生载流子的分离区。通过同步增加光生载流子的产生及分离效率，在室温下实现了对太赫兹的高效探测，在2.7 THz处探测的噪声等效功率达到1 nW·Hz−1/2量级，且该设计具有进一步的优化空间及可集成潜力，有望成为室温太赫兹探测的解决方案。

GMS是一种典型的高-低-高折射率分布的结构。电场分布如图2 (a)右侧所示，其中能量主要集中在各向异性绝缘介质α-MoO3和石墨烯层。图2 (b)中，GMS结构在谐振波长12.68 μm处具有较宽的吸收带。由于α-MoO3的各向异性，光在GMS结构中沿α-MoO3不同轴向的传播是不同的，如图2(c)、2(d)和2(e)所示。光沿不同轴向传播对共振波长没有影响，但会影响结构的吸收效率。