光电器件
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查尔姆斯理工大学François Joint和马里兰大学Howard D. Drew等–与石墨烯光电探测器匹配的太赫兹天线阻抗
本工作介绍了一种基于碳化硅衬底上的准独立式双层石墨烯的光电效应探测器,设计用于太赫兹频率范围。本工作的探测器性能取决于准光学耦合方案,该方案集成了一个非球面硅透镜,以优化太赫兹天线和石墨烯p-n结之间的阻抗匹配。
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德国创企Black半导体筹集2.54亿欧元研发石墨烯芯片技术
该公司表示,将获得德国经济部和德国北莱茵-威斯特法伦州2.29亿欧元的公共补助,另外2600万欧元的股权将来自一群风险投资人。
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这一欧盟项目,成功打造出石墨烯光子集成电路!
GATEPOST项目的主要合作伙伴IHP GmbH的Mindaugas Lukosius表示,项目旨在开发和生产基于石墨烯的芯片,以期彻底革新当前的计算机技术和IT安全领域。GATEPOST计划采用标准CMOS工艺,将石墨烯和二维材料集成到氮化硅中。该项目于去年10月启动,在欧盟石墨烯旗舰项目的支持下,预计持续三年,总预算为540万欧元(约合580万美元)。
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厦门大学张峰AOM:用于光电逻辑门的高性能SiC/石墨烯紫外可见双波段光电探测器
目前SiC/石墨烯异质结探测器存在响应度及探测率较低、响应速度较慢的情况。厦门大学物理科学与技术学院张峰教授课题组通过在器件中引入光栅结构及非对称电极,降低器件暗电流,提升了器件的响应度、探测率及响应速度等性能。
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石墨烯-半导体混合光电探测器的发展历程
该研究首先探讨了这些探测器不同配置背后的基本思想,并提供了典型设备的相关信息。研究最后概述了未来石墨烯-半导体混合光探测器发展的潜在途径。
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可穿戴的光探测器!Advanced Materials
剑桥大学A. C. Ferrari等结合了层状石墨烯和光活性钙钛矿制备纤维型光探测器。
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硅光,难在哪里?
过去电子会从芯片出发,藉由用铜线走到服务器尾端的光收发器才转成光。做成硅光子后,电子一出发就会进入讯号转换处变成光子,无需等到服务器尾端才做转换,减少电子走铜导线的距离,后段则全都由光子来传送,让芯片无论在效能还是功耗上的表现都能进一步升级。
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5 亿美元收购半导体初创企业 Black Semiconductor
沙尔为他的半导体初创公司融资奋斗了一年多,现在他预计,他的技术还需要七年才能投入量产,而在这七年中,公司将无法产生任何收入。融资期限也已相应确定。
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北京大学,光电探测器!Nature Communications
该研究证实,高响应度可实现大于65GHz的3dB带宽 和50 Gbit s–1的高数据流速率,并且,如此高的响应率是由于高迁移率扭转角为4.1o的tBLG的能带结构中的van Hove奇点促进了光吸收的增强
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Angew. Chem. :逐步脱氢环化构筑螺旋含五-七元环纳米石墨烯
该工作通过逐步的[6]螺烯脱氢环化过程,实现了可控合成含有五-七元环螺旋纳米石墨烯,并且发现五-七元环的引入可有效的调控其电化学和光学性质,尤其能显著增强其CPL性能。该工作为含有五-七元环螺旋纳米石墨烯的设计和构筑提供了参考。
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二维材料非线性光学性质及其应用综述
在这篇综述中,他们全面系统地回顾了用于测量和表征二维材料二阶非线性极化率𝜒(2)和三阶非线性极化率𝜒(3)的方法,收集总结了多种二维材料𝜒(2)和𝜒(3)的理论值和实验值,介绍了二维材料的二次谐波(SHG)和三次谐波(THG)的常见应用和未来可能的研究方向,为二维材料的非线性光学的研究提供重要参考。
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综述:石墨烯/硅基异质集成光电子器件
石墨烯探测器相较于传统硅基探测器,在探测带宽上具有非常明显的优势,但单层石墨烯对光的吸收较弱,使得石墨烯/硅基探测器的响应度通常受限,并且暗电流一般较高,这是未来石墨烯/硅基探测器的研究需要重点解决的问题。
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欧密格取得光电耦合器专利,实现低光电转换率偏移
包覆层,设于发光源和绝缘层之间或者受光器和绝缘层之间,发光源发出的光线的至少一部分经过包覆层后照射到受光器,包覆层包含氧化石墨烯,氧化石墨烯能够在焊接时受热转化成石墨烯,石墨烯能够吸收光源发出的光线以降低光电转换系数在经过回流焊后的增加。该光电耦合器能够实现低光电转换率偏移。
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魏兴战/秦天石Device:一种响应波段自分辨的“全在一”光电逻辑器件 | Cell Press对话科学家
响应波段自分辨光电逻辑器件由钙钛矿-石墨烯-锗“三明治”异质结组成,其中,上层钙钛矿用于吸收紫外光,下层锗则吸收近红外光,位于钙钛矿和锗层之间的石墨烯层起到连接的桥梁作用,它不仅读取来自于钙钛矿和锗层的垂直方向光响应信号,还将这些信号沿水平方向输送至电极。
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Black Semiconductor有限公司
光是短距离和长距离传输大量信息的最著名媒介。与现有材料相比,玻璃纤维几乎可以实现无限制、无损耗的传输。Black Semiconductor公司正在利用这些优势,通过将光子技术集成到微芯片中,改变芯片和系统结构,使现有技术的性能超越其现有的物理极限。