光电器件

该研究实现了零偏压石墨烯光电探测器的阵列集成，展示了高质量机械剥离石墨烯和低接触电阻的石墨烯-金属边接触应用于规模化光子集成回路的可能，对提升面向链路级的石墨烯光电探测器的器件性能具有重要指导意义，同时，为CVD生长石墨烯和机械剥离石墨烯应用于硅基光子集成回路提供了一种高一致性策略，可以促进基于石墨烯的硅基有源光子集成芯片的发展。

该团队的演讲“柔性石墨烯/PEDOT：PSS 独立式红外光电探测器”以其卓越的质量和开创性的方法吸引了评委们。该项目因其独创性和对未来技术应用的潜在影响而脱颖而出。

本章节将深入探讨二维材料光电探测器在测距、光谱仪、光子集成电路（PICs）以及光信息接收器中的应用。这些技术不仅在科研领域具有重要意义，在实际应用中也将带来革命性的改变。二维材料的高灵敏度、快速响应和灵活性使其成为理想的选择，特别是在要求高精度和高效率的测距和光谱仪中。光子集成电路（PICs）和光信息接收器的集成更是展现了二维材料在未来通信和信息处理技术中的广阔前景。

本文将深入探讨二维材料光电探测器在芯片集成中的具体应用，分析其在成像技术、传感器技术以及内存技术中的优势与挑战。通过了解这些前沿应用，我们可以更好地把握未来科技的发展趋势，为相关领域的科研与产业化提供有力支持。

石墨烯超材料器件。石墨烯在太赫兹波段的电导率与直流电导率呈正相关，因此可以通过调制费米能级实现对太赫兹波的高效宽带调制。典型的调制应用包括类二极管光学器件、宽带相位调制器件、光存储器件和非线性器件。基于电驱动的石墨烯超材料器件的调制速度仍然受到 RC 时间的限制；此外，其自身有限的厚度也限制了与光相互作用的强度，需要依靠超材料极强的局部场增强来提高调制深度。

石墨烯能够达到热发射所需的温度，并具有良好的发射率，因此已成为中红外发射器的理想候选材料。 石墨烯的单层结构可实现理想的近场耦合，而不会明显扭曲导波模式，因此非常适合与硅光子波导集成。

石墨烯的低光吸收系数阻碍了石墨烯基光电探测器性能的提高。感光材料与石墨烯复合形成的异质结结构可以很有效地解决这一问题。在各种感光材料中，钼基二硫族化合物（MoX2）由于具有高的光吸收系数，完美地弥补了石墨烯的缺点，从而扩展了石墨烯基光电探测器在生活中的适用性。

为了充分利用多层石墨烯的高吸收系数和外延硅的低碰撞电离系数比，多层石墨烯作为主要光吸收层，拓宽硅基光电探测器的探测波段，尤其是在红外波段；而轻掺杂的外延硅则作为光生电子倍增区，有效抑制了热载流子的产生和倍增；重掺杂的基底硅可在硅半导体和金属电极之间形成欧姆接触，改善电流传输效率，从而减少整体功耗，提升能效。多层石墨烯/外延硅异质结光电探测器在雪崩模式下还展现出自淬灭和高增益的特性，可在1550 nm的通信波长下工作。

该工作报道了微环谐振器集成的石墨烯/MoTe2异质结调制、探测一体化集成光电子器件，可用做电光调制、光电探测；该器件不仅工艺简单，提供了一种提高集成光电子芯片集成密度的方案，拓展了集成光电子芯片的可编程性及应用场景。