纳米带
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我国学者与国外合作者在转角叠层石墨烯纳米带的构筑及其边界态调控方面取得进展
该研究工作证明了堆叠转角和位移是调控一维转角叠层状结构自旋边界态的重要参数,为构筑基于一维转角叠层纳米结构的电子学器件提供了重要参考,为未来信息器件实现尺寸更小、速度更快、功耗更低奠定了科学基础。
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中科大/厦大JACS:第二层拓扑石墨烯纳米带中的远程触发类多米诺环脱氢
石墨烯纳米带(GNRs)表面合成中的环脱氢反应通常涉及一系列Csp2–Csp2和/或Csp2-Csp3偶联,并且仅发生在未覆盖的金属或金属氧化物表面。在缺乏必要的催化位点的情况下延长第二层GNR的生长仍然是一个巨大的挑战。
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上海交大校友成功在石墨烯纳米带上设计电场可调拓扑相,在可控构建量子比特方面有潜在应用
实验中赵方舟发现,这种前体分子的合成方式已经在石墨烯纳米带异质结超晶格上发现并测量到了一维拓扑电子态组成的阵列,这是一个有趣的实验发现并在石墨烯纳米带电子元器件有潜在应用。
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石墨烯纳米带的本征迁移率
我们对石墨烯纳米带的迁移率性质进行研究,导出本征迁移率的一个解析公式,不但很好地说明了第一性原理计算的结果,并且预言了应变导致的输运极性的翻转。
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浙江大学和德国马普所Adv. Mater.: 石墨烯纳米带——表面合成与电子器件的集成
石墨烯纳米带(GNR)是准一维的石墨烯条带,作为一类新型的半导体材料,已在电子器件和光电器件领域获得广泛应用,引起了人们的广泛关注。 GNR表现出独特的电学和光学特性,这些特性强烈依赖于其化学结构,尤其是宽度和边缘构型。因此,具有化学精确结构的GNR的可控合成对其基础研究和器件应用至关重要。相较于自上而下的方法,利用预先设计的分子前驱体通过自下而上的方法可以合成具有原子级精确的GNRs。
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科学家将金属化石墨烯纳米带制成全碳电子产品的导线
加州大学伯克利分校的团队现在取得突破的就是最后一种形状。石墨烯纳米带通常是半导体,但该团队已经成功地将它们变成了金属,这使得它们具有导电性,能够像电线一样在电路中携带电子。
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《Science》重大突破:石墨烯纳米带实现金属性调控!
加州大学伯克利分校Daniel J. Rizzo等研究人员展示了一种设计和制备金属GNRs的通用方法,使用原子级精确的工具,自下而上的合成。这是通过嵌入局部零模态对称超晶格到半导体GNR中。相邻零模态之间电子的量子力学跳变产生了基本紧束缚电子结构模型所预测的金属带。
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上海微系统所实现六角氮化硼表面石墨烯边界调控
微系统所研究人员在六角氮化硼表面实现石墨烯气相催化生长工作的基础上,首次通过改变碳源气体(C2H2)与催化气体(SiH4)比例,成功实现石墨烯晶畴的边界调控,晶畴边界可以在扶手椅型(Armchair)取向和锯齿型(Zigzag)取向之间进行控制。