纳米带
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双层armchair手性石墨烯纳米带生长新进展
研究发现,采用镍催化颗粒生长的纳米带的armchair手性纯度最高可达97.3%,这种优异的手性选择性来源于不同手性纳米带边缘及纳米带/催化剂界面的形成能的显著差异。电输运测试结果表明所生长的超窄双层armchair 手性纳米带表现出准金属性,即带隙非常小。该准金属性得到了密度泛函理论计算的双层纳米带能带结构的进一步支持。
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【有机】JACS:具有手性依赖带隙及载流子迁移率的海湾型手性石墨烯纳米带
德国马克斯普朗克微结构物理研究所、德累斯顿工业大学的冯新亮院士/马骥博士团队采用一种新型的手性调控策略,通过Yamamoto偶联聚合和随后的Scholl(肖尔)反应,设计合成了一系列带隙和电子输运特性可调的海湾型手性纳米带(cove-edged chiral GNR, CcGNR),同时也揭示了石墨烯纳米带的手性矢量在决定其载流子传输方面的重要作用。
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哥本哈根大学Gemma C. Solomon等–石墨烯纳米带上原子的电迁移力:吸附-表面键合的作用
这项研究表明,电场中二维表面上的原子迁移是由一幅不同于电场中带电粒子常用静电描述的图片决定的,因为潜在的键合和分子轨道结构与电迁移力的定义相关。因此,包括原子配体场的扩展模型可以更好地理解非平衡条件下吸附质在表面上的扩散。
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仅3个步骤,打造史上最长石墨烯纳米带!
针对石墨烯纳米带长度的限制,西班牙巴斯克大学Aurelio Mateo-Alonso课题组取得了突破!他们近期在Chem期刊发文,报道了一种自下而上的方法,成功合成出长度达到35.8纳米的石墨烯纳米带。该长度不仅打破了长度瓶颈,更打破了长度纪录!
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Nano Lett.:双栅场效应晶体管中石墨烯纳米带数量的确定
瑞士苏黎世联邦理工学院Mickael L. Perrin,瑞士联邦材料科学与技术实验室Michel Calame和Jian Zhang(共同通讯作者)等提出了一种基于双栅FET的方法,允许识别不同的场景,例如单个GNR,平行的双或多个GNRs,以及单个GNR与电荷陷阱相互作用。因此,本文的双栅FET结构为理解原子级精确GNRs中的电荷输运提供了一种定量方法。
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ACS Nano:原子级精确石墨烯纳米带的边缘接触
本文的工作表明,9-AGNRs可以在超短沟道FET器件的末端接触,同时封装在h-BN中。
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石墨烯纳米带:一种有前途的量子技术材料
几年来,由 Michel Calame 领导的 Empa 纳米尺度界面传输实验室的科学家们一直在 Perrin 的领导下进行石墨烯纳米带的研究。“石墨烯纳米带比石墨烯本身更令人着迷,”佩兰解释道。“通过改变它们的长度和宽度,以及边缘的形状,并向其中添加其他原子,你可以赋予它们各种电、磁和光学特性。”
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Nat. Electron.:单个原子级精确的石墨烯纳米带实现了量子传输
在后续研究中,Zhang 和 Perrin 的目标是在单个纳米带上操纵不同的量子态。此外,他们还计划在串联的两条纳米带的基础上创建设备,形成双量子点:这种电路可以作为量子计算机中最小的信息单位——量子比特。
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只要三步就能制造出史上最长石墨烯纳米带?
总体而言,该研究展示了在合成分子级石墨烯纳米带方面收敛迭代方法的强大威力,并为设计和合成其他类型可溶性巨型GNRs和纳米石墨烯,以全原子精度揭示其长度和尺寸对性质影响的细节铺平了道路。研究还表明,超长分子级GNRs的光电性能可以与量子点相媲美,可能为 LED、光伏、成像等领域的应用打开大门,而全原子精度带来的控制和再现性在这些性质方面提供了额外的价值。
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安徽工业大学PNAS:宏量制备石墨烯纳米带及其功能材料
安徽工业大学闫岩教授、刘明凯教授提出了一种“冷冻-卷曲-压缩”的策略,通过将大片层(平均宽度~20微米)的氧化石墨烯与二氧化硅溶胶超声混合,并在低温低压下进行脱水干燥和化学刻蚀,制备出了高纯度、高径向比的石墨烯纳米带材料。
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我国学者与国外合作者在转角叠层石墨烯纳米带的构筑及其边界态调控方面取得进展
该研究工作证明了堆叠转角和位移是调控一维转角叠层状结构自旋边界态的重要参数,为构筑基于一维转角叠层纳米结构的电子学器件提供了重要参考,为未来信息器件实现尺寸更小、速度更快、功耗更低奠定了科学基础。
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中科大/厦大JACS:第二层拓扑石墨烯纳米带中的远程触发类多米诺环脱氢
石墨烯纳米带(GNRs)表面合成中的环脱氢反应通常涉及一系列Csp2–Csp2和/或Csp2-Csp3偶联,并且仅发生在未覆盖的金属或金属氧化物表面。在缺乏必要的催化位点的情况下延长第二层GNR的生长仍然是一个巨大的挑战。
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上海交大校友成功在石墨烯纳米带上设计电场可调拓扑相,在可控构建量子比特方面有潜在应用
实验中赵方舟发现,这种前体分子的合成方式已经在石墨烯纳米带异质结超晶格上发现并测量到了一维拓扑电子态组成的阵列,这是一个有趣的实验发现并在石墨烯纳米带电子元器件有潜在应用。
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石墨烯纳米带的本征迁移率
我们对石墨烯纳米带的迁移率性质进行研究,导出本征迁移率的一个解析公式,不但很好地说明了第一性原理计算的结果,并且预言了应变导致的输运极性的翻转。
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浙江大学和德国马普所Adv. Mater.: 石墨烯纳米带——表面合成与电子器件的集成
石墨烯纳米带(GNR)是准一维的石墨烯条带,作为一类新型的半导体材料,已在电子器件和光电器件领域获得广泛应用,引起了人们的广泛关注。 GNR表现出独特的电学和光学特性,这些特性强烈依赖于其化学结构,尤其是宽度和边缘构型。因此,具有化学精确结构的GNR的可控合成对其基础研究和器件应用至关重要。相较于自上而下的方法,利用预先设计的分子前驱体通过自下而上的方法可以合成具有原子级精确的GNRs。