纳米带

本研究提出了一种新颖的“蛋盘石墨烯纳米带”（EGNR）家族，通过切割蛋盘石墨烯构建而成，这些纳米带不仅具有锯齿边缘，还包含内部缺陷（如五边形和七边形）。通过第一性原理计算，研究者发现这些EGNR表现出显著的BMS特性，具备半金属性及无间隙半导体（SGS）等其他自旋电子特性。

研究提出引入一维（1D）还原氧化石墨烯（rGO）纳米带作为MXene纳米片之间的间隔，以构建抑制自堆积的复合结构。正如预期的那样，由于 rGO 纳米带的立体效应和高纵横比，添加了5wt% 氧化石墨烯 (GO) 的 MXene/rGO 混合电极大大提高了比电容（5mV s-1 时为397.4Fg-1）和无与伦比的速率能力（2000mV s-1 时电容保持率为52.9%）。这项研究为开发用于先进储能设备的MXene基材料提供了重要启示。

本文全面研究了Al2O3沉积前后GNRFETs的完整性、兼容性、电学性能、稳定性和可靠性。结果表明，观察到的电学器件性能下降很可能是由于多个测量周期的接触电阻下降。本文成功地证明了具有Al2O3层的器件可以连续工作数千个完整循环而不会出现任何退化。本文的研究为GNR晶体管的稳定性和可靠性提供了有价值的见解，有望促进其大规模集成到实际应用中。

这篇文章通过结合精确的分子合成技术和先进的自旋动力学表征，为石墨烯纳米带在量子技术和自旋电子学中的应用开辟了新的道路。

最近，设计了一种两步生长方法，将ZGNR横向结合到六方氮化硼（hBN）中。在第一步中，通过使用镍纳米颗粒催化切割，沿着锯齿形晶体取向蚀刻hBN表面层中的纳米沟槽。在第二步中，使用化学气相沉积来用碳原子填充这些沟槽，这种方法产生了ZGNR/hBN的面内异质结。先前的计算工作已经确定在这些异质结中存在狄拉克半金属相，其中一个自旋取向是半金属的，而另一个是半导体的。

在六方氮化硼hBN堆叠中，高质量石墨烯纳米带graphene nanoribbons (GNRs) 的无转移直接生长。所生长的嵌入式石墨烯纳米带GNRs表现出了非常理想的特征，即超长（高达0.25mm）、超窄（<5nm）和具有锯齿形边缘的同手性。原子模拟表明，当在AA′-堆叠六方氮化硼hBN层之间滑动时，嵌入生长的潜在机制涉及超低石墨烯纳米带GNR摩擦。

研究通过原位反应实验实现了锂TFSI-醚电解质的锂保护层诱导接枝在石墨烯纳米带（SEI@GNRs）上的天然SEI。