纳米带

本研究提出了一种新颖的“蛋盘石墨烯纳米带”（EGNR）家族，通过切割蛋盘石墨烯构建而成，这些纳米带不仅具有锯齿边缘，还包含内部缺陷（如五边形和七边形）。通过第一性原理计算，研究者发现这些EGNR表现出显著的BMS特性，具备半金属性及无间隙半导体（SGS）等其他自旋电子特性。

本文全面研究了Al2O3沉积前后GNRFETs的完整性、兼容性、电学性能、稳定性和可靠性。结果表明，观察到的电学器件性能下降很可能是由于多个测量周期的接触电阻下降。本文成功地证明了具有Al2O3层的器件可以连续工作数千个完整循环而不会出现任何退化。本文的研究为GNR晶体管的稳定性和可靠性提供了有价值的见解，有望促进其大规模集成到实际应用中。

这篇文章通过结合精确的分子合成技术和先进的自旋动力学表征，为石墨烯纳米带在量子技术和自旋电子学中的应用开辟了新的道路。

最近，设计了一种两步生长方法，将ZGNR横向结合到六方氮化硼（hBN）中。在第一步中，通过使用镍纳米颗粒催化切割，沿着锯齿形晶体取向蚀刻hBN表面层中的纳米沟槽。在第二步中，使用化学气相沉积来用碳原子填充这些沟槽，这种方法产生了ZGNR/hBN的面内异质结。先前的计算工作已经确定在这些异质结中存在狄拉克半金属相，其中一个自旋取向是半金属的，而另一个是半导体的。

德国马克斯普朗克微结构物理研究所、德累斯顿工业大学的冯新亮院士/马骥博士团队采用一种新型的手性调控策略，通过Yamamoto偶联聚合和随后的Scholl（肖尔）反应，设计合成了一系列带隙和电子输运特性可调的海湾型手性纳米带（cove-edged chiral GNR, CcGNR），同时也揭示了石墨烯纳米带的手性矢量在决定其载流子传输方面的重要作用。

瑞士苏黎世联邦理工学院Mickael L. Perrin，瑞士联邦材料科学与技术实验室Michel Calame和Jian Zhang（共同通讯作者）等提出了一种基于双栅FET的方法，允许识别不同的场景，例如单个GNR，平行的双或多个GNRs，以及单个GNR与电荷陷阱相互作用。因此，本文的双栅FET结构为理解原子级精确GNRs中的电荷输运提供了一种定量方法。

在后续研究中，Zhang 和 Perrin 的目标是在单个纳米带上操纵不同的量子态。此外，他们还计划在串联的两条纳米带的基础上创建设备，形成双量子点：这种电路可以作为量子计算机中最小的信息单位——量子比特。