钠离子电池

利用hGw 的多孔结构，通过机械压球合成了具有超高边缘接枝氧基团（约37.8 at%）的多孔石墨烯纳米片（hGnw）。作为 SIB 的阳极，hGnw具有出色的钠离子存储特性，初始库仑效率高达 82.4%，可逆容量高（例如，0.03 Ag-1 时为 416.1 mAh g-1），速率能力出色（例如，2 Ag-1 时为 153.3 mAh g-1），并且具有长期循环稳定性（例如，1.5 A g-1 时循环 400 次后为 152.7 mAhg-1）。

该文章采用简单的一锅水热法成功合成了氧化石墨烯网络上负载钒酸锰纳米带的复合材料。钒酸锰（MVO）纳米带具有高长宽比，使得离子在径向上的扩散距离更短，从而提高了充放电速率。此外，在循环过程中遇到的应力可以沿轴向释放，有助于整体结构的稳定性。氧化石墨烯的引入有效地减少了颗粒聚集，促进了电解质的渗透，并在循环过程中为体积膨胀提供了空间。

由于氧化石墨烯（GO）和NaxFe[Fe(CN)6]y·nH2O(NaFeHCF)之间只有4.87%（<5%）的有限晶格失配，以及GO中大量的电负性官能团（-COOH、-OH、-CH（O）CH-），GO可以作为NaFeHCF的成核和随后的外延生长平台，这使得NaFeHCF中缺陷含量大大降低（每配方单位0.08）。通过提供更规整的NaFeHCF晶格，以及一步水热得到的还原氧化石墨烯（rGO）的高导电网络，实现了9 A g-1的超高速率下96.8 mAh g-1（39s，23228W kg-1）的前所未有的倍率性能，远远超过了我们所知的任何先前报道的基于PBAs的正极材料，验证了其作为电网储能的可靠高功率钠离子电池候选正极的优越性。

石墨烯具有类似回形针的折叠微结构，有利于 Na+ 在其表面的快速吸附/解吸，从而改善了Na+的扩散动力学。X射线吸收精细结构和透射电子显微镜证明了Na+ 共吸附机理，并解释了其高速率性能的原因。当三维 CG 用作 SIB 的阳极时，当电流密度增加到1Ag-1时，它具有146mAh g-1 的高倍率性能，并且 CG 在0.5Ag-1下循环1000次后仍能保持约79mAh g-1 的高倍率性能，具有良好的结构稳定性。

1.垂直生长的MoS2纳米片缩短了Na+的传输路径；2.富缺陷结构提供更多活性位点，有助于Na+的存储。

我们成功合成了零应变 NVPF@rGO/CNT 作为 SIB 阴极。即使不添加导电剂，NVPF@rGO/CNT 也能表现出超高的速率性能（60 C 时 101 mAh g-1）和卓越的循环稳定性（6000 次循环后，10 C 时容量保持率为 88.4%）。

在这里，通过低压CVD方法在硬碳表面原位生长出由外延生长的卷曲石墨烯组成的改性层。表面的卷曲石墨烯不仅提高了硬碳的电子/离子导电性，而且还有效地屏蔽了其表面缺陷，增强了其库伦效率。

本文设计了一种有效方法制备还原氧化石墨烯，并通过短时间微波辐射，在石墨烯基体上原位合成大量超细SnO2纳米晶。在此过程中，通过C-O-Sn键桥将SnO2固定。通过该微波处理技术得到复合材料中石墨烯具有晶体结构、有助于发挥石墨烯的高离子和电子传导特性，具有极大的应用潜力。

氧化石墨烯的碳化形成了高度石墨化的还原氧化石墨烯衬底，有效地阻碍了NVP颗粒的团聚。同时，纳米纤维素炭化生成无序薄碳涂层，与还原氧化石墨烯衬底构建相互连接的导电网络。

开发了一种简便的P-milling一步法，用于合成具有高振实密度的微纳米结构SnSe/FLG复合材料，其中SnSe纳米颗粒与FLG基质牢固结合，组装纳米级初级粒子，然后组装微米级二级颗粒。FLG基质由于其超强的强度，可以有效缓解SnSe的大循环引起的应力。由EG到FLG的Pmilling剥离中形成大量C空位缺陷形成Sn-C和Se-C共键，使SnSe纳米颗粒与FLG基质之间具有很强的亲和力，防止SnSe聚集和在长时间循环后脱落。