异质结构
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Nature Communications | 哥伦比亚大学,近邻诱导电荷转移调控石墨烯等离子体各向异性!
本实验首次通过构建石墨烯/CrSBr 异质结,实现了具有高度各向异性传播特性的表面等离子体激元(SPPs),揭示了二维范德华材料中电荷转移诱导的光学各向异性效应。
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Angew. Chem.:通过垂直表面功能化实现可控的石墨烯/二硫化钼异质界面
该工作在纳米尺度上系统地调节了异质结的层间距离,从实验和理论角度证明了通过功能化底层材料灵活控制异质结界面的可行性。该策略不仅适用于半导体/金属界面,还可扩展到其他异质结界面的调控,为定制和改善相应器件的性能提供了一种新的思路。
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二维异质结,再登Nature Nanotechnology!
具体而言,研究者通过构建BN/单层石墨烯/BN和BN/WSe2/单层石墨烯/WSe2/BN等异质结构,成功观察到铁电滞回现象,进一步证明铁电性与库伦屏蔽效应可以在无摩尔界面的材料中实现。这一结果为扩展铁电性材料的应用领域提供了新的思路,尤其是在集成多种功能的器件设计中,放宽了材料和设计的限制。
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AM:双层石墨烯-CrOCl异质结构中非挥发态的磁电协同控制!!
这篇文章报道了在双层石墨烯(BLG)与铬氧氯(CrOCl)异质结构中,通过磁电协同控制实现了非挥发性状态的调控。研究发现,CrOCl的自旋态对BLG的电荷转移和相关性增强的新兴性质有显著影响。通过精确的电容测量技术,观察到了异质结构中电荷状态的惊人迟滞行为,这种迟滞行为仅依赖于磁场调控过程,而与电学调控过程无关,并且可以通过电场调控来关闭,为非挥发性存储提供了新的机制。
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山东师范大学Nano Letters :WTe2/石墨烯/银纳米颗粒异质结构的设计及其在表面增强拉曼光谱化学增强中的改善
本研究中,研究人员通过构建WTe2/Gr/Ag异质结构,显著提高了SERS的化学增强效果。通过精确控制材料的能级匹配和界面设计,实现了对CT过程的有效调控,从而增强了SERS信号。此外,利用WTe2的热电性质,通过外部温度变化进一步调节了SERS性能,展现了该材料体系在超灵敏检测技术中的潜力。这项工作不仅为SERS基底材料的设计提供了新思路,也为未来开发新型高效SERS传感器奠定了坚实的基础。
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石墨烯-hBN多层膜增强和调制纳米颗粒间的近场辐射传热
在这项工作中,我们研究了放置在G-hBN多层膜两侧的两个GSCS纳米颗粒之间的NFRHT。通过弱耗散双曲模式,热纳米粒子的能量可以有效地传递给冷纳米粒子。
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IF 18.5!基于 Ti3C2TX MXene 负载石墨烯量子点的肖特基势垒 2D/0D 异质结荧光探针
利用 Ti3C2Tx MXene 负载的石墨烯量子点 (GQD),设计和合成了具有肖特基势垒 (SB) 的 2D/0D 异质结荧光探针 (TCTG),用于检测食品腐败过程中的 H2S。
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Adv. Sci.: 三功能石墨烯夹层异质结嵌入层状晶格电催化剂在锌空气电池驱动的水分解中具有高性能
综上所述,这项工作报告了一种三功能 G-SHELL 电催化剂,它是一种在石墨烯上生产的异质结嵌入式层状金属卤化物。
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杜瑞瑞合作团队在Kitaev自旋液体材料阿尔法相的三氯化钌电子态研究中取得新进展
北京大学物理学院量子材料科学中心杜瑞瑞课题组与合作者利用扫描隧道显微镜系统对α-RuCl3/石墨烯异质结中α-RuCl3的电子态进行了系统研究
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二维干货:在二维材料中什么是同质结?什么是异质结?
同质结和异质结是理解和研究二维材料的重要基础,它们各自拥有独特的优势和应用前景。随着材料科学和纳米技术的不断进步,这两种结的研究和应用将推动更高效、更先进的电子器件和光电器件的发展。
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Nature Communications | 复旦大学:二维材料集成方法助力新一代中波红外光电探测器!
通过将MoS₂和黑磷(BP)等二维材料与石墨烯结合,本文开发的光伏探测器不仅实现了高效的MWIR光探测功能,还集成了超快闪存和计算能力。这种集成创新打破了传统MWIR探测器对冷却需求的限制,提供了高响应性和低功耗的解决方案,对便携式和低成本的红外成像系统具有重要意义。
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北航杨皓哲一作兼通讯Nature Materials!神奇的扭曲角:调控 WSe₂/ 石墨烯异质结构中自旋纹理的关键
在这项研究中,来自西班牙、中国、捷克等国的科学家合作,通过制备具有可控扭曲角的 WSe₂/石墨烯 vdW 异质结构,首次实验验证了自旋纹理可以通过扭曲角进行调制。他们使用光学二次谐波产生(SHG)和拉曼光谱准确测量了扭曲角。
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ACS Nano:基于ReS2/h-BN/石墨烯异质结的超高速多位存储器
该器件具有超快且多级非易失性存储特性,特别是具有113.36 V的超大存储窗口,107的擦除/编程电流比,30 ns的超快工作速度,超过1000个周期的出色耐久时间和超过1100 s的保留性能。此外,该器件表现出电和光可调谐的多级非易失性存储器行为。通过控制电压和光脉冲参数,器件实现了130电平(>7位)的电存储状态和45电平(>5位)的光存储状态。