异质结构

本文报道了一种通过机械剥离和干转移方法制备的WS2/石墨烯/MoS2垂直范德华异质结，用于实现快速响应的光电探测器。该研究通过嵌入石墨烯层来优化界面缺陷和提高载流子传输效率，从而提高了光电探测器的响应速度。

这项研究展示了金属-绝缘体-半导体（MIS）二极管在二维vdW异质结构中的潜力，重点是黑磷（BP）、薄六方氮化硼（hBN）和石墨烯（Gr）的组合。

这篇文章报道了在双层石墨烯（BLG）与铬氧氯（CrOCl）异质结构中，通过磁电协同控制实现了非挥发性状态的调控。研究发现，CrOCl的自旋态对BLG的电荷转移和相关性增强的新兴性质有显著影响。通过精确的电容测量技术，观察到了异质结构中电荷状态的惊人迟滞行为，这种迟滞行为仅依赖于磁场调控过程，而与电学调控过程无关，并且可以通过电场调控来关闭，为非挥发性存储提供了新的机制。

研究通过一种简便的静电自组装途径构建了还原氧化石墨烯（rGO）/Ni(OH)2 异质结，其中 Ni(OH)2 纳米片种植在 rGO 基底表面，从而增加了比表面积并加速了电子/离子传输，同时继承了 rGO 出色的循环稳定性。

本研究中，研究人员通过构建WTe2/Gr/Ag异质结构，显著提高了SERS的化学增强效果。通过精确控制材料的能级匹配和界面设计，实现了对CT过程的有效调控，从而增强了SERS信号。此外，利用WTe2的热电性质，通过外部温度变化进一步调节了SERS性能，展现了该材料体系在超灵敏检测技术中的潜力。这项工作不仅为SERS基底材料的设计提供了新思路，也为未来开发新型高效SERS传感器奠定了坚实的基础。

在这项工作中，我们研究了放置在G-hBN多层膜两侧的两个GSCS纳米颗粒之间的NFRHT。通过弱耗散双曲模式，热纳米粒子的能量可以有效地传递给冷纳米粒子。

复旦大学陆叶研究员，周鹏教授和万景研究员（共同通讯作者）等报道了一种由石墨烯/硅异质结漏极和硅沟道组成的垂直亚阈值摆动器件。

通过在石墨烯中引入缺陷，可以显著增强层间电子-声子耦合耗散通道，从而加速能量耗散。具体来说，缺陷提供了反冲动量，使得WS2中的电子与石墨烯中的声子满足动量守恒，从而促进了层间电子-声子耦合的发生。此外，通过建立包含耗散率和摩擦的模型，研究人员定量证明了超快层间电子-声子耦合对摩擦能量耗散的贡献。

多层石墨烯(MG)/WS2/Pt选择器包含两个具有不同肖特基势垒的非对称异质结，从而导致高度非线性和非对称的I-V特性。1S1R单元中的2D选择器可以成功驱动RRAM，将潜行路径漏电流降低100倍以上，并提供RRAM编写的限制电流。对1S1R单元进一步建模并将其集成到平面和3D存储阵列中并进行电路级仿真，结果表明在大型存储阵列中使用2D选择器可以降低高达86%的功耗，提高高达31%的读取/写入裕度，并避免写入失败。这种存储器件在构建3D高密度存储器和执行存内计算方面具有很高的潜力。

报道了一种基于二硫化钼/石墨烯异质结构的多栅范德华界面结晶体管，可产生可调的类高斯和π形隶属函数。通过将这些发生器与外围电路集成，创建了非线性系统控制的可重构模糊控制器硬件。该模糊逻辑系统，还可结合少层卷积神经网络，以形成具有增强图像分割性能的模糊神经网络。

这项工作揭示了石墨烯/钙钛矿结构复合异质结的光物理性质，认为它们是开发小型化自旋光子器件的有希望的候选者。 

这种三维单片M3D堆栈，主要由第二层tier 2 中的石墨烯化学传感器和第一层tier 1中的二硫化钼(MoS2) 忆阻晶体管MemTransistor可编程电路组成，每层中有500多个器件。