外延生长

发现在衬底表面碳前驱体浓度较均匀的条件下，石墨烯倾向于在台阶表面形核，而实验中普遍观察到的台阶边缘成核应是由台阶边缘处的局部碳前驱体浓度较高导致的。结合进一步的计算，文章提出可通过近平衡生长环境实现碳浓度在衬底表面的均匀分布，避免台阶聚束，实现在SiC(0001)衬底表面生长高质量的单层石墨烯。

他们的研究描述了一种远程外延生长技术，该技术利用石墨烯中间层在4平方厘米的面积上生成连续结晶的过氧化物薄膜。这种方法有效地消除了晶界，实现了纯面外晶体取向。

目前SiC/石墨烯异质结探测器存在响应度及探测率较低、响应速度较慢的情况。厦门大学物理科学与技术学院张峰教授课题组通过在器件中引入光栅结构及非对称电极，降低器件暗电流，提升了器件的响应度、探测率及响应速度等性能。

据介绍，天津大学·明石致远石墨烯（纳米）材料联合实验室成立于2019年12月，由黄渤海新区的明石创新（烟台）微纳传感技术研究院与天津大学签约共建。实验室在天津大学和黄渤海新区两地挂牌，双方互相派驻人员，企业还委托高校开展人才培养，开展基于石墨烯相关纳米材料的基础和应用基础研究。除本项目外，联合实验室还开展了多种石墨烯基气体传感器、纳米氧化锆粉体材料及固态电解质纳米氧化锆氧传感器、二次离子质谱仪等精密仪器的研发，均为替代进口的关键技术。其中，以氧化锆粉体材料为代表的一批成果已实现产业化，产品销往海外市场。

在我们的生产过程中，生产一块 2 英寸晶圆或 20 平方厘米石墨烯的碳足迹为 4.1405 千克二氧化碳当量。这一数值比我们运营初期降低了近 50%。

近日，宾夕法尼亚州立大学Joan M. Redwing结合实验和理论研究，研究了石墨烯层厚度和化学功能化对Ga嵌入和2D GaNx形成的影响。

“石墨烯的力量在于其扁平的二维结构，由已知最强的化学键连接在一起，”de Heer 介绍称，“从一开始就很明显，石墨烯的小型化程度要比硅强得多，可以制造出更小的设备，同时可以用更高的速度运行，产生的热量也小得多。这意味着，在原则上，石墨烯芯片可以比硅芯片封装更多的元器件。”

为了创建新的纳米电子学平台，研究人员在碳化硅晶体基板上创建了一种改良形式的外延石墨烯，用电子级碳化硅晶体生产了独特的碳化硅芯片。

该研究采用高温热解法外延生长的双层石墨烯薄膜作为微桥，连接两个铌（Nb）超导电极，研制出太赫兹谱段基于二维石墨烯材料SGS约瑟夫森结高灵敏度超导探测器。当石墨烯薄膜长度缩短至亚微米尺度时，科研团队观测到铌超导电极与石墨烯微桥间临近效应（Proximity effect）导致的约瑟夫森隧穿现象。研究通过监测石墨烯微桥中因吸收辐射引起的电流变化，即可检测太赫兹辐射信号。