外延缓冲

研究团队以氮化铝薄膜生长在石墨烯上为例，利用多尺度的理论计算和连续介质模型推导，系统研究了氮化铝薄膜在平面内和垂直于平面方向生长动力学过程。他们发现氮化铝与石墨烯的界面存在一种新型的成键方式，即杂化范德华相互作用。这样一种独特的成键方式使得薄膜生长呈现出显著区别于传统模式的新范式，被命名为HVE模型。在HVE模型下，材料平面内和平面外的生长会较强的耦合在一起，并满足一定的物理约束条件，而这个约束条件也受到界面相互作用的影响。

作者通过剪切流诱导法得到米级的Cu@G复合集流体，并实现Zn（002）晶面在集流体上的优先沉积。多种实验表征和模拟证明，揭示了Cu@G诱导Zn（002）晶面的优先沉积的原理。匹配Cu@G的不同器件（锌离子混合电容器、锌离子电池和Zn-MnO2电池）均表现出优异的循环性能。本工作对提高负极中Zn利用率和无锌负极储能器件设计具有重要的指导作用。

在石墨烯涂层蓝宝石衬底上生长的高质量GaN膜可以通过使用热释放带轻易地剥离并转移到外来衬底上。此外，揭示了在GaN生长过程中氨流的脉冲操作是制备高质量独立GaN膜的关键因素。

受益于惰性和原子光滑的石墨烯表面，通过范德华外延生长在顶部的CsPbBr3薄膜具有更高的结晶度、改善的(100)取向以及高达1.22μm的平均域尺寸。同时，在石墨烯/钙钛矿界面处观察到强烈的向下能带弯曲，改善了电子传输层（ETL）的电子提取。因此，在石墨烯上生长的钙钛矿薄膜具有较低的光致发光（PL）强度、较短的载流子寿命和较少的缺陷。

南京航空航天大学台国安教授课题组用化学气相沉积的方法成功原位制备出硼烯-石墨烯异质结，首次构筑了硼烯-石墨烯异质结（B/Gr）基宽波段光电探测器，展示出其在光电探测器件上的应用潜力。

我们首先展示了石墨烯在生长GaN之前的热稳定性，在此基础上开发了GaN在石墨烯/AlN上的两步生长。GaN样品在750℃的第一步生长后成功剥离，而在1050℃的第二步生长后剥离失败。深入分析证实，AlN模板中的凹坑导致该区域附近石墨烯的降解，从而导致生长模式的改变和剥离失败。

纳米线（NWs）在石墨烯薄膜上的自组织生长是通过金属有机化学气相沉积的范德瓦尔斯外延机制实现的。这是一个基本的现象，与已知的生长机制，如自催化和金属催化的纳米线生长有着质的区别。