化学气相沉积
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量体裁衣,为您打造定制化转移技术服务
北京石墨烯研究院(BGI)转移的石墨烯薄膜在表面粗糙度、结构完整性、光电性能及其均一性等方面均远优于一般转移的样品。在此基础上,北京石墨烯研究院(BGI)与某上市公司合作开发出了适用于总有机碳分析仪的高品质石墨烯分离膜,有望打破该行业国外垄断。
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折叠屏柔性显示器内卷突围,还得靠它
北京石墨烯研究院(BGI)多年攻关、潜心耕耘,研发出一种高性能石墨烯水氧阻隔膜。该阻隔膜具备良好的可弯曲性,水蒸气透过率和氧透过率超出常规阻隔膜标准。
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北京大学刘忠范院士团队综述:超洁净石墨烯的制备方法
本文系统综述了化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)法生长石墨烯薄膜过程中伴随的表面污染物现象,并对其形成机理进行了分析;分析了表面污染物对石墨烯薄膜转移后表面洁净度的影响,综述了超洁净石墨烯薄膜的制备方法,并列举了超洁净石墨烯薄膜的优异性质。最后总结并展望了超洁净石墨烯薄膜未来可能的发展方向和规模化制备面临的机遇与挑战。
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Nano Res.│中国石油大学(华东)无机功能材料团队/清华大学朱宏伟教授团队:逃离高熵合金,碳摇身一变成石墨烯
采用电弧熔炼法制备FeCoNiCu0.25合金铸锭,塑性变形、切割、预处理和退火后得到合金薄片,作为CVD生长石墨烯薄膜的基底,并进行了生长机理探讨。
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北京大学刘忠范院士团队综述:CVD生长石墨烯的气相反应
本文系统地综述了气相反应对化学气相沉积生长石墨烯的影响:首先对CVD体系内的气相传质过程和气相反应进行了详细讨论;随后系统介绍了基于气相调控提高石墨烯的结晶性、洁净度、畴区尺寸、层数和生长速度的相关策略及其机理;最后对气相反应影响CVD生长石墨烯的规律进行总结,并展望了未来可能的发展方向。
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管式炉/等离子体增强化学气相沉积炉产品介绍
利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应,从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统,它由管式炉,质量流量控制系统和真空控制系统组成。适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、石墨烯材料生长、二维材料生长、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
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Small:添加剂辅助制备大规模高质量二维材料
天津大学胡文平教授团队系统综述了在二维材料CVD生长过程当中使用的不同添加剂,以及它们的重要作用。此外,还讨论了添加剂辅助制备二维材料的内在机理。
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韩国基础科学院丁峰教授团队《Adv. Mater.》:石墨烯多层的螺旋式生长
作者提出了这种多层螺旋石墨烯生长模式的机制:由于第一层石墨烯的覆盖,第二层石墨烯生长所需的碳源必须穿过第一层石墨烯的边界,因此形成了碳源的径向梯度,导致第二层石墨烯越靠外的位置生长越快;当石墨烯螺旋臂在某处生长后,该处的碳源便被消耗,形成碳源的切向梯度,因此螺旋臂可以沿着顺时针或者逆时针方向快速生长。
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CVD石墨烯创新商业化
General Graphene公司的创始人兼首席运营官格雷戈里·埃里克森(Gregory Erickson)讨论了石墨烯技术的现状以及通用石墨烯的商业化途径。
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塔塔钢铁公司开发出一种独特的少层rGO薄膜材料
塔塔钢铁公司(Tata Steel)与其班加罗尔CeNS的合作者开发了一种新产品,即rGO的少层薄膜。该公司现在开始大规模生产这些薄膜,并将其提供给应用开发人员。
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哈工大《Energy Technol》:炭黑/垂直石墨烯/MnO2纳米片复合颗粒,用于高性能超级电容器
在改性炭黑上生长MnO2纳米片后,获得的纳米复合材料具有高比电容、速率性能和循环稳定性。组装的对称超级电容器在181W kg -1的功率密度下获得54Wh kg -1的高能量密度。系统的实验研究表明,垂直石墨烯纳米片对炭黑的表面改性具有优异的性能优势,从而提高了整个电极的导电性、热稳定性和孔结构。这种方法对于开发高性能超级电容器的新材料具有很大的前景。
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北京大学刘忠范院士团队Adv. Sci.:用于柔性红外伪装的自支撑石墨烯织物薄膜
基于这种新型FS-GFF,本文研究团队制作了一种独特的可调红外伪装柔性纺织器件。得益于这种新兴FS-GFF的freestanding特性,该可调红外伪装器件(AIC)比其他报道的AIC器件相比,可以很容易地转移到任何形状的目标上,操作也很方便。
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新的CVD策略拓宽了3D石墨烯的工业应用
在这项研究中,通过使用FBCVD方法进行热处理,创建了具有新纳米结构的3DGN。利用流化床不规则的温度曲线和快速运输机理,制备了核壳结构SiC-石墨烯纳米级复合材料.SiC@graphene纳米级复合材料用于创建独特的3D石墨烯纳米结构,具有交织的石墨烯纳米带和连接的石墨烯壳。3DGN作为Li-S电池的电极效果很好,具有更大的硫负载,更高的放电容量,出色的循环性能和良好的效率。
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刘忠范院士团队 ACS Nano:A3尺寸石墨烯单晶薄膜的外延生长
为此,北京石墨烯研究院(BGI)通用石墨烯薄膜课题组从大尺寸Cu(111)单晶箔材衬底制备、石墨烯外延取向控制两个方面开展研究,揭示了铜晶粒长大过程中晶界角度对晶界迁移的作用,发展了强织构诱导的Cu(111)异常晶粒长大技术,实现了A3 (0.42×0.3m2)尺寸单晶Cu(111)箔材的制备;与中国科学技术大学李震宇教授课题组合作,揭示了痕量氧在增强石墨烯边缘与Cu(111)衬底相互作用、消除石墨烯30°转角孪晶等方面的作用,利用痕量氧修饰石墨烯边缘,实现了高取向一致度(99.9%)石墨烯的批量生长。
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化学所有机固体实验室于贵课题组在石墨烯纳米带制备研究方面取得新进展
该课题组和清华大学徐志平团队合作通过调控化学气相沉积过程中的生长参数,直接在液态金属表面原位生长出大面积、高质量的石墨烯纳米带阵列。研究表明,将氢气的流速控制在一个相对微量的状态,同时以液态金属作为催化基底,可以引入一种新型的梳状刻蚀行为,从而调控石墨烯的生长。实验发现,利用梳状刻蚀控制石墨烯的生长,可以将传统的薄膜生长转化为准一维的线性生长,从而直接制备高质量、大面积的石墨烯纳米带阵列。通过优化生长条件,可以将石墨烯纳米带的宽度缩小至8 纳米,且长度大于3 微米。该工作为大面积、快速制备石墨烯纳米带的研究奠定了基础。