化学气相沉积

北京大学刘忠范教授、苏州大学孙靖宇、Lizhen Huang、国家纳米科学中心高腾以及中国石油大学(华东) Wen Zhao等使用界面解耦化学气相沉积策略演示了在Si晶圆上无金属催化剂的准悬浮石墨烯生长。

有鉴于此，阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)张西祥、田博、Mario Lanza等报道发展了一种新颖的策略，通过生长过程进行非线性的提供碳，从而得以控制Cu基底上生长大小可控的六边形岛状石墨烯，成功的实现了密度、尺寸、间距可空的岛状石墨烯。

通过设计转移媒介的分子结构，在传统的转移媒介聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate, PMMA）加入含羟基易挥发小分子，确保了石墨烯与目标功能衬底之间的共形接触，进而通过机械剥离方法实现了转移介质与石墨烯的分离，得到了洁净、完整的石墨烯表面，实现了大面积石墨烯薄膜无损洁净转移。

大家好，我是电子科技大学教授李雪松。我在2009年发明了基于铜基底的化学气相沉积法制备大面积石墨烯薄膜的方法。这个工作发表于2009年Science，并被Science选为当年的重大科学突破之一。现在这个方法已经被广泛应用到学术领域和工业制备上，成为制备石墨烯薄膜的主要方法。

本研究构建了一种碳纤维纸-铜箔交替放置的叠层结构，以用于石墨烯薄膜的快速批量制备。碳纤维纸具有轻薄多孔的特性，其作为间隔层，不仅可以防止相邻铜箔间的粘连，还可作为前驱体传质的天然通道，进而有效提升石墨烯的生长速度。

General Graphene公司开发了一种使用大气压化学气相沉积（APCVD）的独特方法，该方法允许石墨烯和相关碳材料在不同的基板上生长，无论是纳米级还是微米级。此外，该公司观察到，通过该过程在微观尺度上产生的碳生长更类似于热解碳膜沉积，厚度范围约为50nm至5μm。

我们相信石墨烯作为一种使能材料具有类似的能力（碳和硅是元素周期表上的邻居并非巧合）。石墨烯既可以增强当今的产品和技术，又可以促进未来产品和技术的发展。这就是为什么通用石墨烯的核心焦点一直是短视的：为了释放石墨烯的潜力，我们必须首先证明以一致和可重复的质量大规模生产低成本石墨烯的能力。

石墨烯和其他二维(2D)材料在各种基底上的可用性形成了大面积应用的基础，例如石墨烯与硅基技术的集成，这需要石墨烯在硅上具有优异的载流子迁移率。然而，2D材料仅通过化学气相沉积方法在有限的原型衬底上产生。可靠的生长后转移技术不会产生裂纹、污染和褶皱，对于将2D材料层叠到任意基底上至关重要。

官网消息显示，辽宁百思特达半导体科技有限公司成立于2019年8月，注册资金5000万元，专业从事氮化镓外延片、氮化镓芯片以及石墨烯薄膜的研发、生产、应用、销售。

General Graphene公司的创始人兼首席财务官格雷戈里·埃里克森（Gregory Erickson）解释了石墨烯的特性，这些特性使其成为一种适应性强且需求旺盛的物质