化学气相沉积

根据源来资本观察，今年在电芯厂客户的要求下，国内已经积累多年的硅氧材料大厂和研磨法硅碳头部企业纷纷转型布局气相沉积硅碳技术路线，一些消息比较灵敏的硅基负极创业公司也纷纷开始转型，都花几十到几百万采购了气相沉积硅碳中式设备，进行气相沉积硅碳的开发。

通过解决与传统转移工艺相关的挑战并开发直接解决商业化历史瓶颈的新技术，General Graphene 成功展示了一条工业规模制造转移到聚合物的大面积卷对卷 CVD 石墨烯薄膜的道路。

得益于独一无二的自供碳衬底，在本研究中石墨烯的生长遵循新的机制——析出机制。将固态相变原理与经典CVD制备石墨烯的理论相结合，根据渗碳体在不同温度下的稳定性不同的特点，提出了还原机制和分解机制。

该方法的特点是对铜晶圆表面进行均匀氧化，并旋涂聚双酚A碳酸脂（PC)以及聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)作为转移媒介将石墨烯与铜晶圆机械“干法”分离，之后采用高分子共混策略实现石墨烯与目标衬底的无损动态辊压贴合，并在转移媒介中再混合低玻璃化转变温度的聚碳酸亚丙酯（PPC）促进石墨烯与目标衬底的共形接触，最终利用有机溶剂去除高分子转移媒介。

本工作从碳源选择和石墨烯生长基元步骤设计出发，总结了乙炔（C2H2）和CH4前驱体生长石墨烯的行为和规律：与CH4碳源不同，C2H2碳源裂解后优先在铜箔上游沉积石墨烯，且表现出明显的生长速率优势。

CVD法成为烯旺科技的核心技术。通过CVD法制得石墨烯透明薄膜，并经过电极设计和绝缘封装设计开发成柔性透明电热膜，实现了石墨烯下游应用产品的规模化生产。这是石墨烯发热膜的基础，使得这种新材料从实验室走向产品应用之路。