化学气相沉积
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多项成果世界领先！榆林在中国品牌日活动发布新品
兴汉澜墨凭借自主研发与独创设计，在全球范围内率先实现了通过化学气相沉积法工业化量产三维石墨烯粉体。
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郑钦仁论文被物理学报录用
本文通过调控化学气相沉积法制备石墨烯的生长参数,分别制备了单层石墨烯薄膜、石墨烯岛、有缓冲层石墨烯等3种形貌石墨烯，探究了石墨烯的形貌特征对其场发射性能的影响，并结合COMSOL多物理场仿真分析了石墨烯的形貌特征对其场发射性能的影响机制。
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ACS Nano | 化学气相沉积过程中石墨烯在液态铜上的生长动力学
自由能模拟表明碳活性物质的附着和甲烷活化都对生长的表观活化能(1.9±0.3 eV)有贡献，碳单体和二聚体都很容易结合到液态Cu表面，生长主要通过前者的附着进行。因此，二聚体附着作为固体Cu缺陷形成的可能来源已经减少，形成的五元环的自修复机制可以进一步减少石墨烯在液体表面边缘的缺陷。这些发现促进了我们对石墨烯在液态铜表面CVD生长所涉及的原子过程的理解。
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英国华威大学Phys. Rev. Lett.: Cu(111)上生长石墨烯的结构
在此研究中，作者报道了通过化学气相沉积（CVD）新的前驱体在超高真空中在Cu(111)单晶上生长石墨烯的XSW测量。基于最先进的长程多体色散DFT计算来预测结构，同时考虑了实验莫尔超结构。HSE06+MBD-NL XC泛函的DFT预测与实验结果非常吻合。计算准确预测了石墨烯覆盖层内碳原子的垂直高度，并表明包括多个莫尔超结构以准确模拟XSW测量至关重要。这项研究结果将为XC泛函开发提供有价值的参考数据，并可应用于其他衬底上的石墨烯。
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获多项发明专利并投入企业生产，青岛这位高校教师为提质增效“破局”
我们研发出了传统钢铁材料表面石墨烯薄膜的CVD制备技术，这个技术在新能源方面的有着广阔的应用场景。”曹宁说，“该成果基于固态相变和原子扩散理论，利用多元催化CVD技术，在传统不锈钢和低碳钢表面实现石墨烯薄膜绿色、廉价制备。”
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贝意克签约企知道科创空间，共启数字科创新征程
目前，贝意克已取得了一系列科研成果，累计申请专利70余项，开发了石墨烯、碳纳米管制备、OLED材料提纯设备等一系列先进设备;研发了第一台PE增强连续CVD石墨烯薄膜生长设备，走在全球前列;连续碳纳米管制备设备完全取代德国进口产品，升华仪打破了韩国对中国市场的垄断，标志着在高端制造领域取得了显著进展，不仅提升了产业的自主创新能力，也进一步证明了我国在全球科技竞争中的重要地位。
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三星取得形成石墨烯的方法专利，通过等离子体增强化学气相沉积在基板的表面上生长石墨烯
形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。
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正泰电器获得发明专利授权：“铜基合金触点的制备方法”
本发明涉及电触头材料领域，具体涉及一种铜基合金触点的制备方法，通过气相化学沉积法使铜粉表面生成石墨烯层，然后将包覆有石墨烯的铜粉与改性金属混合，并制成铜基合金触点；本发明的铜基合金触点制备方法，其制备的触点具有良好的耐腐蚀性、抗氧化性、导电性和抗熔焊能力。
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北方铜业(000737.SZ)：北铜新材料公司产品不包括铜缆
北铜新材料科公司产品为国内、国际市场前景好、需求量增长速度快、产品附加值高的集成线路用高强高导引线框架、电子接插件、压延铜箔专用超精电子铜带等高端铜及铜合金带材，5G通讯、航空航天、石墨烯薄膜制备、锂离子电池负极集流体、挠性覆铜板等用高性能铜及铜合金压延箔材、双面无胶挠性覆铜板。
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维萨里安公司 （“Versarien”、“公司”或“集团”） 韩国资产出售和知识产权许可
MCK Tech 首席执行官 Seungmin Cho 博士评论道：“收购 CVD 石墨烯生产设备是垂直整合 CVD 石墨烯制造和开发应用的战略举措。确保资产安全和知识产权授权将帮助我们成为更可靠的材料供应商为我们尊贵的客户服务，使我们能够缩短应用开发周期，提供涵盖 IT、军事和医疗保健行业的新型 CVD 石墨烯应用。随着我们收购三星 Techwin 和韩华宇航的传统，我们正在以他们的开拓性工作为基础，最重要的是，MCK Tech很高兴与著名的石墨烯公司Versarien建立牢固的合作关系，并期待在未来几年在CVD石墨烯以及石墨烯薄片的商业化方面进行合作。 ”
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Nano Res.[碳]│迈向石墨烯产业：氧辅助化学气相沉积的理论方法
在理论探究的过程中，结合实验结论，我们发现甲醇、乙醇等含氧碳源能够改善衬底上生长石墨烯的质量，在体系中引入O2、CO2、H2O等含氧助剂也在不同维度上影响了石墨烯的生长质量。这就给我们启示， O对石墨烯生长过程产生一系列的影响。本研究利用密度泛函理论来探索O在石墨烯生长中的作用。
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北京石墨烯研究院刘忠范院士-苏州大学能源学院张金灿教授联合博士后招聘启事
研究方向：1. 石墨烯材料的CVD制备及性能探索。2. 氢能制造、存储、输运与利用关键材料与器件。3. 碳基能源材料与器件的高分辨原位电镜和谱学表征。
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Adv. Mater.:晶圆级单晶石墨烯在Cu（111）单晶衬底上的可控制备
本工作报道了单晶度约为95%的4英寸蓝宝石上Cu(111)晶圆的制造。在温度梯度退火下实现了具有多晶织构的铜的异常晶粒生长，消除了面内孪晶界并伴随面外晶界的迁移。单晶Cu(111)晶圆的出现使得石墨烯的生长能够提高结晶度（>97%）。生长的4英寸单晶石墨烯晶在约290 K下测量时表现出平均迁移率约7284 cm2 V-1 s-1以及偏差约5%的均匀薄层电阻，为高质量的受控合成铺平了道路。
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Nano Res.[合成]│华南师范大学徐小志课题组：AB堆垛双层石墨烯单晶生长
华南师范大学徐小志课题组针对AB堆垛的双层石墨烯目前存在的随机成核问题，提出了一种在Cu/Ni（111）箔上制备AB堆垛双层石墨烯单晶薄膜的方法。采用一种耐热盒辅助策略有效消除了Cu/Ni（111）表面上的颗粒，大大减少了随机扭曲岛和无法控制的多层的发生。
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Adv. Mater.液态铜上原位生长高质量单晶转角双层石墨烯
本工作不仅给出了利用空间受限CVD方法合成单晶TBG的简便途径，液态铜基板优异的流动性和低粘度特性也为在其表面制造其他扭转的二维材料和对齐的TBG阵列提供了更多可能性。
