化学气相沉积
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科创平台和镇海辖区企业4年技术合同交易总额逾4.48亿元 “家门口”借智，赋能产业创新发展
在国家石墨烯创新中心专家帮扶下，柔碳科技攻坚“石墨烯薄膜连续卷对卷制备技术”项目，并借力该项目，喜获石墨烯车载应用技术等最新研究成果。“该项目助力我们推出了石墨烯高压水加热器、石墨烯加热内饰、石墨烯铜基复合材料及石墨烯电池加热膜等产品。”柔碳科技董事长汪伟介绍，这些新产品在提升汽车性能、舒适度、安全性方面潜力巨大。
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学院三个项目在山东省大学生创新大赛（2024）中获奖
石墨烯生产工艺创新与应用产品开发——项目以石墨烯生产工艺创新与应用产品开发为命题，团队经过分析讨论，加入了新技术的应用。通过加入二氧化碳干重整技术，降低甲烷分裂能垒，产生更多的活性碳原子，实现低温短时生产石墨烯；通过免转移的技术，实现不锈钢基底与石墨烯薄膜的一体化应用，打开市场应用前景；项目首创性地在不锈钢基底表面生长石墨烯，材料成本更低，来源更广，为石墨烯产品的大规模生产应用创造有利条件。
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张锦院士团队：石墨烯新应用！
综上所述，本研究设计了一个冷壁PECVD系统，该系统不仅可以通过耦合电场使VG垂直于底物生长，而且可以在低温下生长。此外，VG涂层Ti纤维作为FSEC电极表现出超快的速率性能和良好的电容性能。FSECs在120 Hz下具有良好的CV值和相角，具有任意的交流滤波性能，优于大多数已报道的光纤基电化学电容器。这项工作证明了VG在可穿戴电子设备中用于光纤电极的巨大潜力。
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2024, Advanced Materials——大面积二维材料的全干法转移
在我们的工作中，PVA 与山梨醇分子混合作为转移介质，与石墨烯形成强粘附力，从而能够从氧化的 Cu 表面直接剥离石墨烯（图 1a，详情见实验部分）。将石墨烯层压到目标基底上之后，将整个薄膜冷冻在 −80°C 以下会削弱石墨烯和聚合物之间的相应粘附力，从而有利于 PVA 薄膜随后从石墨烯表面干剥离。
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东华科技申请一种CVD制备石墨烯的装置及加料方法专利，实现反应炉的安全、连续化生产
本发明通过测量反应炉的重量间接测量出反应炉中熔融金属的液位，当反应炉中液位低于设定值时，通过连锁控制程序实现自动补充金属催化剂，从而实现反应炉的安全、连续化生产，装置结构简单、便于实现，方法便捷，更加有利于工业化的推广和应用。
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IF 17.1！二维材料的清洁转移：全面综述
本综述全面总结了当前 2D 材料的清洁转移方法，特别侧重于理解支撑层和 2D 材料之间的相互作用。审查涵盖各个方面，包括清洁转移方法、转移后清洁技术和清洁度评估。此外，它还分析和比较了这些清洁转移技术的优点和局限性。最后，回顾强调了与当前清洁转移方法相关的主要挑战，并对未来前景进行了展望。
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刘忠范院士团队：石墨烯新应用，又一首次！
本工作首次报道了通过二元前驱体协同CVD策略在GFF基底上可控生长石墨烯。利用分解效率高的乙炔作为活性炭原料实现石墨烯的快速生长，含氧丙酮则可提高石墨烯层的均匀性和晶体质量。二元前驱体的协同作用实现了石墨烯生长速率的提高同时降低了石墨烯的缺陷密度。设计了二元前驱体分叉引入-合流预混（BI-CP）系统，包括利用高精度注射泵控制液态丙酮的输送、二元前驱体与载气的预混合和汽化、气相传输管线的加热措施和监测单元，实现了前驱体的稳定可控引入。设计的BP-CP CVD系统可实现批次间和批次内GGFF的稳定制备，在热管理应用方面具有巨大的潜力。
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General Graphene公司推出在线商店–工业级 CVD 石墨烯和碳材料今日上市
“业务开发总监 Siddhant Bangur 说：”由于缺乏可扩展且价格合理的高质量石墨烯材料来源，有意义的石墨烯研发一直受到限制。”General Graphene 的新在线商店旨在直接解决石墨烯材料供应瓶颈问题，为全球公司和研究人员提供可扩展、可负担、可访问且可靠的 CVD 型石墨烯和碳材料来源。
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合作签约、揭牌！柔碳科技喜获投资2000万元
根据协议，鸿瑞达将向柔碳科技投资2000万元。鸿瑞达是专业从事股权投资和资产并购的风险投资机构，重点投资布局新能源、新材料及高端装备制造等面向未来并具有国家战略性的高新技术新兴产业。2023年末，鸿瑞达已完成对江苏常州一家石墨烯产业链企业的投资合作。“我们看好石墨烯产业的广阔前景，正加速推进柔碳科技等优秀石墨烯产业链企业的投资开发，为推动石墨烯产业化发展、高端应用场景开发发挥积极作用。”鸿瑞达投资总经理何俊理说。
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石墨烯VS清漆：抗氧化与防腐蚀性能大比拼！
这项研究通过实验证明了通过PECVD合成的厚度为2-3原子层的石墨烯涂层就有很好的保护效果，同时，我们还确定了通过浸涂实现氧化石墨烯涂层这一相对简单方法对铜线进行保护也是有一定可行性的。
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用于石墨烯薄膜的创新型卷对卷等离子工艺
利用新开发的 PECVD 工艺，Fraunhofer FEP 的研究人员已经能够以每分钟一米的速度在宽度为 280 毫米的金属带上合成石墨烯薄膜。因此，该工艺可实现较高的生产量，并为透视生产工艺节省成本。此外，该技术还能扩展可使用的基底材料，从而实现更广泛的应用。
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石墨烯，又又又发Nature！
研究者从两个方面证实了氧作为一个隐变量的作用。首先，研究者证明了微量氧在无H2和富H2条件下强烈改变生长动力学和结果。其次，研究者发现了微量氧和无定形碳积累之间的联系，对导电性有明显的影响。
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苏州大学《Nanoscale》：综述！批量生产无转移石墨烯的最新进展
本综述首先提出了在绝缘基底上批量生产无转移石墨烯的现有挑战，包括制备时间长、样品量小、批次间均匀性差以及可扩展生产的设备不足。报告全面总结了解决这些问题的策略设计方面的最新进展。报告还进一步介绍了我们对生长路线和相关可扩展生产设备开发的见解，旨在促进无转移石墨烯的批量生产及其实际应用。
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正泰电器获得发明专利授权：“生长单层石墨烯的工艺方法”
步骤1，将铜箔固定在阴极并置于酸性电解液中，在工作电极和对电极之间施加电压V0，对铜箔进行处理，持续时间t0；步骤2，将步骤1得到的铜箔依次置于去离子水和酒精中清洗，并用氮气吹干铜箔；步骤3，将步骤2得到的铜箔置在两层石墨片之间，采用化学气相沉积法，在铜箔两侧生长单层石墨烯；本发明的工艺方法，其制备的单层石墨烯纯净度高。
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正泰电器获得发明专利授权：“一种铜基石墨烯的制备方法及电触点的制备方法”
含酚羟基有机物、金属化合物溶解于溶剂中形成浆料，浆料与铜粉混合均匀形成铜基初体；铜基初体干燥形成铜基成品，铜基成品通过化学气相沉积法形成铜基石墨烯初体，最后经由除杂、烘干形成铜基石墨烯成品。本发明采用含酚羟基的有机物与金属离子发生络合反应，在铜粉中起到防烧结的作用，该防烧结剂不影响后期石墨烯的生长，且后序易除杂，除杂过程不影响成品的性能。铜基石墨烯进一步加工形成的电触点具有良好的导电性能。
