化学气相沉积
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东华科技申请一种CVD制备石墨烯的装置及加料方法专利，实现反应炉的安全、连续化生产
本发明通过测量反应炉的重量间接测量出反应炉中熔融金属的液位，当反应炉中液位低于设定值时，通过连锁控制程序实现自动补充金属催化剂，从而实现反应炉的安全、连续化生产，装置结构简单、便于实现，方法便捷，更加有利于工业化的推广和应用。
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IF 17.1！二维材料的清洁转移：全面综述
本综述全面总结了当前 2D 材料的清洁转移方法，特别侧重于理解支撑层和 2D 材料之间的相互作用。审查涵盖各个方面，包括清洁转移方法、转移后清洁技术和清洁度评估。此外，它还分析和比较了这些清洁转移技术的优点和局限性。最后，回顾强调了与当前清洁转移方法相关的主要挑战，并对未来前景进行了展望。
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刘忠范院士团队：石墨烯新应用，又一首次！
本工作首次报道了通过二元前驱体协同CVD策略在GFF基底上可控生长石墨烯。利用分解效率高的乙炔作为活性炭原料实现石墨烯的快速生长，含氧丙酮则可提高石墨烯层的均匀性和晶体质量。二元前驱体的协同作用实现了石墨烯生长速率的提高同时降低了石墨烯的缺陷密度。设计了二元前驱体分叉引入-合流预混（BI-CP）系统，包括利用高精度注射泵控制液态丙酮的输送、二元前驱体与载气的预混合和汽化、气相传输管线的加热措施和监测单元，实现了前驱体的稳定可控引入。设计的BP-CP CVD系统可实现批次间和批次内GGFF的稳定制备，在热管理应用方面具有巨大的潜力。
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General Graphene公司推出在线商店–工业级 CVD 石墨烯和碳材料今日上市
“业务开发总监 Siddhant Bangur 说：”由于缺乏可扩展且价格合理的高质量石墨烯材料来源，有意义的石墨烯研发一直受到限制。”General Graphene 的新在线商店旨在直接解决石墨烯材料供应瓶颈问题，为全球公司和研究人员提供可扩展、可负担、可访问且可靠的 CVD 型石墨烯和碳材料来源。
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合作签约、揭牌！柔碳科技喜获投资2000万元
根据协议，鸿瑞达将向柔碳科技投资2000万元。鸿瑞达是专业从事股权投资和资产并购的风险投资机构，重点投资布局新能源、新材料及高端装备制造等面向未来并具有国家战略性的高新技术新兴产业。2023年末，鸿瑞达已完成对江苏常州一家石墨烯产业链企业的投资合作。“我们看好石墨烯产业的广阔前景，正加速推进柔碳科技等优秀石墨烯产业链企业的投资开发，为推动石墨烯产业化发展、高端应用场景开发发挥积极作用。”鸿瑞达投资总经理何俊理说。
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石墨烯VS清漆：抗氧化与防腐蚀性能大比拼！
这项研究通过实验证明了通过PECVD合成的厚度为2-3原子层的石墨烯涂层就有很好的保护效果，同时，我们还确定了通过浸涂实现氧化石墨烯涂层这一相对简单方法对铜线进行保护也是有一定可行性的。
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用于石墨烯薄膜的创新型卷对卷等离子工艺
利用新开发的 PECVD 工艺，Fraunhofer FEP 的研究人员已经能够以每分钟一米的速度在宽度为 280 毫米的金属带上合成石墨烯薄膜。因此，该工艺可实现较高的生产量，并为透视生产工艺节省成本。此外，该技术还能扩展可使用的基底材料，从而实现更广泛的应用。
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石墨烯，又又又发Nature！
研究者从两个方面证实了氧作为一个隐变量的作用。首先，研究者证明了微量氧在无H2和富H2条件下强烈改变生长动力学和结果。其次，研究者发现了微量氧和无定形碳积累之间的联系，对导电性有明显的影响。
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苏州大学《Nanoscale》：综述！批量生产无转移石墨烯的最新进展
本综述首先提出了在绝缘基底上批量生产无转移石墨烯的现有挑战，包括制备时间长、样品量小、批次间均匀性差以及可扩展生产的设备不足。报告全面总结了解决这些问题的策略设计方面的最新进展。报告还进一步介绍了我们对生长路线和相关可扩展生产设备开发的见解，旨在促进无转移石墨烯的批量生产及其实际应用。
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正泰电器获得发明专利授权：“生长单层石墨烯的工艺方法”
步骤1，将铜箔固定在阴极并置于酸性电解液中，在工作电极和对电极之间施加电压V0，对铜箔进行处理，持续时间t0；步骤2，将步骤1得到的铜箔依次置于去离子水和酒精中清洗，并用氮气吹干铜箔；步骤3，将步骤2得到的铜箔置在两层石墨片之间，采用化学气相沉积法，在铜箔两侧生长单层石墨烯；本发明的工艺方法，其制备的单层石墨烯纯净度高。
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正泰电器获得发明专利授权：“一种铜基石墨烯的制备方法及电触点的制备方法”
含酚羟基有机物、金属化合物溶解于溶剂中形成浆料，浆料与铜粉混合均匀形成铜基初体；铜基初体干燥形成铜基成品，铜基成品通过化学气相沉积法形成铜基石墨烯初体，最后经由除杂、烘干形成铜基石墨烯成品。本发明采用含酚羟基的有机物与金属离子发生络合反应，在铜粉中起到防烧结的作用，该防烧结剂不影响后期石墨烯的生长，且后序易除杂，除杂过程不影响成品的性能。铜基石墨烯进一步加工形成的电触点具有良好的导电性能。
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多项成果世界领先！榆林在中国品牌日活动发布新品
兴汉澜墨凭借自主研发与独创设计，在全球范围内率先实现了通过化学气相沉积法工业化量产三维石墨烯粉体。
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郑钦仁论文被物理学报录用
本文通过调控化学气相沉积法制备石墨烯的生长参数,分别制备了单层石墨烯薄膜、石墨烯岛、有缓冲层石墨烯等3种形貌石墨烯，探究了石墨烯的形貌特征对其场发射性能的影响，并结合COMSOL多物理场仿真分析了石墨烯的形貌特征对其场发射性能的影响机制。
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ACS Nano | 化学气相沉积过程中石墨烯在液态铜上的生长动力学
自由能模拟表明碳活性物质的附着和甲烷活化都对生长的表观活化能(1.9±0.3 eV)有贡献，碳单体和二聚体都很容易结合到液态Cu表面，生长主要通过前者的附着进行。因此，二聚体附着作为固体Cu缺陷形成的可能来源已经减少，形成的五元环的自修复机制可以进一步减少石墨烯在液体表面边缘的缺陷。这些发现促进了我们对石墨烯在液态铜表面CVD生长所涉及的原子过程的理解。
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英国华威大学Phys. Rev. Lett.: Cu(111)上生长石墨烯的结构
在此研究中，作者报道了通过化学气相沉积（CVD）新的前驱体在超高真空中在Cu(111)单晶上生长石墨烯的XSW测量。基于最先进的长程多体色散DFT计算来预测结构，同时考虑了实验莫尔超结构。HSE06+MBD-NL XC泛函的DFT预测与实验结果非常吻合。计算准确预测了石墨烯覆盖层内碳原子的垂直高度，并表明包括多个莫尔超结构以准确模拟XSW测量至关重要。这项研究结果将为XC泛函开发提供有价值的参考数据，并可应用于其他衬底上的石墨烯。
