化学气相沉积

在这项研究中，科学家们通过 APCVD 方法在高纯度无氧铜箔（HP – OFC）上生长 BLG，以探索提高铜导电性的方法，并深入研究了其内在机制。他们首先对 HP – OFC 箔进行清洗和抛光处理，以去除表面氧化物和有机物，然后进行退火和 CVD 生长石墨烯的实验。

综上所述，本研究设计了一个冷壁PECVD系统，该系统不仅可以通过耦合电场使VG垂直于底物生长，而且可以在低温下生长。此外，VG涂层Ti纤维作为FSEC电极表现出超快的速率性能和良好的电容性能。FSECs在120 Hz下具有良好的CV值和相角，具有任意的交流滤波性能，优于大多数已报道的光纤基电化学电容器。这项工作证明了VG在可穿戴电子设备中用于光纤电极的巨大潜力。

在我们的工作中，PVA 与山梨醇分子混合作为转移介质，与石墨烯形成强粘附力，从而能够从氧化的 Cu 表面直接剥离石墨烯（图 1a，详情见实验部分）。将石墨烯层压到目标基底上之后，将整个薄膜冷冻在 −80°C 以下会削弱石墨烯和聚合物之间的相应粘附力，从而有利于 PVA 薄膜随后从石墨烯表面干剥离。

本工作首次报道了通过二元前驱体协同CVD策略在GFF基底上可控生长石墨烯。利用分解效率高的乙炔作为活性炭原料实现石墨烯的快速生长，含氧丙酮则可提高石墨烯层的均匀性和晶体质量。二元前驱体的协同作用实现了石墨烯生长速率的提高同时降低了石墨烯的缺陷密度。设计了二元前驱体分叉引入-合流预混（BI-CP）系统，包括利用高精度注射泵控制液态丙酮的输送、二元前驱体与载气的预混合和汽化、气相传输管线的加热措施和监测单元，实现了前驱体的稳定可控引入。设计的BP-CP CVD系统可实现批次间和批次内GGFF的稳定制备，在热管理应用方面具有巨大的潜力。

研究者从两个方面证实了氧作为一个隐变量的作用。首先，研究者证明了微量氧在无H2和富H2条件下强烈改变生长动力学和结果。其次，研究者发现了微量氧和无定形碳积累之间的联系，对导电性有明显的影响。