化学气相沉积

Zaretski 决心继续这个研究项目，于是来到加州大学圣地亚哥分校攻读纳米工程硕士学位。在纳米工程学教授达伦-利波米（Darren Lipomi）的指导下，Zaretski 开发了一种在铜基底上生长石墨烯并覆盖一层镍的方法。由于石墨烯与镍的粘附性比与铜的粘附性更好，因此整个石墨烯单层可以很容易地被移除，并在大面积上保持完好无损。

为了降低成本，为了完全自主生产，何利民首次大胆地采用了国产铜箔，通过生产前处理工艺使铜箔表面达到生产要求，并在其表面成功制备出高质量的石墨烯膜，这项改进，大大降低了石墨烯膜的生产成本，迈出了低成本生产的重要一步。

如果说利用CVD法制备石墨烯是一个难点，那么，把微观的石墨烯做宏观，更是难上加难。工艺如何控制？模具怎么设计？大片的膜能否连续生长？大尺寸石墨烯能否完整转移……这都是摆在何利民和他的团队面前的难题。

2011年，何利民所在的团队从国外引进一台先进的化学气相沉积(CVD)设备，引进该设备的初衷主要是用于叶片等的内腔涂层涂镀。在一次阅读文献时，何利民偶然发现，石墨烯材料的制备过程可以利用CVD设备来实现！如果能利用自己的设备成功制备出性能优异的石墨烯材料，那将在新的技术革命中成为领头羊！想到这一点后，他激动得夜不能寐。

12月20日上午，应二室超导课题组丁古巧博士的邀请，美国德克萨斯州立大学于庆凯博士访问了中科院上海微系统与信息技术研究所，并做了题为“Graphene Synthesis by Chemical Vapor Deposition”的学术报告。