化学气相沉积

该研究团队人员采用循环电化学抛光与高温热退火相结合的循环处理的方法，有效的将商用多晶商业铜箔转化为单晶Cu(111)，并对所制备大尺寸单晶Cu(111)箔进行了系列的形貌和晶面结构表征。

在本文中，作者通过CVD技术成功制备出一种自支撑的石墨烯薄膜，即通过使用可蚀刻的织物衬底，成功获得大规模纸草状的自支撑石墨烯织物薄膜(FS-GFF)。

铜衬底作为制备石墨烯的常用衬底，对石墨烯的畴区尺寸、层数控制等发挥着不可忽视的作用。由于不同晶面结构对称性和催化活性等的差异，铜衬底不同晶面上石墨烯生长的基元步骤也有所不同。与此同时，铜晶面对石墨烯表面本征污染物形成的影响及其相关机理还有待探究。

晶圆级石墨烯的合成及其应用，对硅半导体行业兼容的晶圆级器件集成，具有重要意义，然而很少有进展文章介绍这一课题。本文重点介绍了晶圆级石墨烯的合成策略、电子器件结构和新的器件应用概念的最近进展等。并在结语中提出了石墨烯合成和石墨烯基电子学的未来机遇。

石墨烯应用的一个主要挑战是缺乏大规模和高质量石墨烯生长和转移的大规模生产技术，德克萨斯大学Nan Hong等研究人员研究报道了一种用于通过化学气相沉积生长的大规模石墨烯的卷对卷 (R2R) 干转移工艺。该过程快速、可控且环保。避免了化学污染，并允许重复使用石墨烯生长基板。

近日，刘忠范院士团队自主设计研发了电磁感应加热石墨烯甚高温生长设备，并借助此设备在c面蓝宝石上直接生长出了由取向高度一致、大晶畴拼接而成的晶圆尺寸单层石墨烯薄膜。

“经过多年的研发，我们找到一个近乎完美的制备路径，以天然气为原料，通过裂解共生氢气和石墨烯。其制备路径无二氧化碳产生，不使用其它化学原料，所产生的氢气和石墨烯，质量高，价格低，无污染，低能耗。”于庆凯告诉记者，“在探索过程中，我们得到了中科院微系统与信息技术所和位于宝山环上大科技园的上海石墨烯产业技术功能型平台的鼎力支持，为我们提供了人力资源、资金、场地、设备，最终使这项技术成功孵化，将在今年年底形成规模产能。”

韩国基础科学研究所（IBS）Da Luo与Rodney S. Ruoff等研究者在单晶 Cu-Ni(111) 箔衬底上通过CVD法由乙烯前体生长单层石墨烯薄膜，并深入研究了石墨烯薄膜的起皱/折叠过程和机理。

实验材料使用一种较容易获得且廉价的前驱体，采用半封闭内管（SIT）结构化学气相沉积（CVD）方法来展示一种简单的替代掺杂方法，即生长单层石墨烯的同时铝原子直接嵌入石墨烯晶格中。