化学气相沉积

来自Sungkyunkwan University的Jong-Hyun Ahn教授和Byung Hee Hong教授合作报道了通过化学气相沉积在柔性铜衬底上生长的主要单层30英寸石墨烯膜的卷到卷生产和湿化学掺杂。薄膜的片电阻低至∼125 Ω □−1，透光率为97.4%，并表现出半整数量子Hall效应，表明其质量较高。他们进一步使用逐层堆叠来制造掺杂的四层薄膜，并在透明度为∼90%时测量其低至∼30 Ω □−1的薄层电阻，这优于铟锡氧化物等商业透明电极。

报告了使用市售的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，以可批量生产、无污染和无转移的方式在蓝宝石晶圆上直接生长高质量单层石墨烯。利用这种方法，基于石墨烯电极的忆阻器被开发出来，并且在包含石墨烯电极的器件制造中使用的所有工艺都可以在晶圆规模上进行。

经显微镜、衍射和光谱学分析证实，所得到的薄膜在原子层面上是平坦的，没有可检测到的裂缝或波纹，并且位于一层薄薄的Cu2O层之上。对部分去耦合的石墨烯进行生长后处理，使界面完全均匀氧化，极大地简化了随后的转移过程，特别是干法拾取——当处理直接在金属性Cu(111)上合成的石墨烯时，这一任务被证明是具有挑战性的。

在这项研究中，科学家们通过 APCVD 方法在高纯度无氧铜箔（HP – OFC）上生长 BLG，以探索提高铜导电性的方法，并深入研究了其内在机制。他们首先对 HP – OFC 箔进行清洗和抛光处理，以去除表面氧化物和有机物，然后进行退火和 CVD 生长石墨烯的实验。

综上所述，本研究设计了一个冷壁PECVD系统，该系统不仅可以通过耦合电场使VG垂直于底物生长，而且可以在低温下生长。此外，VG涂层Ti纤维作为FSEC电极表现出超快的速率性能和良好的电容性能。FSECs在120 Hz下具有良好的CV值和相角，具有任意的交流滤波性能，优于大多数已报道的光纤基电化学电容器。这项工作证明了VG在可穿戴电子设备中用于光纤电极的巨大潜力。

在我们的工作中，PVA 与山梨醇分子混合作为转移介质，与石墨烯形成强粘附力，从而能够从氧化的 Cu 表面直接剥离石墨烯（图 1a，详情见实验部分）。将石墨烯层压到目标基底上之后，将整个薄膜冷冻在 −80°C 以下会削弱石墨烯和聚合物之间的相应粘附力，从而有利于 PVA 薄膜随后从石墨烯表面干剥离。