科研进展

研究人员采用湿化学工艺在 MnAl（C）粉末上涂覆了 0.2 wt.% 的 GO。GO 的加入减少了打印部件中裂纹的形成，同时也影响了沿生长方向的001织构程度。打印后，参照材料和 0.2 wt.% GO 的密度分别达到 93% 和 87%。

浙江大学高分子系高超教授团队最新工作，提出“复合流场湿法纺丝”方法，纺丝的同时，引入径向的旋转流场，使原本径向无序分布的氧化石墨烯基元有序化排列，形成了同心圆的液晶织构，经过干燥和高温石墨化后处理，大幅增大纤维中晶区的三维尺寸，同时实现了纤维的超高导热和超高模量性能，导热率达1660 W/mK，杨氏模量达901GPa。

该团队通过调节入射红外光的波长，借此找到一个十分合适的波段，并让这一波段刚好处于六方氮化硼垂直方向的声子模式波段。在该波段之下，六方氮化硼就像波导一样，能将石墨烯的光学信号传导到六方氮化硼的上表面。这时在六方氮化硼的上表面，针尖就能够扫描到石墨烯的红外信号。

在石墨烯涂层蓝宝石衬底上生长的高质量GaN膜可以通过使用热释放带轻易地剥离并转移到外来衬底上。此外，揭示了在GaN生长过程中氨流的脉冲操作是制备高质量独立GaN膜的关键因素。

来自韩国科学技术院物理系的Sun-Woo Kim等，证明了以局部角态为特征的高阶拓扑绝缘体（HOTI）相，作为原始HOTI的复制体而出现，从而实现霍夫施塔特能谱的自相似性。他们证明了在所有相称的角度下，TBG中均存在精确的通量平移对称性。

二维材料具有构建高集成度、高效光电器件的特性，在未来集成光电子器件中有重要前景。按照电学导电性，可分为导体、绝缘体和半导体等。其种类丰富，半导体具有高迁移率，电子光电器件具有高开关比，可通过异质结任意搭配来进行器件性能改善。其中，基于石墨烯、二硒化钨、贵金属硫族化合物的电子光电器件性能优异，成为逄金波教授课题组研究的首选课题。

首先，基于分子动力学（MD）模拟，在气液界面处，氧化石墨烯的诱导增加了气体传递量，缩短了氧化石墨烯提供的非均相成核位点上水合物成核的诱导时间，吸引了聚集在氧化石墨烯层上的CO2分子参与水合物成核。本研究可为通过气体水合物法捕获CO2的新型纳米材料加速器的开发提供见解。