科研进展

印度理工学院卡拉格普尔分校Titash Mondal教授等人研究采用了一种基于模板印刷的方法，使用液态聚异戊二烯橡胶、过氧化二异丙苯和石墨烯等成分。这种方法不仅使制备过程更加简化和经济，还降低了碳足迹。最终，研究解决了新型传感器可能面临的问题，特别是在无干扰的呼吸监测方面。通过开发基于弯曲应变的传感器，研究团队成功地消除了信号串扰，提高了传感器的精确性。

研究建议使用carbopol水凝胶（HG）局部施用纳米氧化物（GOn）和部分还原纳米氧化物（p-rGOn），用于BCC的光热疗法（PTT）。

在这项研究中，开发了一种新型的功率超声(PUS)辅助搅拌技术，以优化氧化石墨烯在水泥浆中的分散。

将两个清洗过的碳电极连接到直流电源作为阴极和阳极。在电解液中，阴极和阳极之间的距离保持在大约2厘米。电化学剥离过程在5V下进行，时间为24小时。反应结束后，黑色溶液超声4h，过滤，乙醇洗涤，去离子水。最后，将黑色浆料在100℃下干燥6h，得到石墨烯纳米片(GNS)。

总体而言，低σ时，静电屏蔽主导离子输运，而高σ时强残留引力形成的离子团块阻碍通道。这些发现为新型纳米流体器件和整流方向可调离子二极管的设计提供了前景。

这项研究通过采用 h-BN/单层石墨烯/h-BN 异质结和极其精确的电子束光刻技术，展示了石墨烯几何二极管的重大进步。

本工作报道了单晶度约为95%的4英寸蓝宝石上Cu(111)晶圆的制造。在温度梯度退火下实现了具有多晶织构的铜的异常晶粒生长，消除了面内孪晶界并伴随面外晶界的迁移。单晶Cu(111)晶圆的出现使得石墨烯的生长能够提高结晶度（>97%）。生长的4英寸单晶石墨烯晶在约290 K下测量时表现出平均迁移率约7284 cm2 V-1 s-1以及偏差约5%的均匀薄层电阻，为高质量的受控合成铺平了道路。

自1926年被首次报道以来，碱金属（AMs）在石墨中的插层已经被广泛研究了近一个世纪。AMs包括锂（Li）、钠（Na）、钾（K）、铷（Rb）和铯（Cs），由于其低电负性、高反应性、催化行为和在石墨中存储电荷的能力而引起了特别的兴趣。石墨烯层之间的AMs插层有望用于电子操纵和能量存储，虽然进行了广泛的研究，但其潜在机制仍然具有挑战性。

系统研究了石墨烯含量对电热膜形貌、微观结构、电热性能以及机械柔性的影响。结果表明，GE/PI 电热膜不仅保留了石墨烯的良好导电性，还具有聚酰亚胺的优异机械性能和高耐热性。添加了8wt. % GE的电热膜在24V电压下可迅速达到 390 ℃，且温度分布均匀，500 ℃时的质量损失仅为 0.98 wt. %。这种薄膜在柔性电热元件等领域有着广泛的应用。

华南师范大学徐小志课题组针对AB堆垛的双层石墨烯目前存在的随机成核问题，提出了一种在Cu/Ni（111）箔上制备AB堆垛双层石墨烯单晶薄膜的方法。采用一种耐热盒辅助策略有效消除了Cu/Ni（111）表面上的颗粒，大大减少了随机扭曲岛和无法控制的多层的发生。

该文章研究了温度和红外光作用下液晶聚合物网络厚度对响应的形变角度和速度性能的影响，并制备了几种仿生器件。