科研进展

通过将一维羧基化多壁碳纳米管（MWCNTs-COOH）插入二维氧化石墨烯（GO）纳米片中，可以轻松制备出具有精细分级纳米结构的GO/CNTs复合膜，用于高效的有机废水处理。与原始GO膜相比，它的水渗透通量提高了近10倍，同时保持了高截留率。此外，静电相互作用和尺寸排阻效应协同作用，导致GO/CNTs膜对不同带正/负电荷的染料和中性有机分子的有效分离性能。这种GO/CNTs膜还表现出良好的耐酸性化学稳定性和高效的分离性能。

在本综述中，我们重点关注活性炭（AC）、碳纳米管（CNT）、石墨纳米纤维（GNF）和石墨烯等材料在氢储存方面的应用，如表4所示。使用AC、CNT、GNF和石墨烯纳米复合材料进行氢储存的机制的例子分别如图6-9所示（表5）。

异质结与还原氧化石墨烯的协同作用，具有多种电子传递通道，加速了载流子的分离/转移，提高了电子的应用效率，利用了更多的电子积累在复合材料表面。最终，有足够的电子参与CO2还原为CO、CH4和C2+碳氢化合物。

结合国内外行业发展状况提出了一种新的解决方案，即采用范德华剥离技术制备具有三维凸起接触的单层2D晶体管。这一技术的核心思想是通过在多层2D通道的顶部堆叠平坦金属层，然后在剥离金属时逐层剥离2D层，从而实现对底部2D通道的原子层精度的受控剥离。

在本研究中，通过调节烧结温度，在铝和石墨烯之间生成了不同的界面产物，并研究了它们对石墨烯/铝复合材料力学和电学特性的影响。

OVG沉积在芯片与散热器的接触界面上，作为热传导增强层，促进热量从芯片快速传递到散热片。BVG则沉积在散热器的翅片表面，作为热辐射增强层，促进热量从散热器快速辐射到周围空气中。

首先详细介绍了材料合成技术和包括器件结构、介电和接触工程以及材料转移在内的晶体管制造工艺。然后讨论了典型芯片领域的二维晶体管应用现状，包括数字和模拟电路、异构集成芯片和传感电路。此外，还介绍了基于特定机制器件的几种有前景的新兴应用方向(人工智能芯片和量子芯片)。最后，分析了二维材料在实现电路级或系统级应用时遇到的挑战，并进一步推测和展望了潜在的发展路线。

QDs/2D材料结合形成异质结已成为克服单个材料局限性和提高整体性能的有效策略。通过将QDs与2D材料相结合，可以获得以下几个优势：第一，QDs可以有效地吸收和利用光，弥补2D材料吸收光的不足。第二，异质结中的2D材料可以提供界面和通道，从本质上促进电荷传输，解决量子点的低迁移率问题。第三，QDs的可调谐吸收波长特性可以弥补某些2D材料的有限响应带，实现宽带探测。

该技术利用高功率直流脉冲通过导电材料进行快速而强烈的电阻加热，能够在毫秒级时间内修复LIG的拓扑缺陷。通过对LIG图案进行短时高温处理，称为F-LIG，研究人员成功地改善了其结晶度和电导率，并实现了对缺陷结构的修复。这一技术的出现为LIG的进一步应用提供了新的可能性，特别是在高性能电子器件和抗菌表面方面具有重要意义。