科研进展

亚琛工业大学电子器件教研室 (ELD) 和 AMO GmbH 的研究人员发现，通过激光照射接触区可大幅降低 RC – 据报道，与未经处理的设备相比，RC 降低了 70%。 这归因于缺陷密度的增加，而缺陷密度的增加会形成晶粒边缘和面内悬键，从而增强电荷载流子从金属注入石墨烯的能力。

石墨烯超材料器件。石墨烯在太赫兹波段的电导率与直流电导率呈正相关，因此可以通过调制费米能级实现对太赫兹波的高效宽带调制。典型的调制应用包括类二极管光学器件、宽带相位调制器件、光存储器件和非线性器件。基于电驱动的石墨烯超材料器件的调制速度仍然受到 RC 时间的限制；此外，其自身有限的厚度也限制了与光相互作用的强度，需要依靠超材料极强的局部场增强来提高调制深度。

EPFL工程师创造了一种设备，可以在低于外太空温度的温度下有效地将热量转化为电压，该设备利用了能斯特效应：一种复杂的热电现象，当磁场垂直于温度变化的物体时，会产生电压。实验室设备的2D特性允许以电气方式控制该机构的效率。这项创新可能有助于克服量子计算技术进步的一个重大障碍，因为量子计算技术需要极低的温度才能发挥最佳作用。

本文研究了一种在有机溶剂中超声选择性分离过渡金属二硫族化合物(TMDCs)的方法。分析表明，溶剂与TMDCs之间的低界面能对于超声下片状材料的有效去除具有重要意义。重要的是，与大块薄片相邻的单层在界面处显示解理，并且单层可以选择性地隔离在衬底上。该方法可以扩展到制备具有围绕单层的17个电极手指的单层器件，并用于静电器件性能的测量。

缺陷在电子运动中扮演着重要角色，这就是为什么像科克这样的科学家热衷于准确了解缺陷的位置及其行为方式。当科克的同行们得知他的团队的新技术可以让他们轻松获得这些信息时，都感到非常兴奋。

在免费提供的演示录音中，研究人员 Filimon Zacharatos 展示了横向尺寸从 40 微米到 200 微米不等的二维材料像素的打印技术。 这项工作还展示了使用数字印刷方法在柔性基板上制作金属触点，然后在触点上进行石墨烯的 LIFT 沉积。 这样获得的石墨烯晶体管具有极高的载流子迁移率，最小器件的空穴迁移率达到 1800 cm2/Vs。 研究人员还展示了六方氮化硼（hBN）和预制 hBN/ 石墨烯堆栈的转移，这两种方法都非常成功。

分散在水中的单个 GO 片的二维结构是沉积无机材料的一个令人兴奋的模板，尤其是现在可以设计接枝聚合物链，使其能够承受离子前驱体的浓度，从而使片材保持分散，并可作为晶体成核点。

莱施的研究–也是她在比赛中的演讲–侧重于利用农业废品作为合成类石墨烯材料的前体。”接下来的步骤包括进一步研究–也许是以博士论文的形式–这将涉及优化、升级，并可能在 UWC 技术转让办公室的帮助下进行知识产权保护”。

石墨烯能够达到热发射所需的温度，并具有良好的发射率，因此已成为中红外发射器的理想候选材料。 石墨烯的单层结构可实现理想的近场耦合，而不会明显扭曲导波模式，因此非常适合与硅光子波导集成。