科研进展

经显微镜、衍射和光谱学分析证实，所得到的薄膜在原子层面上是平坦的，没有可检测到的裂缝或波纹，并且位于一层薄薄的Cu2O层之上。对部分去耦合的石墨烯进行生长后处理，使界面完全均匀氧化，极大地简化了随后的转移过程，特别是干法拾取——当处理直接在金属性Cu(111)上合成的石墨烯时，这一任务被证明是具有挑战性的。

研究提出了一种可扩展且具有成本效益的界面增强策略，通过用聚乙烯亚胺改性聚酰胺纱线以增强其与氧化石墨烯（GO）片的相互作用，然后用氢碘酸还原 GO 成分，从而制造出具有令人满意的机械性能的高导电性纱线。

本文提出了一种基于改进的Hummers法从废旧锂离子电池中的废弃石墨（WG）制备多孔还原氧化石墨烯（p-rGO）的方法。

本研究旨在提供一种构建用于封装 PCM 的各向异性气凝胶的有效策略，并确定 PVA/石墨烯材料组合在热管理应用中的巨大潜力。

北京大学物理学院量子材料科学中心杜瑞瑞课题组与合作者利用扫描隧道显微镜系统对α-RuCl3/石墨烯异质结中α-RuCl3的电子态进行了系统研究

GPX-5的吸附机制主要涉及铀原子的相对活跃的7s和5f轨道与磺酸基团中的硫和氧的2p轨道之间的相互作用，从而形成配位键。此外，主要由静电吸引力驱动的弱相互作用也在吸附过程中发挥作用。该研究提供了一种简单且可扩展的方法来制造GO-COF层状复合膜，展示了从废水中提取铀的有希望的应用前景。

在这项研究中，科学家们通过 APCVD 方法在高纯度无氧铜箔（HP – OFC）上生长 BLG，以探索提高铜导电性的方法，并深入研究了其内在机制。他们首先对 HP – OFC 箔进行清洗和抛光处理，以去除表面氧化物和有机物，然后进行退火和 CVD 生长石墨烯的实验。

在此研究中，利用扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）结合密度泛函理论（DFT）计算和平均场哈密顿量来研究石墨烯/1T-TaS2，作者证明了石墨烯中PI-CDW的存在，并阐明了两个体系之间耦合的细节。这是由于这两种材料的独特性质，1T-TaS2中CDW和Mott能隙的共存，以及石墨烯中电子的狄拉克谱，能够区分石墨烯中的PI-CDW和宿主CDW的贡献，并排除屏蔽诱导的电荷调制。研究提出了一种基于石墨烯和1T-TaS2中载流子之间短程交换相互作用的模型，该模型捕捉到了CDW近邻效应的主要特征。

采用了一种两步电化学方法，其中特别设计的插层步骤可控制石墨烯纳米片的表面功能。全面的表征揭示了石墨烯纳米片的物理化学特性对均匀性、流变性、导电性和 EMI 屏蔽效果 (SE) 的重要影响。