吉仓纳米

我们在此报告了一种方便的静电吸附辅助溶剂热方法，用于原位制备超薄Co(OH)2-CoO/氧化石墨烯纳米片杂化物(标记为Co-O-H NSs/GO-x)，作为碱性介质中OER的高效电催化剂。

在这项研究中，开发了一种新型的功率超声(PUS)辅助搅拌技术，以优化氧化石墨烯在水泥浆中的分散。

使用标准台式打印机制备了以柔性卡普顿®为基底的喷墨印刷电极(IPEs)和易于制备的氧化石墨烯(GO)基油墨(K/GO)。随后，将其提交后处理热处理(K/GOTR400)，并在pH 7.0(接近生理pH值)下作为一次性工作电极(WEs)进行双氯芬酸(DCF)间接电化学检测。

我们提出了一种简便的插层和压力烧结方法，可以仅制造和暴露石墨烯边缘。暴露边缘的量子电容与局域态密度 (DOS) 成正比，可用于生化传感。值得注意的是，由于一维石墨烯边缘的边缘电场增强和生物分子会聚，我们能够在几分钟内检测到 0.01 fg/mL 浓度的四种代表性氨基酸。这些在石墨烯边缘的创新量子电容测量方面取得的成就，与通过消除复杂的微纳米处理而实现的简单而稳健的器件制造相结合，为具有不断要求的灵敏度的下一代生化传感器提供了新的途径。

我们报告了一种在反应性反铁磁材料 CrI 3上具有磁化单层石墨烯的自旋选择性薄膜晶体管。石墨烯和CrI 3原子层之间的自旋相关杂化使得单层石墨烯中的自旋选择性带隙打开以及特定CrI 3层中磁化的电场控制成为可能。我们的第一性原理计算和运输数据的理论分析阐明了微观工作原理。我们通过电气手段对磁邻近效应进行微妙的操纵，实现了可靠的记忆晶体管操作（即存储器和逻辑器件组合操作）以及磁化石墨烯中朗道能级的自旋选择性探针。

我们开发了一种Cu/W18O49@Graphene解决挥发性有机物污染的光热光催化材料。Cu和W18O49之间的等离子体耦合增强了光吸收，1–2层石墨烯封装保护W18O49内的氧空位，同时促进热电子提取，有效缓解其超快弛豫。

得益于石墨烯的负载，含2%石墨烯的复合材料的比表面积约为纯BiFeO3的两倍，从而获得了较高的Fe2+水平。高Fe2+水平促进超声辅助活化过氧单硫酸盐有效降解盐酸四环素。特别是在50 W超声辐射下反应6 min，去除率可达~100%。该复合催化剂性能稳定，可循环利用，可应用于实际废水处理。

在这里，克服了石墨烯电池传感器在典型软衬底（即聚（二甲基硅氧烷）（PDMS））上常规实现所面临的几个挑战。系统地研究了石墨烯转移前后表面能的影响。因此，本研究已经确定了合适的载体聚合物、最佳的基质（预）处理和用于去除载体的合适溶剂。

本研究展示了有限传递动量下多体效应对电子激发的重要性。在GW近似和Bethe–Salpeter方程中分别讨论了准粒子校正和激子效应。这两种效应在EEL光谱的描述中都是至关重要的，以获得与实验的定量一致性，激发间隙和π等离子体激元的位置、色散和形状都受到激子效应的显著影响。

在石墨烯涂层蓝宝石衬底上生长的高质量GaN膜可以通过使用热释放带轻易地剥离并转移到外来衬底上。此外，揭示了在GaN生长过程中氨流的脉冲操作是制备高质量独立GaN膜的关键因素。

WGL HTs的ORR活性由WGL的曲率半径及其连续性决定。曲率半径影响氧气的吸附状态，如从氧气吸附测量中获得的平衡常数所示。通过功函数测量确定，石墨层的连续性也促进了电子向吸附氧的传输。WGL HTs的ORR活性位点充当氧吸附位点，π-电子系统将电子转移到吸附的氧上。

这项研究表明，电场中二维表面上的原子迁移是由一幅不同于电场中带电粒子常用静电描述的图片决定的，因为潜在的键合和分子轨道结构与电迁移力的定义相关。因此，包括原子配体场的扩展模型可以更好地理解非平衡条件下吸附质在表面上的扩散。

我们使用像差校正的扫描透射电子显微镜、纳米束电子衍射和电子能量损失谱（EELS）来表征燃料电池运行前后掺B FLG的原子和电子结构。这些数据表明，掺杂B的FLG的纳米级波纹是提高稳定性和高耐腐蚀性的关键因素。

研究发现，随着石墨烯含量从0增加到15 wt%，复合材料的电导率从2.3×10-10显著增加到4.14×10-3 S/m，随着添加5 wt%的C10[VImBr]2，电导率进一步增加到0.145 S/m。当石墨烯含量从0增加到15时，复合材料的电磁屏蔽效率从4.70提高到28.64dB，而当石墨烯的含量从0提高到15时复合材料的冲击强度从0.59显著提高到1.13kJ/m2，当C10[VImBr]2的含量为5时，复合材料的冲击强度达到1.53kJ/m2。