吉仓纳米

我们首先展示了石墨烯在生长GaN之前的热稳定性，在此基础上开发了GaN在石墨烯/AlN上的两步生长。GaN样品在750℃的第一步生长后成功剥离，而在1050℃的第二步生长后剥离失败。深入分析证实，AlN模板中的凹坑导致该区域附近石墨烯的降解，从而导致生长模式的改变和剥离失败。

该方法允许获得具有390S/m的电导率和低缺陷密度的高导电石墨烯气凝胶。使用X射线光电子和拉曼光谱对羧基、羟基、环氧化物和酮氧物种的作用进行了彻底的研究。我们的研究为氧化石墨烯从室温到2700°C的老化和热还原过程中发生的化学转变提供了独特的见解。

本研究考虑了基于孔矩阵混合羰基化（C-ny）石墨烯膜的片上多传感器阵列的制备和气敏性能，该膜的厚度和酮基浓度逐渐变化，最高可达12.5at.%。C-ny石墨烯对甲醇和乙醇的化学电阻响应增强，当与空气混合时，浓度为100ppm，以符合OSHA允许的暴露限值。在通过核心级技术和密度泛函理论进行彻底表征后，确定了C-ny石墨烯穿孔结构和大量酮基在推进化学电阻效应中的主导作用。为了推进实际应用，利用多传感器阵列的矢量信号，通过线性判别分析对所研究的醇进行了选择性判别，并显示了所制造的芯片的长期性能。

本文通过利用石墨烯场效应晶体管（GFET）的接触微结构中的应变诱导可逆裂纹，介绍了一种新型的应变电子PUF（SPUF）。

在扭曲的石墨烯层中观察到了各种涌现的相关电子现象。据报道，许多电子结构预测都在探索这一新领域，但很少有动量分辨电子结构测量来测试它们。

Hg0的氧化效率随反应温度的升高而降低，依次为η100℃ = η150℃ > η200℃，说明Hg0的氧化是由吸附控制的质量传递而不是光热催化反应控制的。Hg0在100-200℃时的氧化过程包括光催化和热催化两种反应机制。此外，rGO修饰的CeO2/TiO2可以耐受除100 ppm NO外的多种污染物(如SO2和NO)，这略微降低了Hg0的氧化效率。

该体系对阴离子(Cl-、SO42-、H2PO4-)和腐殖酸具有良好的耐蚀性，对多种典型污染物具有优良的降解性能。此外，它可以在较宽的pH范围(3-9)内有效工作，具有高稳定性和可重复使用性，金属浸出远低于安全标准。本研究拓展了金属共催化的实际应用，为处理有机废水提供了一种很有前景的类芬顿催化剂。

GO@MAFcNTO优异的催化性能不仅来自于铁在二茂铁衍生物的氧化石墨烯片层中的均匀分散，还来自于氧化石墨烯优异的导电性以及氧化石墨烯与MAFcNTO的协同作用。其中，氧化石墨烯在反应过程中主要起到降低活化能的作用，二茂铁衍生物在反应过程中提供了大量的活性位点，两者的协同作用促使配合物具有良好的催化活性。

利用分子动力学，我们证明了温度可以极大地改变纳米鼓的石墨烯的形态。特别是，一个临界温度决定了石墨烯是被吸引到纳米腔内还是悬浮在纳米腔上。

从TEM表征中可以观察到，Ca2+修饰的TiO2纳米粒子分散在石墨烯层上，界面接触紧密。Ca2+/TiO2/G的电阻率比未修饰的化合物降低了约70%。电导率的增强可归因于Ca2+/TiO2与G之间更强的结合强度，以及形成额外的电荷转移途径。因此，可以加速界面电荷转移和电导率。此外，第一性原理计算证实，电荷转移确实通过Ca2+修饰增加。

本文利用增加输入光功率的单层石墨烯-二氧化硅混合波导，实现了脉冲宽度为1.57 μs~ 5.06 μs、重复频率为47.23 kHz ~ 85.33 kHz的调Q脉冲，最大单脉冲能量为56.5 nJ。通过在石墨烯-二氧化硅混合波导上涂覆聚甲基丙烯酸甲酯层，增强了石墨烯与波导中传播光的相互作用。将调Q泵浦功率阈值降低了2.5倍，实现了脉宽为1.21 μs的调Q脉冲。此外，随着泵浦功率的增加，还观察到调Q锁模脉冲。

我们发现光照射可以解除谷简并，并诱发纯粹的异常Hall和Nernst电流。Hall和Nernst电导率可以通过非共振圆偏振光进行切换。作为费米能量的函数，Berry曲率为奇函数。当费米能量与低导带或价带边缘重合时，Berry曲率、异常Hall和Nernst电导率达到最大值。在一定的费米能量下，反常Hall电导率随光照参数的增加而线性增加，而Nernst电导率则先增大后减小。

我们采用密度泛函理论(DFT)计算研究系统地求解了孪晶T-石墨烯，氮掺杂(N-掺杂)TTG和硼掺杂(B-掺杂)TTG，并评估了它们在可操作热力学条件下的储氢性能。

本研究将还原氧化石墨烯-锌-铝层状双金属氢氧化物(RGO-LDH)纳米杂化物填充到WPU涂层中制备光热纺织品。采用聚多巴胺(PDA)对RGO-LDH纳米杂化物进行表面修饰，以改善其在WPU中的分散性。

在这项研究中，通过静电纺丝、热解、冷冻-制备了一种新型三维阳极电催化剂，由碳纳米纤维 (CNF) 和还原氧化石墨烯 (rGO) 组成，干燥法和水热法用于模板化 MoS2纳米花 (rGO/CNF@MoS2) 的生长。