吉仓纳米

本文提出，由于 sp2 和 sp3 杂化的平衡，优化石墨烯上的含氧量有望满足这些需求。使用中等氧化程度的石墨烯，可轻松获得柔韧性好、导电、耐水且易于加工的薄膜，这有利于制备自支撑 MSC 电极。

我们采用粗粒度分子动力学模拟来研究聚甲基丙烯酸甲酯（p(MMA)）的接枝密度（g）和接枝链长度（n）如何影响石墨烯的分散，其中石墨烯被分为三种不同的形态，即“聚集”、“插层”和“未结合”。我们发现，增加 g 和 n 可以增强石墨烯的分散性，表现为更高的分散性参数（fd）、更强的界面相互作用、更大的石墨烯簇的高斯表面积和更低的聚集能量（EAggregation）。我们的结果还表明，较高的 fd 与纳米复合材料中较高的杨氏模量相关，达到最大值 4.18 GPa。 然而，纳米复合材料的电导率最初随着 g 和 n 的增加而上升，但在 g > 5% 和 n > 10 之后由于石墨烯过度分散导致导电通道减少而下降，这一点通过导电边缘分析得以揭示。此外，自由聚合物分数和链长显著影响韧性，而在石墨烯上接枝 p(MMA) 链会由于石墨烯的内在刚性减缓周围聚合物的动态，这一效应在较高 fd（良好分散）时更为明显。

本文基于单晶生长理论，研究了维持稳定、一致生长驱动力的方法。对比分析表明，与稳定压力条件下生长的样品相比，每种动态调节方法都显著增加了石墨烯的尺寸。

结果表明，纯EG/Water冷却剂使系统的峰值温度降低了16.67%(60℃ – 50℃)，当加入0.03 vol% GNP时，峰值温度进一步降低到26.85℃(降低55.25%)。与纯混合物相比，仅添加0.001 vol%的GNPs，模型中峰值温度的差异从10℃增加到31.15℃。更高的导热系数，更大的表面积和更高的粒子比热容均归因于这种冷却性能的增强。

报告了使用市售的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，以可批量生产、无污染和无转移的方式在蓝宝石晶圆上直接生长高质量单层石墨烯。利用这种方法，基于石墨烯电极的忆阻器被开发出来，并且在包含石墨烯电极的器件制造中使用的所有工艺都可以在晶圆规模上进行。

本文基于密度泛函理论进行理论计算，探索氧化石墨烯上羟基和环氧基的热力学分布。影响氧化石墨烯结构稳定性的关键因素有三个:电子分布、位阻和氢键增强，导致羟基和环氧基在氧化石墨烯的两侧紧密分布。因此，我们提出氧化官能团在氧化石墨烯上的选择性近端分布，并认为岛状氧化区更有利于在氧化石墨烯的实际结构上形成。这种选择性的近似前台阶分布模式有助于解释氧化石墨烯表面的起源和演化，并有助于理解二维单层结构的微观表面化学。

在本研究中，对纯铜(纯Cu)和Gr/Cu复合材料进行了对比研究，重点研究了晶粒之间的相互约束和晶粒内变形行为。轧制后，纯Cu晶粒在晶粒内的取向差异较大，而Gr/Cu复合材料在晶粒内的取向更均匀。这种差异是由于石墨烯片层间滑移机制影响了晶粒的滑移和旋转，从而影响了晶粒内部的晶粒取向展布(GOS)。本研究揭示了石墨烯在Gr/Cu复合材料变形中的关键作用，从而为理解和优化材料的变形行为提供了关键见解。

第一步是原料在600℃下碳化，接着是球磨，然后在1200℃下使用KOH进行石墨化。通过对制备的生物石墨烯和商用石墨烯的对比分析，揭示了粗麻基石墨烯优越的石墨烯性能。值得注意的是，这种生物基石墨烯表现出优异的特性，如1021 m2/g的BET表面积，拉曼光谱中的缺陷与石墨烯之比低至0.12，总产率为19% wt。这些发现突出了粗麻袋废料作为高质量石墨烯合成的可持续前体的潜力及其在各种应用中的潜力。

我们提出了一种二胺试剂交联和还原 GO 的策略，以限制碳化过程中的体积膨胀。胺基团与含氧官能团（-COOH、-C-O-C）发生亲核取代和缩合反应，形成-C-N键，通过改变化学结构来拓宽产气温度范围。与二甲胺基丙胺和 N-异丙基乙二胺相比，含有对称伯胺的乙二胺能与 GO 充分反应，形成坚固的结构。基于这些观察结果，乙二胺改性薄膜显示出比纯石墨烯薄膜更低的膨胀率（115.2%）和更高的面内热导率（∼1180 W m-1 K-1）（分别为 152.6% 和 ∼980 W m-1 K-1）。

通过将一维羧基化多壁碳纳米管（MWCNTs-COOH）插入二维氧化石墨烯（GO）纳米片中，可以轻松制备出具有精细分级纳米结构的GO/CNTs复合膜，用于高效的有机废水处理。与原始GO膜相比，它的水渗透通量提高了近10倍，同时保持了高截留率。此外，静电相互作用和尺寸排阻效应协同作用，导致GO/CNTs膜对不同带正/负电荷的染料和中性有机分子的有效分离性能。这种GO/CNTs膜还表现出良好的耐酸性化学稳定性和高效的分离性能。

在本研究中，通过调节烧结温度，在铝和石墨烯之间生成了不同的界面产物，并研究了它们对石墨烯/铝复合材料力学和电学特性的影响。

在这项研究中，开发了一种新型的功率超声(PUS)辅助搅拌技术，以优化氧化石墨烯在水泥浆中的分散。

在石墨烯涂层蓝宝石衬底上生长的高质量GaN膜可以通过使用热释放带轻易地剥离并转移到外来衬底上。此外，揭示了在GaN生长过程中氨流的脉冲操作是制备高质量独立GaN膜的关键因素。