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在石墨烯下方预沉积金属薄膜并通过硫化/硒化处理，形成取向一致的TMD晶核。石墨烯的移除后，晶核合并为单晶薄膜。这一过程利用石墨烯的范德瓦尔斯相互作用和晶格导向作用，实现了跨衬底的晶体一致性，克服了传统外延对衬底晶格匹配的依赖。

首先，我们介绍场效应晶体管的基本概念和固有特征，特别关注 GFET 的独特性能以及 GFET 生物传感器的评价参数。接下来，我们将研究 GFET 如何发挥生物传感器的功能，重点关注传感机制的具体方面。随后，我们介绍了具有代表性的实例，这些实例强调了提高基于 GFET 的生物传感器性能的成功策略。然后，在多学科方法优势的指导下，我们深入探讨了使用 GFET 阵列进行多通道检测的最新进展。最后，我们预测了这一领域的未来发展方向。

经过多年攻关，中科院山西煤化所特种石墨研发团队（705组）近期突破了三维网络结构的轻质各向同性石墨泡沫（GF）、还原氧化石墨烯泡沫以及超厚的石墨导热片的技术壁垒，有望应用于我国未来航天飞行器恶劣环境下的屏蔽和热管理领域。

近日，麻省理工学院Jeehwan Kim、伦斯勒理工学院石云峰、俄亥俄州立大学Jinwoo Hwang、圣路易斯华盛顿大学Sang-Hoon Bae等人发表了研究性论文，引入石墨烯纳米图案作为先进的异质整合平台，允许制备广泛类型的单晶膜材料（从非极性材料到极性材料，从窄带隙到宽带隙半导体材料），其缺陷大大减少。

近日，新加坡南洋理工大学王蓉教授团队（新加坡膜技术中心）概述了一系列纳米通道的进展，包括水通道蛋白、柱[5]芳烃、I-quartets、不同类型的纳米管及其孔蛋白、石墨烯基材料、金属和共价有机框架、多孔有机笼、MoS2和 MXenes，并对它们的潜力进行了比较。

晶圆级石墨烯的合成及其应用，对硅半导体行业兼容的晶圆级器件集成，具有重要意义，然而很少有进展文章介绍这一课题。本文重点介绍了晶圆级石墨烯的合成策略、电子器件结构和新的器件应用概念的最近进展等。并在结语中提出了石墨烯合成和石墨烯基电子学的未来机遇。

据加拿大 CTV NEWS在3月31日的报道，一些受影响的工人后来告诉CTV，他们在反复佩戴后感到不适，包括“吸入猫毛”或头痛的感觉。 联邦政府上周发出警告，促使魁北克禁止使用有问题的口罩，并试图追踪哪些工人得到了口罩，到目前为止，这些工人包括教师、幼儿园工作人员、蒙特利尔中转中心工作人员和一些医疗保健人员。此外，关于另一种口罩，可能还会有更多的坏消息。上周的健康警告提到了一种单一型号的口罩，称为#SNN200642，由一家名为Metallifer的供应商进口。 但是第二个口罩也在审查中，因为它使用了相同的材料，叫做纳米石墨烯（nanoform graphene），其在口罩中作为涂层。

众所周知，通过化学气相沉积（CVD）方式生长的石墨烯薄膜具有独特的理化性质，因此在柔性电子学、高频晶体管等领域具有巨大的应用前景。然而，由于石墨烯与基质材料能够产生强耦合作用，使得石墨烯在生长过程中会形成褶皱。这一现象严重限制了大尺度均一薄膜的制备，阻碍着二维材料的进一步发展应用。

研究者开发了一种垂直石墨烯散热结构有效提升了紫外LED器件的散热性能。实验和理论分析表明，垂直石墨烯缓冲层可以作为一种良好的散热增强材料，为解决LED应用中的散热问题提供了一种新的策略。

第一作者逄金波博士等利用10页正文和33页支撑材料的篇幅，向二维材料的研究人员和其他读者展示一个三明治结构的样品放置方式，来精确控制气源的引入，在绝缘基底上，实现石墨烯单层薄膜的自限制生长过程。本文系统地研究生长过程中的生长机理、时间依存以及晶畴长大过程中的融合成膜以及晶界的形成过程。

研究人员充分利用对离子分子不通透的石墨烯薄膜，在低温条件下直接在铝箔表面生长多层石墨烯薄膜，可以提高集流体在LiPF6和酰亚胺基电解液中的抗腐蚀性。同时，研究者的研究表明 LiMn2O4电池用石墨烯包覆铝箔作为集流体拥有优越的电化学性能，包括更好的长期循环性和倍率性能，并且改善了自放电性能。这也为未来5V 高压锂离子电池的设计奠定了基础。

研究团队首先通过CVD法制备了毫米级的石墨烯样品，然后利用超高真空(UHV)四探针扫描隧道显微镜(STM)实现了电阻率和载流子迁移率的直接测量，并根据欧姆定律建立了缺陷(晶界/褶皱)对载流子传输的影响模型，且通过实测进一步验证了其有效性。通过对7个典型晶界的测量，发现其电阻率范围从几到100多kΩ·μm不等；缺陷区域的载流子迁移率下降到单晶纯石墨烯的0.4~5.9‰；石墨烯褶皱对载流子传输的影响与晶界类似。

多孔石墨烯（PG）又称石墨烯筛（GNM）是指在二维基面上具有纳米孔的碳材料。大量的理论和计算表明，PG中的孔是碳原子从晶格中被移除或者转移到表面而留下的空位，其本身是一种缺陷。