AMO GmbH

亚琛工业大学电子器件教研室 (ELD) 和 AMO GmbH 的研究人员发现，通过激光照射接触区可大幅降低 RC – 据报道，与未经处理的设备相比，RC 降低了 70%。 这归因于缺陷密度的增加，而缺陷密度的增加会形成晶粒边缘和面内悬键，从而增强电荷载流子从金属注入石墨烯的能力。

石墨烯能够达到热发射所需的温度，并具有良好的发射率，因此已成为中红外发射器的理想候选材料。 石墨烯的单层结构可实现理想的近场耦合，而不会明显扭曲导波模式，因此非常适合与硅光子波导集成。

该方法基于 MoS2 和单层石墨烯的横向异质结构（均采用可扩展方法生长），并利用了石墨烯与金属镍触点之间的一维边缘接触。

研究重点是采用可扩展方法生长的二维材料–特别是通过化学气相沉积生长的石墨烯和通过金属有机化学气相沉积生长的 MoS2。 这项工作的第一项成果是开发出一种湿法转移制造工艺，用于制造面积达平方毫米的异质结构。然后利用拉曼光谱对这些异质结构进行了系统研究。

AMO GmbH 将继续努力，让所有人都能感受到技术的魅力，并期待着与下一代人才共同创造未来。

AMO特别参与了 “SENSE”、”THINK”和 “CONNECT “三大支柱项目，在先进传感和神经形态计算元件开发以及射频元件和射频前端设计方面提供专业技术。

此次访问由皮埃蒙特工业委员 Andrea Tronzano 发起，目的是促进北威州与意大利工业化程度最高的地区之一皮埃蒙特在微电子领域发展共同的关系和政策。各地区可以通过促进其生态系统的合作，在支持欧盟芯片法案方面发挥至关重要的作用，以维持整个欧洲的半导体价值链。

AMO GmbH 是 AttoSwitch 项目的六个成员之一，该项目是欧洲地平线项目，旨在利用狄拉克半金属的独特性能，为逻辑和高频模拟集成芯片开发超节能晶体管。

发表在《自然-通讯》（Nature Communications）上的论文不仅报道了聚合物button的制作细节，以及为测量二维材料（尤其是石墨烯、六方氮化硼、二硫化钼和二硒化钨）在二氧化硅和氮化硅基底上的附着力而开发的方法，而且还表明该方法可以评估不同样品处理对附着力的影响，为进一步优化提供了重要见解。

研讨会的目的是讨论二维材料为未来电子学提供的机遇，特别是为超大规模晶体管、柔性电子学和神经形态计算提供的机遇。在为期两天的活动中取得的进展表明，二维材料无疑将在未来电子技术中发挥越来越重要的作用。

亚琛工业大学和 AMO GmbH 的研究人员组成的团队评估了几种基于石墨烯油墨的自愈合聚合物和应变传感层的性能。这些样品采用逐层喷涂法沉积，并对其在软电子应用中的适用性进行了评估。

针对这种情况，Lemme 及其同事准备了一份需要报告的器件参数清单，以及一份用于比较器件参数和性能指标的推荐基准图清单。此外，他们还举例说明了如何使用所建议的程序，并将其应用于基于单层二硫化钼（MoS2）的场效应晶体管，MoS2 是近年来研究最多的晶体管应用新兴材料之一。

“在因大流行病而中断两年之后，我们非常高兴能在亚琛召开这次重要的面对面会议。会议对科学的发展起着极其重要的作用。它们是新思想和新合作的孵化器，”亚琛工业大学电子设备教研室主任、AMO GmbH 公司科学总监 Max Lemme 教授和 2022 年石墨烯大会组委会成员说。

这项工作结合了对新方法（作者称之为 “基于稳定性的设计”）的全面理论分析，以及通过测量不同类型的石墨烯基场效应晶体管对这一概念进行的原理验证。这种方法的关键思路是尝试设计二维材料/绝缘体的组合，使绝缘体中电荷阱的能量与二维材料中电荷载流子的能量尽可能不同。