(美国宾夕法尼亚州帕克斯堡2025年3月20日电 /美通社/ — Anthony Paul Bellezza拥有多项美国专利，可在CMOS芯片的热预算范围内使用低温融合电路，这是一种单步工艺。
美国宾夕法尼亚州帕克斯伯格2025年3月20日电 /美通社/ — Anthony Paul Bellezza 开创了一种用于半导体组装的新型二维石墨烯融合工艺，该工艺可在低温下运行，有望彻底改变 CMOS 芯片的制造工艺。这一创新工艺解决了将石墨烯集成到电路中这一长期存在的难题。
创新的石墨烯融合工艺： 我的方法可将二维石墨烯用作半导体电路的互连材料，与基底形成低电阻的冶金结合。这一进步将取代已接近物理极限的传统铜电路，从而生产出速度更快、效率更高的计算机。
Bellezza Technologies 将二维石墨烯引入半导体组装工艺的主流。
Anthony Paul Bellezza 是二维石墨烯熔合工艺的发明者，该工艺用于 CMOS 芯片组装工艺，可在低于 400 摄氏度的芯片热预算温度下熔合互连器件，并可在低至 200 摄氏度的温度下工作。我的专利工艺将扩展摩尔定律，并将逐渐淘汰铜电路，取而代之的是更环保安全的石墨烯，因为铜电路的尺寸现已达到极限。更薄的微铜电路会增加电阻。
自安德烈-盖姆（Andre Geim）和康斯坦丁-诺沃肖洛夫（Konstantin Novoselov）于 2004 年发现石墨烯以来，科学家和工程师一直在尝试将石墨烯用于半导体电路。石墨烯的导电性是铜的数百倍。最大的问题是石墨烯不能焊接，也不能在低温下与电路中使用的任何其他金属很好地结合。它是世界上最好的扩散屏障，可以防止电路中的氧化和金属迁移。我的融合工艺是世界上唯一能在 CMOS 芯片的低温组装中将二维石墨烯用于电路互连的工艺。这是通过改变铁/镍镀层基底金属的晶体结构来实现的。在制备基材时，只需对其进行几秒钟的物理滚压或低温处理，即可形成马氏体晶体，在加热时可吸收碳石墨烯。这种工艺用于钢的碳化热处理已有几百年的历史，但我是世界上第一个将这种热处理工艺用于微电子电路的人。当石墨烯与基板和 CMOS 芯片融合成合金时，就形成了真正的冶金结合。接口的电阻非常低，从而提高了电路的速度。我的工艺可用于半导体的所有电路。目前，碳石墨烯的特性是融合这些互连器件的关键和最佳选择。
我已经在我网站上的其他专利中研究了这种熔融互连的用途。无焊接热电发生器是这项研究的开端，2007 年获得了 US10,756,248 号专利，随后又获得了 US11,380,833 号专利。 我在 2018 年和 2021 年获得了两项融合专利。我的核聚变专利 US10,937,940 和 US10,096,761 是我目前工作的基础，还有几项核聚变专利申请即将提交。
2018 年，US10,096,761 号专利获得授权后，我将其发送给几所大学的工程系，请他们进行审查并提出意见。遗憾的是，我没有收到任何直接回复。我希望得到大学的积极回应，但没有收到。
我的专利程序将把二维石墨烯带入集成电路的主流，造福子孙后代。我将继续研究改进我的工艺。
Anthony Paul Bellezza
Thermoelectric-graphene
Anthony P. Bellezza
Bellezza Technologies公司
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