研究进展:石墨烯超表面-零静态功耗-二硫化钼忆阻器开关 | Nature Communications

英国 曼彻斯特大学电子电气工程系的肖啸宇Xiaoyu Xiao, 彭子兴Zixing Peng,胡之润Zhirun Hu等,在Nature Communications上发文,通过打印制造技术,成功研发出一种零静态功耗(非易失性)的二硫化钼(Ag/MoS2/Ag异质结构)开关,并将整合到可重构石墨烯超表面,实现了零静态功耗的射频RF/微波波段电磁波的智能操控。

降低功耗是现代电子器件的主要目标。为此,人们非常关注零静态功耗(非易失性),在高阻态和高导电性之间改变状态,并且即使在没有外部电压的情况下,也能保持这种状态。

然而,由于新材料与CMOS技术的兼容性问题,这种开关的实现,仍然很慢。同时,在环境温度下,3D打印技术实现了低成本工艺,并将器件集成到柔性基板上。

近日,英国 曼彻斯特大学电子电气工程系的肖啸宇Xiaoyu Xiao, 彭子兴Zixing Peng,胡之润Zhirun Hu等,在Nature Communications上发文,通过打印制造技术,成功研发出一种零静态功耗(非易失性)的二硫化钼(Ag/MoS2/Ag异质结构)开关,并将整合到可重构石墨烯超表面,实现了零静态功耗的射频RF/微波波段电磁波的智能操控。

还证明了局部MoS2相变,在形成导电丝时促进了Ag的扩散。这不仅为智能无线通信、传感及全息技术提供了新可能,更为绿色电子设备的未来发展奠定了基础。

研究进展:石墨烯超表面-零静态功耗-二硫化钼忆阻器开关 | Nature Communications

图 1:零静电功率 Ag/MoS2/Ag 开关的直流特性

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图 2:零静电功率 Ag/MoS2/Ag 开关的射频特性

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图 3:零静电功率 Ag/MoS2/Ag开关的 HAADF 图像

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图 4:全印零静电功率 MoS2开关编码可重构石墨烯超表面制造工艺

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图 5:零静电功率 MoS2开关编码 RF/微波可重构超表面及其性能

文献链接

Xiao, X., Peng, Z., Zhang, Z. et al. Fully printed zero-static power MoS2 switch coded reconfigurable graphene metasurface for RF/microwave electromagnetic wave manipulation and control. Nat Commun 15, 10591 (2024).

https://doi.org/10.1038/s41467-024-54900-z

https://www.nature.com/articles/s41467-024-54900-z

本文译自Nature。

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