青岛旭芯互联科技研发申请氮化镓上生长石墨烯的方法专利,大大提高了石墨烯层与氮化镓的外延层之间的兼容性

本申请的氮化镓上生长石墨烯的方法,通过沉积的预设图案的催化层以指导石墨烯层的生长,石墨烯层能够按照预设图案的形状和尺寸生长于催化层表面,操作简单方便,且能够实现对石墨烯层的形状的精准控制;由于石墨烯层通过催化层生长于氮化镓的外延层上,且在生成后石墨烯层后,采用湿法腐蚀工艺去除催化层,大大提高了石墨烯层与氮化镓的外延层之间的兼容性,减少界面缺陷,保证了石墨烯层的质量,提高了电子器件的性能和可靠性,适合大规模、批量化生产。

金融界2024年12月7日消息,国家知识产权局信息显示,青岛旭芯互联科技研发有限公司申请一项名为“氮化镓上生长石墨烯的方法”的专利,公开号 CN 119082697 A,申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示,本申请提供一种氮化镓上生长石墨烯的方法,包括:在氮化镓的外延层上沉积催化剂,形成预设图案的催化层;于催化层的表面生长出预设图案的石墨烯层;采用湿法腐蚀工艺去除催化层。本申请的氮化镓上生长石墨烯的方法,通过沉积的预设图案的催化层以指导石墨烯层的生长,石墨烯层能够按照预设图案的形状和尺寸生长于催化层表面,操作简单方便,且能够实现对石墨烯层的形状的精准控制;由于石墨烯层通过催化层生长于氮化镓的外延层上,且在生成后石墨烯层后,采用湿法腐蚀工艺去除催化层,大大提高了石墨烯层与氮化镓的外延层之间的兼容性,减少界面缺陷,保证了石墨烯层的质量,提高了电子器件的性能和可靠性,适合大规模、批量化生产。

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