石河子大学科研团队在硅掺杂石墨烯类材料增强氧还原反应研究中取得重要进展Carbon

在这项研究中,研究人员成功合成了二维硅掺杂石墨烯类材料(Si-GLC),其特点是含有“C-O-Si”键,通过原位掺杂方法实现。由于硅的电负性远小于碳和氧,形成“C-O-Si”键导致硅失去大量电子并带正电,这增加了对电子氧的吸附,从而提高了氧还原反应的活性。

研究背景

氧还原反应(ORR)是燃料电池、金属空气电池等先进能源存储技术中的关键反应。目前,铂基金属催化剂因其优异的活性而被广泛使用,但高昂的价格、较差的耐久性和有限的自然丰度限制了它们的大规模应用。因此,寻找更经济、高效的非贵金属催化剂,以减少对贵金属的依赖,成为了推动先进能源存储技术发展的重要任务。非贵金属电催化剂,包括碳基材料、金属氧化物、尖晶石和钙钛矿等,已被研究用于ORR。其中,碳材料因其良好的稳定性、高导电性、大比表面积、简单的制备方法和丰富的可用性而成为有前途的候选材料。然而,纯碳基材料与含氧中间体之间的固有弱相互作用通常导致其ORR活性和选择性较差。杂原子掺杂是一种提高碳基催化剂性能的有前景的方法,因为它独特的电子密度分布以及优异的ORR活性。已有研究表明,杂原子(如氮、硼、磷、硫)掺杂的碳基催化剂具有良好的ORR催化活性。硅作为一种非金属杂原子,其电负性仅为1.90,远小于碳和氧原子的电负性。通过将硅掺杂到碳基材料中,电负性的差异导致硅失去电子并带正电,从而增强了对电子氧的吸附。这创造了额外的活性位点,有望显著提高ORR性能。

成果简介

在这项研究中,研究人员成功合成了二维硅掺杂石墨烯类材料(Si-GLC),其特点是含有“C-O-Si”键,通过原位掺杂方法实现。由于硅的电负性远小于碳和氧,形成“C-O-Si”键导致硅失去大量电子并带正电,这增加了对电子氧的吸附,从而提高了氧还原反应的活性。通过密度泛函理论计算,研究人员发现Si-GLC对氧分子的吸附能远低于石墨烯类碳(GLC),表明硅掺杂增强了石墨烯类材料对氧分子的吸附,这对提高氧还原反应的性能至关重要。Si-GLC在0.1 M KOH溶液中显示出优异的催化活性,半波电位为0.80 V(相对于RHE),扩散限制电流密度为5.81 mA·cm-2,展现出良好的稳定性和对甲醇交叉效应的耐受性。原位掺杂创造的“C-O-Si”键为设计高效的非金属基ORR催化剂提供了新策略。

图文导读

石河子大学科研团队在硅掺杂石墨烯类材料增强氧还原反应研究中取得重要进展Carbon

图1:展示了2D硅掺杂石墨烯类材料的制备示意图;GLC和Si-GLC的扫描/透射电子显微镜图像,显示了样品的纳米片结构和微孔结构;Si-GLC的TEM图像和相应的EDS映射显示了硅的成功掺杂和均匀分布。

石河子大学科研团队在硅掺杂石墨烯类材料增强氧还原反应研究中取得重要进展Carbon

图2:XRD、拉曼、FT-IR、N2吸附-脱附等温线图展示了GLC和Si-GLC的晶体结构、晶体学信息、化学键和官能团;XPS全谱和O 1s、C 1s、Si 2p的峰进一步证实了硅的成功掺杂和特定价态。

石河子大学科研团队在硅掺杂石墨烯类材料增强氧还原反应研究中取得重要进展Carbon

图3:CV曲线、LSV曲线、扩散限制电流密度和半波电位的比较、Tafel曲线、K-L曲线、RRDE伏安图和EIS曲线展示了GLC和Si-GLC的电化学性能,包括ORR活性、电子转移数、H2O2产生百分比和催化剂稳定性。

石河子大学科研团队在硅掺杂石墨烯类材料增强氧还原反应研究中取得重要进展Carbon

图4:展示了Si-GLC上不同位点的氧吸附能;OOH解离形成O和*OH的能量障碍,以及H添加形成HOOH的过程。

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图5:电荷密度差异图、Bader电荷转移数、O2分子、*OOH、O和OH中间体在GLC和Si-GLC模型上的优化配置和吸附能;PDOS计算和在不同电极电位下四电子ORR的吉布斯自由能剖面图。

小结

研究人员通过原位掺杂方法成功合成了具有“C-O-Si”键的二维硅掺杂石墨烯类材料(Si-GLC),并展示了其在氧还原反应中的高效催化性能。密度泛函理论计算揭示了硅掺杂对碳材料ORR活性的电子结构调控作用。硅掺杂碳材料中带正电的活性位点增强了对电子氧的吸附,显著提高了ORR的催化活性。这种硅掺杂碳材料有潜力成为一种低成本、高效的氧还原反应催化剂,并为设计经济、高性能的非金属催化剂提供了新方法,进一步推动了未来碱性燃料电池设备的发展。

文献:https://doi.org/10.1016/j.carbon.2024.119881

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