透明导体广泛应用于高性能显示器、光伏、触摸屏、有机发光二极管(OLED)、智能窗户和需要高透明度和导电性的太阳能电池。
目前,氧化铟锡（ITO）是占主导地位的透明导体，然而，ITO有几个关键性的缺点，一直以来需求的快速增长和稀土金属材料的供应不足，正使铟成为一种日益昂贵的材料；ITO有限制的环境化学稳定性和渗透率可能导致设备退化；当涉及弯曲/压缩时，ITO很容易磨损或开裂。
该新加坡国立大学的专利技术是一种可替代氧化铟锡（ITO）的石墨烯基透明导体薄膜。该薄膜由石墨烯层和永久偶极层组成。石墨烯，作为世界上最薄的材料，不仅提供了一种低成本的ITO替代品，还结合了表面似乎上相互排斥的材料特性，对透明导电电极市场的发展具有重要意义。
目前，降低石墨烯的片层电阻主要采用化学掺杂的方法。然而，这个方法也有缺点: 1) 降低石墨烯的迁移率; 2) 不稳定性。
在这项专利技术中提出了一种新的单工序方法，这种方法基于大规模CVD石墨烯的新型涂层材料来解决这些问题。该技术将提供超低的片层电阻(良好的导电性)，高透明度和优异的机械柔韧性。
石墨烯铁电器件的单元电池结构-用于太阳能电池和触摸屏
应用&优势
- 可用于各种透明导体，触摸面板，移动设备
- 可扩展的合成方法，低成本，成本效益高
- 超低的薄片电阻
- 高透光率95-97%的透明性
- 优异的机械韧性
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