宁波石墨烯创新中心申请外延片结构及其制备方法专利，有效提高氮化物外延片的耐压

金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为“一种外延制备工艺”的专利，公开号 CN 118919398 A，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明提供一种外延制备工艺，至少用于制备硅衬底氮化物半导体外延，硅衬底氮化物半导体外延片的结构至少包括：硅衬底，以及形成于硅衬底上的过渡层，将硅衬底与过渡层界面处的硅材料氧化或者氮化以形成绝缘介质层该介质层的厚度可以通过氧化或者氮化工艺调节。通过将外延与衬底界面处的硅材料转变为绝缘二氧化硅或者氮化硅材料，将衬底 Si 的一部分厚度转变为高耐压的绝缘介质层材料，可以有效提高氮化物外延片的耐压，并降低对外延层厚度的要求因而降低生长技术难度，可以同时减少外延生长时间，提高外延参数均匀性，从而提高外延片和芯片的良率。

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为“一种外延片结构及其制备方法”的专利，公开号CN 118919399 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种外延片结构及其制备方法。外延片结构：包括Si/绝缘材料/Si结构复合衬底，过渡层，过渡层上的缓冲层，缓冲层上方的沟道层，以及沟道层上方的势垒层。在生长完过渡层后，通过氧化或者氮化工艺，将过渡层与衬底中绝缘材料之间的硅材料层氧化或者氮化，形成二氧化硅或者氮化硅绝缘介质层。然后在过渡层的上方按照通常氮化物外延生长工艺依次生长缓冲层，沟道层以及势垒层。通过将外延层与衬底中绝缘材料之间的硅材料转变为绝缘二氧化硅或者氮化硅材料，可以有效提高氮化物外延片的耐压。

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，宁波石墨烯创新中心有限公司申请一项名为“一种蓝宝石衬底氮化物半导体功率器件及其制造方法”的专利，公开号CN 118919558 A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种蓝宝石衬底氮化物半导体功率器件，包括：蓝宝石衬底、生长在蓝宝石衬底上的氮化物半导体功率器件的外延结构，以及外延结构上的功率器件结构，所述蓝宝石衬底下方对应功率器件结构的位置设有部分或者完全刻蚀区，刻蚀区位置处布置有高导热性材料。通过采用蓝宝石衬底，在垂直于蓝宝石衬底的厚度方向上完全刻蚀掉对应器件下方的蓝宝石衬底部分，或者刻蚀掉绝大部分衬底厚度，仅留下部分蓝宝石衬底，然后采用沉积导热性良好的材料，提高功率芯片的导热性。可提高功率器件的耐压，并降低对外延层厚度的要求因而降低生长技术难度，同时减少外延生长时间，提高外延参数均匀性，进而提高外延片和芯片的良率。