金融界 2024 年 11 月 9 日消息，国家知识产权局信息显示，北京石墨烯研究院产业发展有限公司申请一项名为“CVD 方法和系统”的专利，公开号 CN 118910593 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提出了一种 CVD 方法及系统。所述方法包括以下步骤：步骤(1)：将衬底材料放置在 CVD 生长区，升温至第一温度，然后通入反应气体，所述反应气体由 CVD 生长区的一端流向另一端，开始 CVD 生长；步骤(2)：经过静态生长时间后，将衬底材料以预设速度沿反应气体流动方向的反方向移出 CVD 生长区；步骤(3)：将全部衬底材料移出 CVD 生长区，CVD 生长结束。一种 CVD 系统，包括：放样腔：所述衬底材料从所述放样腔中进行放样；传动装置：所述传动装置将所述衬底材料送入或移出所述 CVD 生长区；进气装置和出气装置：所述进气装置和出气装置分别位于所述 CVD 生长区的两侧；CVD 生长区：进行薄膜或涂层的 CVD 生长。使用本发明的方法和系统，相比静态工艺可以大幅改善产品表面的均匀性，相比动态工艺可以实现大幅宽衬底材料上的生长，并且极大地提高了生长效率。
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