MoS2具有吸引人的二维(2D)片状结构,为双层电荷存储提供了大的表面积和高的固有快速离子电导率;因此,它是一种很有前途的电极材料。然而,二维材料往往存在容易堆积的问题,这大大削弱了材料的固有优势。将MoS2设计成具有大比表面积的花朵形态,并与石墨烯结合,是解决MoS2纳米片堆积缺陷的可行方法。导电分子(CM)的苯基与芘基形成33.2°的夹角,用于斜支撑石墨烯层,获得比表面积更大的石墨烯化合物。然后在改性材料表面生成Cu2S/MoS2纳米球,提供Cu2S/MoS2@CM@rGO。在这里,设计并构建了Cu2S/MoS2@CM@rGO复合材料作为电池型超级电容器的电极材料。用Cu2S/MoS2@CM@rGO与AC(活性炭)组装的ASC器件在36.9 Wh kg-1能量密度下的功率密度为981.8 W kg-1。值得注意的是,当两个固态ASCs串联在一起时,一个小灯泡可以保持3分钟的亮度,这表明Cu2S/MoS2@CM@rGO在储能方面具有很高的潜力。
图1. Cu2S/MoS2@CM@rGO制备原理图。
图2. (a)不同放大倍数下Cu2O和(b, c) Cu2S/MoS2@CM@rGO的SEM图像。(d, e, f) Cu2O和Cu2S/MoS2@CM@rGO的TEM图像(g, h) HRTEM图像和(i) Cu2S/MoS2@CM@rGO的SAED图像。
图3. (a) Cu2S/MoS2@CM@rGO、Cu2S@CM@rGO和Cu2S/MoS2@rGO的XRD图像。(b) Cu2S/MoS2@CM@rGO、Cu2S@CM@rGO和Cu2S/MoS2@rGO的FT-IR光谱。(c) Cu2S/MoS2@rGO和Cu2S/MoS2@CM@rGO的拉曼光谱。(d, e) Cu2S/MoS2@CM@rGO和Cu2S/MoS2@rGO的N2吸附-解吸曲线及孔径分布。(f) Cu2S/MoS2@CM@rGO的EDS谱。
图4. (a) Cu2S/MoS2@CM@rGO的XPS测量谱,(b-f) Cu2S/MoS2@CM@rGO的C1s、S2p、Cu 2p和Mo 3d的XPS谱。
图5.(a) Cu2S/MoS2@CM@rGO、Cu2S/MoS2@rGO、Cu2S@CM@rGO和Cu2O@CM@rGO电极的CV曲线和(b) GCD曲线。(c) Cu2S/MoS2@CM@rGO电极的CV曲线和(d) GCD曲线。(g)Cu2S/MoS2@CM@rGO、Cu2S/MoS2@rGO、Cu2S@CM@rGO和Cu2O@CM@rGO电极及其等效电路的Nyquist图。附图显示了拟合的EIS曲线。(h)最近报道了Cu2S/MoS2@CM@rGO与其他rGO基材料的比电容的比较。(i) Cu2S/MoS2@CM@rGO电极循环性能。
图6.以下电极(a) Cu2S/MoS2@CM@rGO, (b) Cu2S/MoS2@rGO, (c) Cu2S@CM@rGO的阴极峰log i和log v图。电容和扩散控制对(d) Cu2S/MoS2@CM@rGO,(e) Cu2S/MoS2@rGO和(f) Cu2S@CM@rGO电极在20 mV s-1下电荷存储的贡献。不同扫描速率下电极(g) Cu2S/MoS2@CM@rGO, (h) Cu2S/MoS2@rGO,(i) Cu2S@CM@rGO的电容贡献和扩散控制贡献。
图7.以下电极(a) Cu2S/MoS2@CM@rGO, (b) Cu2S/MoS2@rGO, (c) Cu2S@CM@rGO的阴极峰log i和log v图。电容和扩散控制对(d) Cu2S/MoS2@CM@rGO, (e) Cu2S/MoS2@rGO和(f) Cu2S@CM@rGO电极在20 mV s-1下电荷存储的贡献。不同扫描速率下电极(g) Cu2S/MoS2@CM@rGO, (h) Cu2S/MoS2@rGO, (i) Cu2S@CM@rGO的电容贡献和扩散控制贡献。
相关研究成果由青岛大学Jiangtao Xu和刘敬权课题组2024年发表在ACS Applied Nano Materials (链接:https://doi.org/10.1021/acsanm.4c02585)上。
原文:Cu2S/MoS2 Nanospheres on Conductive Molecule Modified Reduced Graphene Oxide for Supercapacitors
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