星科金朋申请半导体器件和具有嵌入的石墨烯芯壳的部分屏蔽的方法专利,减少或抑制EMI、RFI和其他器件间干扰的影响

第一密封剂沉积在电部件和衬底上。在第一密封剂的表面上形成具有石墨烯芯壳的第一屏蔽层。第二密封剂沉积在第一密封剂和第一屏蔽层上。在第二密封剂上形成第二屏蔽层。第一屏蔽层至少部分地形成在第一密封剂的开口中。石墨烯芯壳具有铜芯。第一屏蔽层具有被石墨烯覆盖的多个芯,并且石墨烯在第一屏蔽层内互连以形成电路径。

金融界2024年9月26日消息,国家知识产权局信息显示,星科金朋私人有限公司申请一项名为“半导体器件和具有嵌入的石墨烯芯壳的部分屏蔽的方法”的专利,公开号 CN 118693051 A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,一种半导体器件具有衬底和设置在衬底上的电部件。第一密封剂沉积在电部件和衬底上。在第一密封剂的表面上形成具有石墨烯芯壳的第一屏蔽层。第二密封剂沉积在第一密封剂和第一屏蔽层上。在第二密封剂上形成第二屏蔽层。第一屏蔽层至少部分地形成在第一密封剂的开口中。石墨烯芯壳具有铜芯。第一屏蔽层具有被石墨烯覆盖的多个芯,并且石墨烯在第一屏蔽层内互连以形成电路径。该电路径消散入射在屏蔽层上的任何电荷,诸如ESD事件,以减少或抑制EMI、RFI和其他器件间干扰的影响。

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